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?半導(dǎo)體 文章 最新資訊

11月半導(dǎo)體銷售收入同比增長(zhǎng)29.8%

  • 據(jù)SIA報(bào)道,11月半導(dǎo)體收入為753億美元,較2004年11月的580億美元增長(zhǎng)了29.8%,較2025年10月的727億美元增長(zhǎng)了3.5%。SIA首席執(zhí)行官約翰·紐弗表示:“全球半導(dǎo)體行業(yè)在十一月創(chuàng)下了有史以來(lái)最高的月度銷售總額,所有主要產(chǎn)品類別的需求逐月增長(zhǎng),展望未來(lái),全球芯片市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2026年大幅增長(zhǎng),年銷售額將接近1萬(wàn)億美元。”區(qū)域方面,亞太/其他地區(qū)(66.1%)、美洲(23.0%)、中國(guó)(22.9%)和歐洲(11.1%)的銷量同比增長(zhǎng),但日本銷量下降(-8.9%)。亞太/其他地區(qū)(5.0
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ITECH IT-N6700系列高壓可編程直流電源重磅上市

  • ITECH 艾德克斯近日正式推出全新 IT-N6700 系列高壓可編程直流電源。該系列產(chǎn)品面向研發(fā)實(shí)驗(yàn)室、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)、半導(dǎo)體與電力電子等應(yīng)用場(chǎng)景,圍繞工程師在實(shí)際測(cè)試中最關(guān)注的安全性、可控性與可視化進(jìn)行全面升級(jí),為復(fù)雜供電測(cè)試提供更加可靠、高效的解決方案。IT-N6700 系列高壓可編程直流電源提供 1000W / 1500W 兩種功率規(guī)格,電壓范圍覆蓋 32V 至 1500V,采用緊湊的 1/2 2U 機(jī)架式設(shè)計(jì),在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度,兼顧系統(tǒng)集成與實(shí)驗(yàn)室使用需求。多重保護(hù)機(jī)制,保
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中國(guó)半導(dǎo)體研究在內(nèi)存和集成電路設(shè)計(jì)方面取得多項(xiàng)突破

  • 近年來(lái),中國(guó)多所高校和研究機(jī)構(gòu)在半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。這些進(jìn)展涵蓋了存儲(chǔ)器、功率半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)等關(guān)鍵領(lǐng)域。IME CAS在高密度三維DRAM研究方面取得了重大進(jìn)展中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路制造技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì),與北京超弦存儲(chǔ)技術(shù)研究院(SAMT)和山東大學(xué)合作,提出了一種新型雙門(mén)4F2 2T0C存儲(chǔ)單元架構(gòu)。通過(guò)采用原位金屬自氧化工藝,該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了4F2存儲(chǔ)單元內(nèi)讀寫(xiě)晶體管的自對(duì)齊集成。結(jié)合多層存儲(chǔ)技術(shù),它可以進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度。圖 1 4F2 雙門(mén) 2T0C 內(nèi)存陣列的示意
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交易重塑半導(dǎo)體行業(yè)-2025半導(dǎo)體主要并購(gòu)盤(pán)點(diǎn)

  • 半導(dǎo)體和電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)行業(yè)在2025年經(jīng)歷了重大整合,主要由向下一代耗電量大的AI數(shù)據(jù)中心芯片轉(zhuǎn)型推動(dòng)。Synopsys完成了350億美元收購(gòu)Ansys的物理建模交易,特別是芯片組建模,而Marvell則收購(gòu)了Celestial AI,負(fù)責(zé)芯片間光互連。在年底,英偉達(dá)宣布將收購(gòu)人工智能公司Groq的技術(shù),將本地語(yǔ)言處理帶入其圖形處理單元(GPU)。最大的一筆交易無(wú)疑是Synopsys于7月完成收購(gòu)Ansys物理建模工具,這一舉措曾被英國(guó)、歐洲和中國(guó)的監(jiān)管機(jī)構(gòu)拖延超過(guò)一年。Keysight Tec
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中國(guó)EUV技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破,半導(dǎo)體競(jìng)賽格局生變

  • 隨著計(jì)算技術(shù)的進(jìn)步,越來(lái)越多的先進(jìn)芯片應(yīng)運(yùn)而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小,傳統(tǒng)光源波長(zhǎng)已無(wú)法在如此精細(xì)的尺度上實(shí)現(xiàn)可靠的圖形光刻。這一挑戰(zhàn)并非新題 —— 半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)一直使用深紫外光刻(DUV)技術(shù)在硅片上進(jìn)行光刻加工。但要實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)的納米級(jí)精度,就需要波長(zhǎng)更短的光源。這種光源及對(duì)應(yīng)的光刻技術(shù)被稱為極紫外光刻(EUV)。中國(guó) EUV 原型機(jī)提前問(wèn)世圖注:更短、更精準(zhǔn)、更纖薄:技術(shù)的巨大飛躍,蔡司(ZEISS)數(shù)據(jù)顯示,EUV 技術(shù)制造的結(jié)構(gòu)精度達(dá) 13.5 納米,比人
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納米粒子威脅:縮小半導(dǎo)體UPW計(jì)量差距

  • 在不斷追求更小的節(jié)點(diǎn)和更強(qiáng)大的微處理器的過(guò)程中,半導(dǎo)體行業(yè)以絕對(duì)純粹為基礎(chǔ)運(yùn)作。每一種材料、每一個(gè)工藝和每一個(gè)變量都必須以微觀級(jí)的精確度進(jìn)行控制。其中,超純水(UPW)是最關(guān)鍵且使用最廣泛的化學(xué)物質(zhì)。它是晶圓廠的命脈,幾乎貫穿晶圓制造的每一個(gè)階段,從清洗、蝕刻到洗滌。這些水的質(zhì)量直接影響設(shè)備性能、制造良率,最終影響盈利能力。幾十年來(lái),行業(yè)一直依賴已建立的方法來(lái)監(jiān)測(cè)UPW質(zhì)量。然而,隨著器件架構(gòu)縮小到10納米門(mén)檻以下,這些傳統(tǒng)方法中的一個(gè)關(guān)鍵漏洞變得顯現(xiàn)。存在一個(gè)“計(jì)量學(xué)缺口”,納米顆粒和溶解分子污染物因太
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美國(guó)芯片法案再次受挫

  • 一家依托美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》資助、致力于芯片制造數(shù)字孿生技術(shù)研發(fā)的研究中心負(fù)責(zé)人,已通知該中心 121 家成員單位:美國(guó)商務(wù)部將終止其價(jià)值 2.85 億美元的五年期資助合同。據(jù)其官網(wǎng)介紹,SMART USA 研究所的目標(biāo)是整合高校與企業(yè)實(shí)驗(yàn)室資源,打造 “虛擬制造復(fù)現(xiàn)模型”,計(jì)劃實(shí)現(xiàn)三大核心目標(biāo):將芯片研發(fā)與制造成本降低 35% 以上、縮短 30% 的制造工藝開(kāi)發(fā)周期、提升 40% 的生產(chǎn)良率。同時(shí),該研究所還計(jì)劃在五年內(nèi)培養(yǎng) 11 萬(wàn)名專業(yè)技術(shù)人員。這是自 2025 年 1 月特朗普政府換屆以來(lái),聯(lián)邦
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Imec利用極紫外光刻技術(shù)對(duì)固態(tài)納米孔進(jìn)行縮放

  • Imec在將固態(tài)納米孔技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室?guī)氪笠?guī)模生產(chǎn)方面邁出了重要一步。在IEDM 2025上,比利時(shí)研發(fā)中心展示了首次成功利用極紫外(EUV)光刻技術(shù)在晶圓級(jí)制造固態(tài)納米孔。這一發(fā)展凸顯了前沿CMOS工藝在主流芯片擴(kuò)展之外的應(yīng)用。極紫外光刻正作為新型設(shè)備類別的推動(dòng)力,包括醫(yī)療應(yīng)用中的固態(tài)生物傳感器。從實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的孔隙到300毫米晶圓納米孔徑僅有幾納米,制造商將其蝕刻在薄膜上,通常是氮化硅。在浸液膜上施加電壓,使單個(gè)分子通過(guò)孔隙并產(chǎn)生特征性電信號(hào)。這使得納米孔成為單分子檢測(cè)(包括DNA、蛋白質(zhì)和病毒)的強(qiáng)大工
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微型光譜儀具備可調(diào)諧的分層有機(jī)半導(dǎo)體傳感器

  • 對(duì)于從事有線或無(wú)線頻譜幾乎任何部分工作的電氣工程師來(lái)說(shuō),頻譜分析儀是一個(gè)關(guān)鍵的測(cè)試和測(cè)量工具。對(duì)于光學(xué)工程來(lái)說(shuō),對(duì)應(yīng)的工具是光譜儀,隨著電子學(xué)和光學(xué)的接口、融合和重疊,光譜儀正日益成為電氣工程師的重要工具。雖然無(wú)線和光學(xué)都處理電磁能量,但實(shí)際上它們各自的射頻和光學(xué)波段屬性和對(duì)應(yīng)的傳感器有很大差異。即使關(guān)鍵參數(shù)——光譜每個(gè)定義切片的能量——是相同的,情況依然如此。傳統(tǒng)上,能夠在寬光帶高分辨率工作時(shí),需要配備濾光片、光柵和傳感器的布置,這增加了復(fù)雜性和成本。微型光譜儀可能會(huì)引領(lǐng)掌上型設(shè)備材料的新發(fā)展正在重新定
  • 關(guān)鍵字: 微型光學(xué)光譜儀  半導(dǎo)體  

SEMI預(yù)測(cè)半導(dǎo)體設(shè)備銷售到2027年將達(dá)到1.56億美元

  • 根據(jù)SEMI最新的行業(yè)預(yù)測(cè),全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額正創(chuàng)下歷史新高。主要由人工智能相關(guān)投資推動(dòng),市場(chǎng)預(yù)計(jì)將連續(xù)三年增長(zhǎng),直至2027年。這一前景預(yù)示了資本支出、技術(shù)優(yōu)先事項(xiàng)和制造業(yè)實(shí)力的走向。設(shè)備支出趨勢(shì)常預(yù)示著芯片設(shè)計(jì)、封裝策略和供應(yīng)鏈重點(diǎn)在歐洲及其他地區(qū)的變化。設(shè)備市場(chǎng)進(jìn)入新的增長(zhǎng)階段SEMI預(yù)計(jì)2025年全球OEM半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達(dá)到1330億美元,同比增長(zhǎng)13.7%,隨后在2026年達(dá)到1450億美元,2027年達(dá)到1560億美元。如果實(shí)現(xiàn),這將是該行業(yè)首次突破1500億美元的門(mén)檻。據(jù)SEMI稱
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  芯片制造  封裝  

在下一代硅介質(zhì)體中實(shí)現(xiàn)高性能集成的擴(kuò)展TSV

  • 幾十年來(lái),半導(dǎo)體的進(jìn)展以納米級(jí)不斷減少為單位來(lái)衡量。但隨著晶體管擴(kuò)展放緩,瓶頸已從器件轉(zhuǎn)向互連,先進(jìn)封裝成為新的前沿。帶TSV的硅中介體實(shí)現(xiàn)了密集的2.5D集成,縮短了信號(hào)路徑,并支持遠(yuǎn)超基板和線鍵所能提供的帶寬。這一發(fā)展的下一波趨勢(shì)反直覺(jué):更大的TSVs——寬達(dá)50μm、深300μm——刻蝕在更厚的中介體中,帶來(lái)更好的電氣性能、穩(wěn)健的功率輸出、更好的熱處理能力和更高的制造良率。從線鍵到中介體半導(dǎo)體互連技術(shù)的發(fā)展始于引線鍵合,這一技術(shù)曾是 20 世紀(jì)的標(biāo)準(zhǔn)互連方案。隨后倒裝芯片封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,進(jìn)一步縮小
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  中介體  擴(kuò)展硅通孔  

克服半導(dǎo)體應(yīng)用彈性體密封件的摩擦問(wèn)題

  • 半導(dǎo)體技術(shù)正持續(xù)高速發(fā)展,微型化進(jìn)程尤為顯著。首款集成電路僅集成 16 只晶體管,特征尺寸為 40 微米(即 40000 納米),約為人類頭發(fā)直徑的一半。如今的集成電路已可集成數(shù)十億只晶體管,制造工藝精度正朝著埃米量級(jí)邁進(jìn)。2025 年下半年,最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(即晶體管尺寸)將達(dá)到 1.8 納米(18 埃)。作為對(duì)比,一個(gè)硅原子的直徑為 2.1 埃。到 2027 年,制程節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將進(jìn)一步縮小至 14 埃 。然而,無(wú)論是傳統(tǒng)電子設(shè)備,還是自動(dòng)駕駛、人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等對(duì)存儲(chǔ)與算力需求龐大的新興領(lǐng)
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  彈性體  表面處理  

據(jù)報(bào)道,中國(guó)在50%規(guī)則下推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片工具的采用,給韓國(guó)供應(yīng)商施加壓力

  • 中國(guó)一直在加強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)自給自足,這一轉(zhuǎn)變?cè)絹?lái)越被視為對(duì)韓國(guó)企業(yè)的壓力。據(jù)韓京引述消息稱,中國(guó)政府正通過(guò)所謂的“50%規(guī)則”鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)工具的采用,該規(guī)則要求芯片制造商為進(jìn)口的每臺(tái)外國(guó)產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)一把本地制造的工具。報(bào)告援引業(yè)內(nèi)消息稱,盡管中國(guó)繼續(xù)從歐洲及其他地區(qū)采購(gòu)不可替代的設(shè)備,韓國(guó)制造的工具正越來(lái)越多地被成本較低的中國(guó)替代品所取代。因此,韓國(guó)設(shè)備制造商成為50%規(guī)則影響最嚴(yán)重的行業(yè)之一。報(bào)告稱,Zeus上半年銷售額為2845億韓元,同比下降14%,而同期GST收入下降1.65%,至2549億韓元,盡管
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  華為  微電子  

瞬態(tài)電子:會(huì)退化和消失的器件

  • 電子產(chǎn)品長(zhǎng)期以來(lái)一直以其永久性為特征。即使使用壽命結(jié)束,材料仍會(huì)在填埋場(chǎng)中停留多年甚至數(shù)十年。瞬態(tài)電子設(shè)備采用無(wú)常性,這些器件被設(shè)計(jì)成工作一段時(shí)間后消失,暴露于水、熱或光時(shí)溶解為安全的副產(chǎn)物。電子技術(shù)的發(fā)展速度比以往任何時(shí)候都快,因此老舊電子產(chǎn)品很快就會(huì)變得過(guò)時(shí)或不受歡迎。雖然電子技術(shù)的發(fā)展有明顯的好處,但電子產(chǎn)品的快速更換每年會(huì)有數(shù)百萬(wàn)設(shè)備被送往填埋場(chǎng)。預(yù)計(jì)到2030年全球電子廢棄物將增至8200萬(wàn)噸,研究人員尋求更可持續(xù)的替代方案。瞬態(tài)電子技術(shù)有助于推動(dòng)新設(shè)備的循環(huán)經(jīng)濟(jì),同時(shí)推動(dòng)我們通過(guò)新的電子應(yīng)用提
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chiplet能否拯救半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?

  • 我們制造的半導(dǎo)體數(shù)量比以往任何時(shí)候都多,但不知為何,這仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。需求持續(xù)增長(zhǎng),這得益于人工智能在我們?nèi)粘I钪械呐d起,但生產(chǎn)仍面臨瓶頸。問(wèn)題不僅僅是規(guī)模問(wèn)題;更歸根結(jié)底,是整個(gè)制造業(yè)的結(jié)構(gòu)。目前,半導(dǎo)體行業(yè)高度集中,依賴于少數(shù)幾家晶圓廠。除此之外,地緣政治日益復(fù)雜,每個(gè)人都希望成為開(kāi)發(fā)這些先進(jìn)芯片的中心。然而,只有少數(shù)國(guó)家具備實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的基礎(chǔ)設(shè)施、專業(yè)知識(shí)和原材料。小芯片(chiplet)登場(chǎng),這是一種模塊化、可混搭的構(gòu)建模塊,它們被評(píng)為麻省理工技術(shù)評(píng)論2024年十大突破性技術(shù)之一。它們?yōu)橹圃爝^(guò)程提
  • 關(guān)鍵字: chiplet  半導(dǎo)體  供應(yīng)鏈  
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