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臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺...

臺積電 3納米 2025-06-25

Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展

美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Pa...

Finwave 短期投資 2025-05-15

“最后也是最好的FINFET節(jié)點”

在該公司的北美技術(shù)研討會上，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制...

FINFET TSMC 2025-04-27

臺積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開蘋果首發(fā)

3月31日消息，據(jù)媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預(yù)計今年下半年正式進入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺積電已經(jīng)做到了高達60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5...

臺積電 2nm 2025-04-01

英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵

在上周的VLSI研討會上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶代工服務(wù)的基礎(chǔ)。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使...

英特爾 FinFET 2024-06-26

Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進程、提供同...

Dolphin Design 12納米 2024-02-22

晶體管進入納米片時代

3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。...

FinFET 2024-02-05

新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設(shè)計解決方案。●? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率。●? ?集成的設(shè)計流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真...

新思科技是德科技 2023-10-30

是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設(shè)計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設(shè)計效率，實現(xiàn)更準確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市...

是德科技新思科技 2023-10-11

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。...

晶體管 3D 晶體管 2023-07-17

IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭

近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計劃。外媒報導(dǎo)，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)...

IMEC 1nm 2023-05-31

恩智浦攜手臺積電推出首創(chuàng)汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

● 恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸● ...

恩智浦臺積電 2023-05-22

ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI

意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點，包...

FD-SOI GAAFET 2022-08-19

Intel 4制程技術(shù)細節(jié)曝光具備高效能運算先進FinFET

英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術(shù)細節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩...

Intel 4 制程技術(shù) 2022-07-05

5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (ime...

泛林 5nm 2022-05-05

為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼。基本上半導(dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是Fi...

CMOS FinFET ST 2021-08-10

中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬片

中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達...

中芯國際 FinFET 2021-08-08

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。...

3nm FinFET GAA FET 2021-05-26

新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

要點：用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR...

新思科技 12LP+FinFET 2020-10-22

格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對AI進行優(yōu)化

半導(dǎo)體代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進的FinFET解決方案「12LP+」已通過技術(shù)驗證，目前準備投入生產(chǎn)。格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對AI訓(xùn)練以及推論應(yīng)用進行優(yōu)化。本...

格羅方德 12LP+ 2020-07-05

微縮實力驚人臺積3納米續(xù)沿用FinFET晶體管制程

由于世界前兩大的半導(dǎo)體廠都相繼宣布投入GAA的懷抱，因此更讓人篤定，也許3納米將會是GAA的時代了，因為至3納米制程，F(xiàn)inFET晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進入下個世代。 ...

微縮臺積電 2020-06-04

燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺的“邃思”芯片的人工智能訓(xùn)練解決方案云燧T10

在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對數(shù)據(jù)中心培訓(xùn)的高性能深度學(xué)習(xí)加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝...

FinFET 2.5D 2019-12-13

新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術(shù)上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDM...

新思臺積合 2019-11-12

格芯針對人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案

晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決...

格芯人工智慧應(yīng)用 2019-11-07

Mentor 擴展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)

　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm...

Mentor FinFET 2018-11-15

格芯擴展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實現(xiàn)未來智能系統(tǒng)

　　格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設(shè)計、開發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日，格芯在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動應(yīng)用推出8SW ...

格芯 FinFET 2018-09-28

GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點基礎(chǔ)上，向外擴展應(yīng)用領(lǐng)域

　　自從28納米制程節(jié)點向下轉(zhuǎn)進以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉(zhuǎn)進1...

GF FinFET 2018-09-05

格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā)，接下來要發(fā)大招？

和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。...

格芯 7nm 2018-08-29

FinFET對動態(tài)功耗的影響

現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀錄的速度實現(xiàn)了從設(shè)計到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因為與平面器件相...

FinFET 動態(tài)功耗 2018-08-23

中芯國際14納米FinFET制程開始客戶導(dǎo)入，Q2營收同比增長18.6%

　　9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程...

中芯國際 14納米 2018-08-10

利用FinFET優(yōu)勢的六種方式

為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢，必須要求我們的設(shè)計人員將有相關(guān)工藝知識的設(shè)計戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結(jié)合，其中包括了標準...

FinFET synopsys 2018-08-02

FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗

隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分...

FinFET 布線 2018-07-30

三星侵犯大學(xué)專利，賠償金或高達4億美元

　　近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_4億美元。　　據(jù)了解，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝...

三星 FinFET 2018-06-20

掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應(yīng)用原理，了解每一顆芯片生產(chǎn)背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。...

芯片 FinFET 2018-06-06

胡正明：技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍

　　“半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷由技術(shù)推動到需求推動的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新，可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時表示。　　自196...

FinFET 7納米 2018-05-21

7nm或?qū)⒁?018年手機市場，國產(chǎn)手機岌岌可危

在2018年，如果蘋果新一代產(chǎn)品應(yīng)用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或?qū)⒊蔀橐粓鲂蕊L血雨;而對于整個產(chǎn)業(yè)來說，或?qū)⒊蔀檗D(zhuǎn)折點;對于我們消費者來說，當然是件好事情。...

7nm FinFET 2018-01-10

格芯技術(shù)大會攜最新技術(shù)突出中國市場重要地位

近日，格芯2017技術(shù)大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心...

GTC FDSOI 2017-11-09

詳解先進的半導(dǎo)體工藝之FinFET

詳解先進的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。...

FinFET 半導(dǎo)體工藝 2017-10-13

三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV

　　隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數(shù)制程技術(shù)的競爭就正式進入白熱化的階段。臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計在 201...

三星 FinFET 2017-10-07

FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成

　　FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國...

FinFET 物聯(lián)網(wǎng) 2017-09-28