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4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備

目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現有的EUV設備實現晶圓的大規模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節點 —— 即1.4nm與1nm...

臺積電 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2納米時代的唯一道路

半導體行業正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節點小型化的明確路徑,現在正在與其他選項進行權衡。盡...

High-NA 2納米 2025-09-18

SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備

據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半導體巨頭對high-NA EUV態度分化

據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出...

半導體 high-NA EUV 2025-07-01

臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用

全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評估何時將 ASML 的尖端高數值孔徑（NA）機器用于其未來的工藝節點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和...

臺積電 ASML 2025-05-28

英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產

據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程...

英特爾 ASML 2025-02-26

英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產，單季完成3萬片晶圓

據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約...

英特爾 High NA EUV 2025-02-26

英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產

英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生...

英特爾 High-NA 2025-02-25

imec采用High-NA EUV技術展示邏輯與DRAM架構

比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后...

imec High-NA 2024-08-13

價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8...

Intel High NA EUV 2024-08-07

ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數月...

ASML High-NA 2024-08-06

臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？

5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業激光專業公司TRUMPF。ASML CEO Chri...

臺積電 ASML 2024-05-30

High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機

上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。...

High-NA EUV 2024-05-09

High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？

光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產業的發展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；...

High-NA EUV 2024-04-03

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術

3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據...

ASM NXE:3800E EUV 2024-03-27

英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？

HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。...

英特爾 ASML 2024-01-11

英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？

英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。相較之下，臺積電則采...

英特爾 High-NA EUV 2024-01-08

SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革

由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPD...

SK海力士 High-k 2022-11-08

3G通信—什么是UMTS

隨著通信技術的不斷成熟以及用戶對通信質量的要求越來越高，現有的GSM網絡將不可避免地向W-CDMA（寬帶碼分多址）演變，這種演進的過程據估計大約需要2-3年，主要的無線網絡設備供應商最早也要到 2002年之后才能提供可供...

UMTS GSM 2017-06-13

UMTS 基站接收器占板面積僅為半平方英寸

在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提之下，集成度究竟能夠達到多高? 工藝技術仍然限定某些重要的功能部件必須采用特殊工藝來制造：在射頻 (RF) 領域采用GaAs 和 SiGe 工藝，高速 ADC 采用細線 CMOS 工藝，而高...

凌力爾特 RF 2013-06-24

High-end A4監聽音箱的制作

一、設計及制作由于普通家庭室.內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：no=knmiddot;f33middot;VB上式...

制作音箱 2012-10-27

High-end A4監聽音箱的制作方法

制作方法音箱 2012-10-04

GSM/UMTS手機的最終測試方法

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園...

GSM UMTS 2012-09-12

簡要介紹GSM/UMTS手機的最終測試方法和檢驗

市場上出現了十多種雙模GSM/UMTS手機，同時許多中心都有了UMTS覆蓋，但是維修中心卻經常遇到很多問題，該問題就是在報告手機出現故障時，在維修后手機在送還給顧客之前，這些手機都要進行哪些測試。一篇由Willtek C...

UMTS GSM 2012-09-11

安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設計套件

安森美 ADS 2012-06-25

UMTS通信技術特性及其分析

一、UMTS定義　　UM TS作為一個完整的3G移動通信技術標準，UMTS并不僅限于定義空中接口。除WCDMA作為首選空中接口技術獲得不斷完善外，UMTS還相繼引入了TD-SCDMA和HSDPA技術。　　一種第三代(3...

分析及其 2012-05-17

半英寸UMTS基站接收器設計

在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提下，能達到多高的集成度? 工藝技術仍然限定某些重要的功能部件必需運用特殊的 ......

UMTS 基站 2012-05-15

GSM/UMTS手機的檢驗和最終測試方法

許多中心都有了UMTS覆蓋，并且市場上出現了十多種雙模GSM/UMTS手機，維修中心遇到了如下問題，就是報告有手機......

GSM UMTS 2012-03-02

如何制作High-end A4監聽音箱

一、設計及制作由于普通家庭室．內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：no＝knmiddot;f33middot;VB上式...

監聽音箱 2011-12-24

GSM/UMTS雙模手機的檢驗

　　許多中心都有了UMTS覆蓋，并且市場上出現了十多種雙模GSM/UMTS手機，維修中心遇到了如下問題，就是報告有手機故障時，以及維修后的手機送還顧客以前，都要對這些手機進行哪些測試。Willtek Communicat...

檢驗手機 2010-09-17

UMTS通信技術特性及技術分析

分析技術 2010-08-18

Derive simple high-current source from lab sup

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate con...

high-current Derive 2010-08-17

制作High-end A4監聽音箱的方法

一、設計及制作由于普通家庭室．內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：no＝kn?f33?VB上式中，kn是箱體系數，...

音箱方法 2010-05-28

HUBER+SUHNER推出了優質戶外光纖連接器

　　近日，全球著名的通訊傳送產品制造商HUBER+SUHNER推出了優質戶外光纖連接器，以滿足惡劣環境下市場對優質光纖連接器的需求。　　無論是UMTS(無線通信系統)、第三代移動通信、還是航海定位系統—&...

HUBER+SUHNER 光纖連接器 2010-01-28

半導體設備業研發經費拮據　聯盟關系將成救星

　　市場研究機構Gartner警告，半導體設備產業的研發預算恐怕在接下來的五年內大幅削減80億美元，使該產業領域陷入危機。不過該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發聯盟的興起將成為救星。　　缺乏適當的投...

半導體設備通孔硅 2009-09-10

消費無線MEMS在產業衰退中殺出血路

　　據iSuppli公司，盡管總體電子產業下滑，但預計2009年用于消費電子與無線產品的微電機系統(MEMS)將增長6.4%。　　2009年全球消費與無線MEMS營業收入將達到12.4億美元，高于2008年時的11....

無線 MEMS 2009-07-23

臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節點high-k 閘極介電層量產制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新...

ASM high-k 2009-05-06

中興通訊針對北美市場制定LTE策略

　　4月1日，美國拉斯維加斯，在2009年美國CTIA無線通信展上, 中興通訊展示了系列LTE產品，并披露了針對北美的LTE策略。中興通訊希望借助基于SDR的UMTS平臺和定制終端，推出面向北美市場的LTE端到端解決方案...

中興 SDR 2009-04-02

IP多媒體子系統柜架結構研究

　　1 UMTS版本的演進　　早在上世紀90年代初期，歐洲電信標準協會(ETSI)就開始為3G標準征求技術方案，并將3G技術稱為UMTS(通用移動通信系統)。WCDMA(帶寬5MHz)建議是多種方案之一。其后，日本...

IP 多媒體子系統 2008-07-14

采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發器(06-100)

　　前言　　隨著通用移動通信系統(UMTS)網絡在日本和歐洲實現商用，市場對多頻段寬帶碼分多址(W-CDMA)收發器芯片的要求更加苛刻——除了縮小芯片面積和主板占用空間、減少組件數量、降低材料成本外，還要求芯片具備足...

Infineon CMOS 2008-04-03

UMTS--High