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GAA晶體管市場規模、份額和趨勢預測（2034）

全方位柵極（GAA）晶體管市場規模是多少？2024年全球柵極全環（GAA）晶體管市場規模為6.0005億美元，預計將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復合年...

GAA 晶體管 2025-09-30

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12

瑞薩電子推出用于AI數據中心、工業及電源系統的全新GaN FET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和...

瑞薩電子 AI數據中心 2025-07-08

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型...

瑞薩 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高電壓的衛星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛星制造商過渡到更高電壓的電源總...

GaN FET 衛星電源 2025-07-01

探索TI GaN FET在類人機器人中的應用

類人機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內空間受限最大...

TI GaN 2025-06-15

GaN FET在人形機器人中的應用

引言人形機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限...

GaN FET 人形機器人 2025-04-29

臺積電推1.4nm 技術：第2代GAA晶體管，全節點優勢2028年推出

臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節點將依賴其第二代全環繞柵極（GA...

臺積電 1.4nm 2025-04-24

日本半導體巨頭Rapidus加速推進2nm工藝預計2027年實現量產

新興半導體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴大其 2nm 研發力度，因為它看到了科技巨頭的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術，使其成為業內獨一無二的實現。半導體供應鏈長期...

日本半導體 Rapidus 2025-04-08

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。...

cascode FET 2025-03-26

Nexperia擴展GaN FET產品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業...

Nexperia GaN FET 2025-03-19

緩沖反激式轉換器

本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉換器，探討如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉換器導通時緩沖輸出整流器的電壓。現在，我們看一下如何在反激式轉換器中緩沖 FET ...

FET 反激式轉換器 2024-12-10

用Python自動化雙脈沖測試

電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動...

202411 寬禁帶 2024-10-18

拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了...

三星 Galaxy Watch 7 2024-07-19

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應...

202407 太陽能 2024-07-15

拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術

美中貿易戰沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產業，針對最新的環繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。美國財經...

GAA 臺積電 2024-06-13

GaN FET讓您實現高性能D類音頻放大器

D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現優越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考...

GaN FET D類音頻放大器 2024-04-10

測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路...

氮化鎵 FET 2024-04-09

EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET

全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上...

EPC 1mΩ 2024-03-05

適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合...

自主駕駛 LiDAR 2024-02-27

三星Exynos 2500芯片試產失敗：3nm GAA工藝仍存缺陷

最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯...

三星 Exynos 2024-02-07

消息稱三星 3nm GAA 工藝試產失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號

2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 ...

三星 3nm GAA 2024-02-02

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能

中國北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 ...

Qorvo SiC FET 2024-01-30

臺積電2nm制程進展順利晶圓廠最快4月進機

臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產之后，研發和量產的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現量產。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展...

臺積電 2nm 2024-01-18

EPC GaN FET可在數納秒內驅動激光二極管，實現75~231A脈沖電流

宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181...

EPC GaN FET 激光二極管 2024-01-18

臺積電2納米驚爆大弱點？三星搶訂單

臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術與訂單仍保持一定優勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉進GAA技術，三星還是得向臺積電看齊學...

臺積電 2納米 2023-12-18

日立高新技術公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統

日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低...

日立高新測試測量 2023-12-13

Nexperia針對工業和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年...

Nexperia SMD 2023-12-11

FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優點，對于此類傳感器的研究和開發進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時診斷，環境應用，以...

泰克科技 FET 2023-11-21

EPC新推100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器,用于電動自行車、機器人和無人機

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。&nbs...

EPC GaN FET 2023-11-08

GAA技術才開始，半導體大廠已著手研發下一代CFET技術

外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內最可能接替全環繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將...

GAA CFET 2023-10-07

更小、更快、更節能，半導體芯片迎大突破

最先進的電子硬件在大數據革命面前都顯得有些“捉襟見肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個方面。隨著數據集的存儲、搜索和分析越來越復雜，這些設備就必須變得更小、更快、更節能，以跟上數據創新的步伐。鐵電場效應晶體管（F...

半導體芯片 FE-FET 2023-07-17

三星向外界公布 GAA MBCFET 技術最新進展

三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導體展會 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術的最新進展以及對 SRAM 設計的影響。3納米GAA MBCFET的優越性GAA指的是晶體...

三星 GAA 2023-06-27

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發布了一款高性能、低成本的驅動器解...

Transphorm SuperGaN FET 2023-06-16

使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開爾文連接技術以解決電感問題。這篇博客文章...

Qorvo 開爾文 2023-05-31

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動器參考設計

基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實現更長的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅...

EPC GaN FET 2023-05-11

Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級...

Nexperia E-mode GAN FET 2023-05-10

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性

當今行業中發現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET...

柵極 FET 2023-04-10

連接與電源：新Qorvo為行業提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向...

Qorvo Matter 2023-03-28

GAA FET