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應(yīng)用材料晶體管與布線創(chuàng)新技術(shù)，助力打造更快的人工智能芯片

半導(dǎo)體行業(yè)材料工程領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)應(yīng)用材料公司今日推出全新的沉積、刻蝕及材料改性系統(tǒng)，大幅提升 2 納米及更先進(jìn)制程前沿邏輯芯片的性能。該系列技術(shù)通過(guò)對(duì)電子領(lǐng)域最基礎(chǔ)的構(gòu)建單元 —— 晶體管進(jìn)行原子級(jí)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)人工智能計(jì)算...

應(yīng)用材料晶體管 2026-02-13

這種“二維”晶體管工藝能否改變邏輯和功率器件的生產(chǎn)？

CDimension最近發(fā)布了一項(xiàng)技術(shù)，使傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓廠能夠使用超薄半導(dǎo)體材料制造垂直集成的極小、快速且高效的“二維”晶體管陣列。它有潛力改變數(shù)字和功率器件的可能性。據(jù)公司介紹，它已經(jīng)幫助多家芯片制造商探索如何將技術(shù)應(yīng)...

CDimension 二維 2026-01-23

英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)晶體管，推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新

簡(jiǎn)介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規(guī)級(jí)晶體管，并開(kāi)始提供符合AEC-Q101汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規(guī)級(jí)晶體管及多種雙向開(kāi)關(guān)。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業(yè)不斷變化的...

英飛凌 CoolGaN 100V G1系列 2026-01-16

跟上人工智能的步伐：為什么全環(huán)門晶體管是答案

人工智能（AI）已成為當(dāng)今半導(dǎo)體擴(kuò)展的工作負(fù)載。無(wú)論是在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練基礎(chǔ)模型，還是在網(wǎng)絡(luò)邊緣執(zhí)行嚴(yán)格功耗范圍的推理，人工智能都依賴于單位面積內(nèi)裝入更多晶體管，同時(shí)降低每次作的功耗。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，更高的密度和效率等...

人工智能半導(dǎo)體 2026-01-15

Imec推動(dòng)未來(lái)邏輯擴(kuò)展的二維材料器件技術(shù)

Imec在本周的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM 2025）上公布了二維材料晶體管集成的兩項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展，重點(diǎn)介紹了采用單層WSe?和與行業(yè)合作伙伴共同開(kāi)發(fā)的新型晶圓廠兼容工藝模塊的創(chuàng)紀(jì)錄性能p型場(chǎng)效應(yīng)晶體效應(yīng)晶體管。這項(xiàng)...

晶體管場(chǎng)效應(yīng) 2025-12-19

垂直氮化鎵晶體管：起飛時(shí)間

垂直 GaN 晶體管有很多話要說(shuō)。與其水平兄弟產(chǎn)品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時(shí)提供卓越的可靠性并簡(jiǎn)化熱管理。然而，初創(chuàng)企業(yè)將垂直氮化鎵晶體管商業(yè)化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業(yè)上取得了成功，部...

氮化鎵晶體管 2025-11-10

GAA晶體管市場(chǎng)規(guī)模、份額和趨勢(shì)預(yù)測(cè)（2034）

全方位柵極（GAA）晶體管市場(chǎng)規(guī)模是多少？2024年全球柵極全環(huán)（GAA）晶體管市場(chǎng)規(guī)模為6.0005億美元，預(yù)計(jì)將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復(fù)合年...

GAA 晶體管 2025-09-30

麻省理工學(xué)院工程師用磁性材料制造晶體管

我們當(dāng)中一定年齡的人仍然記得每一代新一代視頻游戲機(jī)的發(fā)布所帶來(lái)的圖形的巨大改進(jìn)。與最初的 NES 相比，超級(jí)任天堂是一個(gè)巨大的飛躍，與超級(jí)任天堂相比，任天堂 64 同樣是一個(gè)巨大的升級(jí)。但如今，當(dāng)更新的硬件發(fā)布時(shí)，很難區(qū)...

麻省理工學(xué)院磁性材料 2025-09-26

雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性

在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評(píng)估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對(duì)表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開(kāi)...

雙脈沖測(cè)試晶體管 2025-05-12

臺(tái)積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)2028年推出

臺(tái)積電公布了其 A14（1.4 納米級(jí)）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢(shì)。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴其第二代全環(huán)繞柵極（GA...

臺(tái)積電 1.4nm 2025-04-24

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方...

英飛凌肖特基二極管 2025-04-22

單相整流

整流是通過(guò)固態(tài)半導(dǎo)體器件將交流電源連接到直流負(fù)載的過(guò)程。整流通過(guò)二極管、晶閘管、晶體管或轉(zhuǎn)換器將振蕩的正弦交流電壓源轉(zhuǎn)換為恒定的直流電壓供應(yīng)。這一整流過(guò)程可以采取多種形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，將單相或三相...

單相整流二極管 2025-03-06

功放的ABCD類

1、純Class A（甲類）功率放大器純甲類功率放大器又稱為A類功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類功率放大器工作時(shí)，晶體管的正負(fù)通道不論有或沒(méi)有信號(hào)都處于常開(kāi)狀態(tài)，這就意味著更多的...

功率放大器模擬電路 2024-10-14

麻省理工學(xué)院：新型晶體管以納秒級(jí)速度開(kāi)關(guān)

新的晶體管技術(shù)可能會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品產(chǎn)生重大影響。...

晶體管 2024-08-07

基于運(yùn)算放大器和晶體管的模擬方波發(fā)生器設(shè)計(jì)

模擬振蕩器電路通常用于產(chǎn)生用于同步電路定時(shí)的方波時(shí)鐘信號(hào)。本文介紹了模擬方波發(fā)生器的理論、設(shè)計(jì)和關(guān)鍵特性。許多電子系統(tǒng)需要定時(shí)機(jī)制。這通常是通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)完成的，時(shí)鐘信號(hào)是特定頻率的方波。對(duì)于許多應(yīng)用，時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)方波振...

運(yùn)算放大器晶體管 2024-07-31

下一代半導(dǎo)體：二維材料未來(lái)7年路線圖

二維材料從研究到工業(yè)應(yīng)用的轉(zhuǎn)變帶來(lái)了各種挑戰(zhàn)。...

晶體管二位材料 2024-07-09

晶體管施密特觸發(fā)器工作原理，圖文+實(shí)際案例

今天給大家分享的是：晶體管施密特觸發(fā)器工作原理。施密特觸發(fā)器是一種邏輯輸入類型，可為上升沿和下降沿提供遲滯或兩個(gè)不同的閾值電壓電平。當(dāng)我們想要從有噪聲的輸入信號(hào)中獲取方波信號(hào)時(shí)，使用晶體管施密特觸發(fā)器，可以避免錯(cuò)誤。晶體...

晶體管施密特觸發(fā)器 2024-07-03

還不會(huì)設(shè)計(jì)晶體管施密特觸發(fā)器？不要錯(cuò)過(guò)

今天給大家分享的是晶體管施密特觸發(fā)電路設(shè)計(jì)。主要是關(guān)于：1、晶體管搭建的施密特觸發(fā)器2、如何設(shè)計(jì)晶體管施密特觸發(fā)電路？3、怎么改進(jìn)晶體管施密特觸發(fā)電路一、施密特觸發(fā)器有什么作用？施密特觸發(fā)器是一個(gè)決策電路，用于將緩慢變化...

晶體管施密特觸發(fā)器 2024-06-21

使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫(kù)中預(yù)加載的nmos4和...

CMOS MOSFET 2024-06-18

幾年的原理圖沒(méi)白干，總結(jié)了這么多晶體管的應(yīng)用知識(shí)~

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：B...

晶體管電路設(shè)計(jì) 2024-05-24

一文讀懂｜晶體管是怎么來(lái)的

現(xiàn)在，3nm制程工藝的CPU已經(jīng)在大面積使用了。那么，你知道芯片里面這個(gè)3nm晶體管是怎么來(lái)的嗎？它到底有什么神奇功能？1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖...

晶體管 2024-05-16

研究人員開(kāi)發(fā)出新型 2D 晶體管，可模仿蝗蟲(chóng)大腦實(shí)現(xiàn)避障

IT之家 4 月 23 日消息，印度理工學(xué)院孟買分校和倫敦國(guó)王學(xué)院的研究人員合作開(kāi)發(fā)了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲(chóng)的神經(jīng)元來(lái)實(shí)現(xiàn)避障功能，有望降低未來(lái)人工智能的能源消耗。圖源 Pexels自動(dòng)駕駛和機(jī)...

晶體管人工智能 2024-04-23

通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

晶體管 BJT 2024-04-10

基礎(chǔ)知識(shí)之晶體管

一、晶體管的功能晶體管具有放大和開(kāi)關(guān)電信號(hào)的功能。比如在收音機(jī)中，會(huì)擴(kuò)大（放大）空中傳輸過(guò)來(lái)的非常微弱的信號(hào)，并通過(guò)揚(yáng)聲器播放出來(lái)。這就是晶體管的放大作用。另外，晶體管還能僅在事先確定的信號(hào)到達(dá)時(shí)才工作，這時(shí)發(fā)揮的是...

晶體管 2024-03-21

模擬集成電路設(shè)計(jì)中的MOSFET非理想性

MOS晶體管表現(xiàn)出理想模型所沒(méi)有的各種二階效應(yīng)。為了設(shè)計(jì)在現(xiàn)實(shí)世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結(jié)構(gòu)和工作區(qū)域。我們討論的模型描繪了一個(gè)理想的MOSFET，...

MOSEFT 晶體管 2024-01-18

萬(wàn)億級(jí)晶體管芯片之路

臺(tái)積電、英特爾都在規(guī)劃如何走向萬(wàn)億級(jí)晶體管。...

晶體管 2024-01-16

必看！IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總！

01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管...

IGBT 晶體管 2024-01-03

IBM展示了首個(gè)針對(duì)液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管

IBM在2023年12月早些時(shí)候的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上展示了首個(gè)針對(duì)液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級(jí)研究員鮑汝強(qiáng)表示：“納米片器件結(jié)構(gòu)...

IBM 芯片 2023-12-22

GaN晶體管尺寸和功率效率加倍

無(wú)論是在太空還是在地面，這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。...

GaN 晶體管 2023-10-07

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？

如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 ...

氮化鎵晶體管 2023-09-14

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。...

晶體管 3D 晶體管 2023-07-17

晶體管的第一個(gè)76年：變小了，卻變大了？

1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個(gè)能正常工作的晶體管時(shí)，他們未曾想到，晶體管如今會(huì)成為電子產(chǎn)品的最重要組成部分。晶體管被譽(yù)為2...

新思科技晶體管 2023-06-21

雙極結(jié)型晶體管的電流增益

如果您施加一個(gè)足夠高的電壓 V IN以正向偏置基極-發(fā)射極結(jié)，電流將從輸入端流過(guò) R B，通過(guò) BE 結(jié)，到達(dá)地。我們稱之為 I B。電流還將從 5 V 電源流經(jīng) R C...

晶體管 2023-06-09

意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級(jí)STripFET F8晶體管

2023 年 5 月 24 日，中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。&...

意法半導(dǎo)體 STripFET F8 2023-05-24

短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種...

MOS 晶體管 2023-05-22

干貨總結(jié)｜晶體管的應(yīng)用知識(shí)

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。...

晶體管 2023-03-28

妙趣橫生的電子小知識(shí)　第1篇：初識(shí)晶體管

本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)和各種小知識(shí)。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛，涵蓋從基礎(chǔ)知識(shí)到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人，但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了...

ROHM 晶體管 2023-03-03

基于晶體管VBE 的振蕩器測(cè)量溫度

模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書(shū)籍和應(yīng)用筆記是（并將繼續(xù)是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設(shè)計(jì)難題的喜悅的無(wú)底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫(xiě)作風(fēng)格中。這里介紹的設(shè)計(jì)思想源自他發(fā)表在 AN45...

晶體管 VBE 2023-02-21

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管，集成度翻倍并實(shí)現(xiàn)卓越性能

IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開(kāi)的電子型和空穴型晶體管形成互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計(jì)算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，大家最常見(jiàn)的案...

復(fù)旦大學(xué) 晶體管 2022-12-12

放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

放大器晶體管 2022-11-25