- 2026 年 1 月 14 日美利堅合眾國總統 發布2025 年 12 月 22 日，美國商務部長（以下簡稱 “部長”）根據經修訂的《1962 年貿易擴展法》第 232 條（《美國法典》第 19 編第 1862 節，以下簡稱 “第 232 條”），向本人提交了一份關于半導體（又稱芯片）、半導體制造設備及其衍生產品進口對美國國家安全影響的調查報告。基于該調查中考量的事實，并考慮到國家經濟福祉與國家安全的密切關聯及其他相關因素（參
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白宮 半導體 半導體制造設備 進口政策
- 據SIA報道，11月半導體收入為753億美元，較2004年11月的580億美元增長了29.8%，較2025年10月的727億美元增長了3.5%。SIA首席執行官約翰·紐弗表示：“全球半導體行業在十一月創下了有史以來最高的月度銷售總額，所有主要產品類別的需求逐月增長，展望未來，全球芯片市場預計將在2026年大幅增長，年銷售額將接近1萬億美元。”區域方面，亞太/其他地區（66.1%）、美洲（23.0%）、中國（22.9%）和歐洲（11.1%）的銷量同比增長，但日本銷量下降（-8.9%）。亞太/其他地區（5.0
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- ITECH 艾德克斯近日正式推出全新 IT-N6700 系列高壓可編程直流電源。該系列產品面向研發實驗室、自動化測試設備（ATE）、半導體與電力電子等應用場景，圍繞工程師在實際測試中最關注的安全性、可控性與可視化進行全面升級，為復雜供電測試提供更加可靠、高效的解決方案。IT-N6700 系列高壓可編程直流電源提供 1000W / 1500W 兩種功率規格，電壓范圍覆蓋 32V 至 1500V，采用緊湊的 1/2 2U 機架式設計，在有限空間內實現更高功率密度，兼顧系統集成與實驗室使用需求。多重保護機制，保
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- 近年來，中國多所高校和研究機構在半導體相關領域取得了重大進展。這些進展涵蓋了存儲器、功率半導體和集成電路設計等關鍵領域。IME CAS在高密度三維DRAM研究方面取得了重大進展中國科學院微電子研究所集成電路制造技術國家重點實驗室的研究團隊，與北京超弦存儲技術研究院（SAMT）和山東大學合作，提出了一種新型雙門4F2 2T0C存儲單元架構。通過采用原位金屬自氧化工藝，該技術實現了4F2存儲單元內讀寫晶體管的自對齊集成。結合多層存儲技術，它可以進一步提高存儲密度。圖 1 4F2 雙門 2T0C 內存陣列的示意
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- 半導體和電子設計自動化（EDA）行業在2025年經歷了重大整合，主要由向下一代耗電量大的AI數據中心芯片轉型推動。Synopsys完成了350億美元收購Ansys的物理建模交易，特別是芯片組建模，而Marvell則收購了Celestial AI，負責芯片間光互連。在年底，英偉達宣布將收購人工智能公司Groq的技術，將本地語言處理帶入其圖形處理單元（GPU）。最大的一筆交易無疑是Synopsys于7月完成收購Ansys物理建模工具，這一舉措曾被英國、歐洲和中國的監管機構拖延超過一年。Keysight Tec
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- 隨著計算技術的進步，越來越多的先進芯片應運而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統光源波長已無法在如此精細的尺度上實現可靠的圖形光刻。這一挑戰并非新題 —— 半導體行業長期以來一直使用深紫外光刻（DUV）技術在硅片上進行光刻加工。但要實現最先進芯片設計的納米級精度，就需要波長更短的光源。這種光源及對應的光刻技術被稱為極紫外光刻（EUV）。中國 EUV 原型機提前問世圖注：更短、更精準、更纖薄：技術的巨大飛躍，蔡司（ZEISS）數據顯示，EUV 技術制造的結構精度達 13.5 納米，比人
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- 在不斷追求更小的節點和更強大的微處理器的過程中，半導體行業以絕對純粹為基礎運作。每一種材料、每一個工藝和每一個變量都必須以微觀級的精確度進行控制。其中，超純水（UPW）是最關鍵且使用最廣泛的化學物質。它是晶圓廠的命脈，幾乎貫穿晶圓制造的每一個階段，從清洗、蝕刻到洗滌。這些水的質量直接影響設備性能、制造良率，最終影響盈利能力。幾十年來，行業一直依賴已建立的方法來監測UPW質量。然而，隨著器件架構縮小到10納米門檻以下，這些傳統方法中的一個關鍵漏洞變得顯現。存在一個“計量學缺口”，納米顆粒和溶解分子污染物因太
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- 一家依托美國《芯片與科學法案》資助、致力于芯片制造數字孿生技術研發的研究中心負責人，已通知該中心 121 家成員單位：美國商務部將終止其價值 2.85 億美元的五年期資助合同。據其官網介紹，SMART USA 研究所的目標是整合高校與企業實驗室資源，打造 “虛擬制造復現模型”，計劃實現三大核心目標：將芯片研發與制造成本降低 35% 以上、縮短 30% 的制造工藝開發周期、提升 40% 的生產良率。同時，該研究所還計劃在五年內培養 11 萬名專業技術人員。這是自 2025 年 1 月特朗普政府換屆以來，聯邦
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- Imec在將固態納米孔技術從實驗室帶入大規模生產方面邁出了重要一步。在IEDM 2025上，比利時研發中心展示了首次成功利用極紫外（EUV）光刻技術在晶圓級制造固態納米孔。這一發展凸顯了前沿CMOS工藝在主流芯片擴展之外的應用。極紫外光刻正作為新型設備類別的推動力，包括醫療應用中的固態生物傳感器。從實驗室規模的孔隙到300毫米晶圓納米孔徑僅有幾納米，制造商將其蝕刻在薄膜上，通常是氮化硅。在浸液膜上施加電壓，使單個分子通過孔隙并產生特征性電信號。這使得納米孔成為單分子檢測（包括DNA、蛋白質和病毒）的強大工
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- 對于從事有線或無線頻譜幾乎任何部分工作的電氣工程師來說，頻譜分析儀是一個關鍵的測試和測量工具。對于光學工程來說，對應的工具是光譜儀，隨著電子學和光學的接口、融合和重疊，光譜儀正日益成為電氣工程師的重要工具。雖然無線和光學都處理電磁能量，但實際上它們各自的射頻和光學波段屬性和對應的傳感器有很大差異。即使關鍵參數——光譜每個定義切片的能量——是相同的，情況依然如此。傳統上，能夠在寬光帶高分辨率工作時，需要配備濾光片、光柵和傳感器的布置，這增加了復雜性和成本。微型光譜儀可能會引領掌上型設備材料的新發展正在重新定
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微型光學光譜儀 半導體
- 根據SEMI最新的行業預測，全球半導體制造設備銷售額正創下歷史新高。主要由人工智能相關投資推動，市場預計將連續三年增長，直至2027年。這一前景預示了資本支出、技術優先事項和制造業實力的走向。設備支出趨勢常預示著芯片設計、封裝策略和供應鏈重點在歐洲及其他地區的變化。設備市場進入新的增長階段SEMI預計2025年全球OEM半導體設備銷售額將達到1330億美元，同比增長13.7%，隨后在2026年達到1450億美元，2027年達到1560億美元。如果實現，這將是該行業首次突破1500億美元的門檻。據SEMI稱
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- 幾十年來，半導體的進展以納米級不斷減少為單位來衡量。但隨著晶體管擴展放緩，瓶頸已從器件轉向互連，先進封裝成為新的前沿。帶TSV的硅中介體實現了密集的2.5D集成，縮短了信號路徑，并支持遠超基板和線鍵所能提供的帶寬。這一發展的下一波趨勢反直覺：更大的TSVs——寬達50μm、深300μm——刻蝕在更厚的中介體中，帶來更好的電氣性能、穩健的功率輸出、更好的熱處理能力和更高的制造良率。從線鍵到中介體半導體互連技術的發展始于引線鍵合，這一技術曾是 20 世紀的標準互連方案。隨后倒裝芯片封裝技術應運而生，進一步縮小
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半導體 中介體 擴展硅通孔
- 半導體技術正持續高速發展，微型化進程尤為顯著。首款集成電路僅集成 16 只晶體管，特征尺寸為 40 微米（即 40000 納米），約為人類頭發直徑的一半。如今的集成電路已可集成數十億只晶體管，制造工藝精度正朝著埃米量級邁進。2025 年下半年，最先進制程節點（即晶體管尺寸）將達到 1.8 納米（18 埃）。作為對比，一個硅原子的直徑為 2.1 埃。到 2027 年，制程節點預計將進一步縮小至 14 埃 。然而，無論是傳統電子設備，還是自動駕駛、人工智能、大數據、云計算、物聯網等對存儲與算力需求龐大的新興領
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半導體 彈性體 表面處理
- 中國一直在加強半導體設備的技術自給自足，這一轉變越來越被視為對韓國企業的壓力。據韓京引述消息稱，中國政府正通過所謂的“50%規則”鼓勵國內工具的采用，該規則要求芯片制造商為進口的每臺外國產品購買一把本地制造的工具。報告援引業內消息稱，盡管中國繼續從歐洲及其他地區采購不可替代的設備，韓國制造的工具正越來越多地被成本較低的中國替代品所取代。因此，韓國設備制造商成為50%規則影響最嚴重的行業之一。報告稱，Zeus上半年銷售額為2845億韓元，同比下降14%，而同期GST收入下降1.65%，至2549億韓元，盡管
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半導體 華為 微電子
- 電子產品長期以來一直以其永久性為特征。即使使用壽命結束，材料仍會在填埋場中停留多年甚至數十年。瞬態電子設備采用無常性，這些器件被設計成工作一段時間后消失，暴露于水、熱或光時溶解為安全的副產物。電子技術的發展速度比以往任何時候都快，因此老舊電子產品很快就會變得過時或不受歡迎。雖然電子技術的發展有明顯的好處，但電子產品的快速更換每年會有數百萬設備被送往填埋場。預計到2030年全球電子廢棄物將增至8200萬噸，研究人員尋求更可持續的替代方案。瞬態電子技術有助于推動新設備的循環經濟，同時推動我們通過新的電子應用提
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