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IGBT的電流是如何定義的

IGBT的電流是器件基本參數之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設計工程師是遠遠不夠的，而且業內充滿著誤解和流言。流言一：450A...

英飛凌 IGBT 2026-01-27

IGBT模塊工作環境溫濕度條件解析

在散熱器上安裝的IGBT 模塊并非密封設計，盡管芯片上方有一層硅膠，但是水汽仍然可以通過外殼間隙以及硅膠進入器件芯片內部。因此，器件在使用和存儲過程中，必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數IGBT 模塊允許工作的溫濕度...

英飛凌 IGBT 2025-11-14

用于 gen-7 IGBT模塊的硅凝膠

陶氏公司的目標是使用其最新的硅凝膠來開發 IGBT 模塊，以支持 800V 車輛和可再生能源高達 180°C 的運行溫度。“在光伏電池板和風力渦輪機中，逆變器的功率密度正在增加，”該公司表示。“由于第 7 代 IGBT ...

gen-7 IGBT 2025-09-05

雙芯智控革命：IGBT與單片機如何重塑智能微波爐

當傳統微波爐還在依賴笨重的工頻變壓器時，TRinno的IGBT單管與現代ABOV單片機的協同創新，正推動廚房電器進入精準控能時代。這套雙核驅動方案通過半導體技術替代機械結構，不僅讓微波爐體積縮小40%，更實現了從毫秒級功...

IGBT 單片機 2025-08-19

從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設計的關鍵要點與性能優勢解析

隨著全球對能源可持續性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統需求持續攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相...

TI IGBT 2025-07-29

固態隔離器如何與MOSFET或IGBT結合以優化SSR？

固態繼電器（SSR）是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調（HVAC）設備、工業過程控制、航空航天和醫療系統。固態隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離。基...

固態隔離器 MOSFET 2025-07-22

英飛凌推出用于電動汽車的新一代高功率節能型IGBT和RC-IGBT芯片

隨著純電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）銷量的快速增長，電動汽車市場的發展在不斷加速。預計到?2030?年，電動汽車的生產比例將實現兩位數增長，從2024年的20%增長至45%左右[1]。為滿足對高壓...

英飛凌 IGBT 2025-06-21

R課堂 | IGBT IPM的熱關斷保護功能（TSD）

關鍵要點BM6337xS系列配備了可監控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關斷電路，當LVIC的 T j 達到規定溫度以上時，熱關斷電路將啟動，會關斷下...

羅姆半導體 IGBT 2025-06-11

英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調電源方案

這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優勢。例如提高效率和信號質量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅動器和碳化硅二極管在內的完整 In...

英飛凌 ICE3PCS01G 2025-05-16

能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術優勢

在消費電子市場高速發展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續推動家電產品能效升級。安世半導體推出的650 V G...

安世半導體 IGBT 2025-05-08

詳解IGBT工作原理

大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS ...

IGBT 功率半導體 2025-04-22

IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產品

英飛凌在此發布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產品拓展，帶焊接針和帶預涂導熱材料版本(TIM)。產品型號：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■&nbs...

英飛凌 IGBT 2025-04-11

R課堂 | IGBT IPM的錯誤輸出功能（FO）

關鍵要點?FO引腳為錯誤輸出功能引腳，用于向外部通知內置保護功能的啟動情況，并會為自我保護而關斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時間因已啟動的保護功能類型而異，因此可以判別已啟動了哪種保護功能。這是本機型產...

羅姆半導體 IGBT 2025-03-28

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

IGBT是一種功率開關晶體管，結合了MOSFET和BJT的優點，用于電源和電機控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）是傳統雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（MOSFET）的交叉產物，使其成為理想的半導體開關器...

絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 2025-03-04

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(英飛凌芯片簡史 http://cqxgywz.com/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽...

IGBT 電力電子 2025-02-18

英飛凌芯片簡史

話說公元2018年，IGBT江湖驚現第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數代當家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰是誰?呃，雖然這些...

IGBT 芯片 2025-02-18

電子技術如何助力高鐵節能？

鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據說其每單位運輸量的CO?排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網對運輸基礎設施的節能有很大的推動作用。一直以來，高速鐵路網在發達國家運輸基礎設施中...

碳中和逆變器 2025-01-10

被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業內獨特的領先優勢。解密FS...

功率半導體 onsemi 2024-12-20

意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用...

意法半導體電隔離柵極驅動器 2024-11-14

Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續發展、電動出行和數據中心應用而優化設計

為滿足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種...

Microchip IGBT 7 2024-11-13

采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案

本文由英飛凌科技的現場應用工程師Marcel Morisse與高級技術市場經理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環境的負面影響。在這一至關重...

英飛凌 IGBT 2024-10-29

功率模塊選得好，逆變器高效又可靠

全球正加速向電氣化轉型，尤其是在交通和基礎設施領域。無論是乘用車還是商用/農業車輛(CAV)，都在轉向電動驅動。國際能源署(IEA)2022 年的數據顯示，太陽能發電量首次超過風電，達到1300TWh。轉換能量需要用到逆...

QDual3 電源轉換 2024-09-25

更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊

摘要本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制載流子的等離子體層（...

三菱電機 IGBT 2024-09-25

IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現高性價比電驅

引言近幾年新能源車發展迅猛，技術創新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續航里程一直是研發技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。當前新能源汽車牽引逆...

英飛凌 IGBT 2024-09-11

高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析，一文get√

高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器，可能會產生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路（HVIC）是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵...

MOSFET IGBT 2024-09-09

什么是IGBT的退飽和（desaturation）？什么情況下IGBT會進入退飽和狀態？

如下圖，是IGBT產品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態分為三個部分：1、關斷區：CE間電壓小于一個門檻電壓，即背面PN結的開啟電壓，IGBT背面PN結截止，無電...

IGBT 2024-09-03

一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算，圖文結合+計算公式步驟

今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結溫計算。與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個...

IGBT 損耗 2024-07-11

安森美第7代IGBT模塊協助再生能源簡化設計并降低成本

安森美(onsemi) 最新發布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模...

安森美 IGBT 2024-06-13

一文搞懂IGBT

01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的...

IGBT 功率半導體 2024-05-31

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用...

SiC MOSFET IGBT 2024-05-22

Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅動器

深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅動器，適配單個LV100（三菱）、XHPTM 2（英飛凌）、HP...

Power Integrations IGBT 2024-05-22

從零了解汽車電控IGBT模塊

當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需要引起行業內的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件...

汽車電控 2024-04-23

車規級IGBT模塊,持續放量

3 月 28 日的發布會上，小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時，雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創始版。創始版除可選標準版及 Max 版基本配置外，還有專屬車標、配件等權益。由于提前生產，...

IGBT 2024-04-22

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate l...

雜散電感 SiC 2024-04-18

柵極環路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

IGBT SiC 2024-04-18

一鍵解鎖熱泵系統解決方案

熱泵是一種經過驗證的、提供安全且可持續供暖的技術，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術。盡管逆循環熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到...

熱泵供暖 2024-04-12

意法半導體隔離柵極驅動器：碳化硅MOSFET安全控制的優化解決方案和完美應用伴侶

意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP...

STGAP MOSFET 2024-04-12

基礎知識之IGBT

什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是　“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件...

功率半導體 IGBT 2024-03-22

IGBT驅動電路介紹

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率...

IGBT 電路設計 2024-02-29

IGBT如何進行可靠性測試？

在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯的，可靠性體現為在產品預期壽命內的長期質量表現。任何制造商要想維續經營，必須確保產品達到或超過基本的質量標準和可靠性標準。安森美 (onse...

IGBT 可靠性 2024-01-17