99国产精品国产精品九九,狠狠色噜噜狠狠狠8888米奇,国产精久久一区二区三区

GAA晶體管市場規(guī)模、份額和趨勢預(yù)測（2034）

全方位柵極（GAA）晶體管市場規(guī)模是多少？2024年全球柵極全環(huán)（GAA）晶體管市場規(guī)模為6.0005億美元，預(yù)計將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復(fù)合年...

GAA 晶體管 2025-09-30

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

幾十年來，硅一直是電力電子領(lǐng)域無可爭議的領(lǐng)導(dǎo)者。但隨著硅達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進(jìn)展。憑借更快的開關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費(fèi)類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計注意事項

鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和...

瑞薩電子 AI數(shù)據(jù)中心 2025-07-08

瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型...

瑞薩 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總...

GaN FET 衛(wèi)星電源 2025-07-01

探索TI GaN FET在類人機(jī)器人中的應(yīng)用

類人機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機(jī)器人內(nèi)空間受限最大...

TI GaN 2025-06-15

GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限...

GaN FET 人形機(jī)器人 2025-04-29

臺積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢2028年推出

臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴其第二代全環(huán)繞柵極（GA...

臺積電 1.4nm 2025-04-24

日本半導(dǎo)體巨頭Rapidus加速推進(jìn)2nm工藝預(yù)計2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

新興半導(dǎo)體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴(kuò)大其 2nm 研發(fā)力度，因?yàn)樗吹搅丝萍季揞^的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術(shù)，使其成為業(yè)內(nèi)獨(dú)一無二的實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈長期...

日本半導(dǎo)體 Rapidus 2025-04-08

SiC 市場的下一個爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計支持。...

cascode FET 2025-03-26

Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費(fèi)電子、工業(yè)...

Nexperia GaN FET 2025-03-19

緩沖反激式轉(zhuǎn)換器

本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉(zhuǎn)換器，探討如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時緩沖輸出整流器的電壓?，F(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET ...

FET 反激式轉(zhuǎn)換器 2024-12-10

用Python自動化雙脈沖測試

電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動汽車動...

202411 寬禁帶 2024-10-18

拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了...

三星 Galaxy Watch 7 2024-07-19

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應(yīng)用

碳化硅場效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應(yīng)...

202407 太陽能 2024-07-15

拜登政府恐對中國大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。美國財經(jīng)...

GAA 臺積電 2024-06-13

GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器

D類音頻放大器參考設(shè)計(EPC9192)讓模塊化設(shè)計具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考...

GaN FET D類音頻放大器 2024-04-10

測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路...

氮化鎵 FET 2024-04-09

EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上...

EPC 1mΩ 2024-03-05

適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合...

自主駕駛 LiDAR 2024-02-27

三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失敗：3nm GAA工藝仍存缺陷

最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報道詳細(xì)指出，由于Exynos 2500芯...

三星 Exynos 2024-02-07

消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號

2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 ...

三星 3nm GAA 2024-02-02

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能

中國北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 ...

Qorvo SiC FET 2024-01-30

臺積電2nm制程進(jìn)展順利晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備，以確保按計劃順利量產(chǎn)。臺積電進(jìn)入GAA時代的2nm制程進(jìn)展...

臺積電 2nm 2024-01-18

EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管，實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181...

EPC GaN FET 激光二極管 2024-01-18

臺積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單

臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺積電看齊學(xué)...

臺積電 2納米 2023-12-18

日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)

日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低...

日立高新測試測量 2023-12-13

Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年...

Nexperia SMD 2023-12-11

FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，對于此類傳感器的研究和開發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究，即時診斷，環(huán)境應(yīng)用，以...

泰克科技 FET 2023-11-21

EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動器,用于電動自行車、機(jī)器人和無人機(jī)

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計顯著提高了電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。&nbs...

EPC GaN FET 2023-11-08

GAA技術(shù)才開始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)

外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。CFET場效晶體管將...

GAA CFET 2023-10-07

更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破

最先進(jìn)的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲、搜索和分析越來越復(fù)雜，這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能，以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場效應(yīng)晶體管（F...

半導(dǎo)體芯片 FE-FET 2023-07-17

三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進(jìn)展

三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導(dǎo)體展會 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術(shù)的最新進(jìn)展以及對 SRAM 設(shè)計的影響。3納米GAA MBCFET的優(yōu)越性GAA指的是晶體...

三星 GAA 2023-06-27

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解...

Transphorm SuperGaN FET 2023-06-16

使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹(jǐn)慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。這篇博客文章...

Qorvo 開爾文 2023-05-31

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動器參考設(shè)計

基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實(shí)現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)...

EPC GaN FET 2023-05-11

Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級...

Nexperia E-mode GAN FET 2023-05-10

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性

當(dāng)今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因?yàn)樗哂谐錾铱芍噩F(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強(qiáng)靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET...

柵極 FET 2023-04-10

連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向...

Qorvo Matter 2023-03-28

GAA-FET