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NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨特的技術特性，在工業、汽車等專業領域...

NOR Flash 2026-02-02

卷翻內存市場中國存儲廠商加速擴張產能

全球存儲器市場爆發缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能，原定于2027年量產的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯等帶來競爭壓力，后續...

內存存儲廠商 2026-02-02

芯海科技進軍NOR閃存市場

中國本土芯片企業芯海科技（Cmsemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發布旗下首款閃存產品CMS25Q40A，標志著公司正式且實質性地進軍存儲半導體領域。據報道，該產品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的S...

芯海科技閃存 2026-01-27

三星閃存，漲價100%

周樂/券商中國存儲芯片漲價潮愈演愈烈。據最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠超市場預期。目前三星電子已經著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在...

三星閃存 2026-01-26

三星、SK海力士聯手減產，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

援引市場研究機構Omdia的最新調研成果披露，合計占全球NAND產能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產量從2025年的490萬片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發售價與前代持平，但在高存儲容量版本...

蘋果iPhone 18 原價 2026-01-20

傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度，也是現階段商業產品中最高的，使其成...

三星長江存儲 2026-01-19

NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領域洞察

進入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價保持穩定，基本不受存儲周期性波動影響。同時，市場需求正日益轉向適用于汽車、工業及真無線耳機（TWS）等領域的更高密度SPI NOR產品。更...

NOR Flash MEMS 2026-01-16

存儲還要繼續瘋！英偉達ICMSP讓閃存漲停，黃仁勛要一統存儲處理器

英偉達推出全新推理上下文（Inference Context）內存存儲平臺（ICMSP），通過將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標準化，解決KV緩存容量日益緊張的問題。該平臺于 2026 年國際消...

存儲英偉達 2026-01-16

長江存儲對美國國防部、商務部發起訴訟

據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長江存儲 3D NAND 2025-12-11

1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統成本與功耗

如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統級芯片（SoC）。先進 SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I...

NOR 閃存節能 2025-12-01

今昔對比：磁芯

我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術從未進入商業領域，但在技術層面是可行的。1...

磁芯內存 2025-12-01

三星據報道將在研發部門調整中發布NAND技術，將削減96%的功耗

在內存供應緊張和價格飆升給行業壓力的情況下，據ETNews和News 1報道，三星開發出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數據中心、移動設備及廣泛應用的能效。據報道，11月27日，SAIT（...

NAND 閃存 2025-12-01

低開銷、高安全性的NOR閃存解決方案

ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動以及其他安全功能，如片上認證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內置這些功能的微控制器或微處理器的設計提供安全服務。標準形態意味著存儲芯片...

NOR 閃存 2025-11-25

通過閃存優化的嵌入式文件系統確保智能電表的準確性

智能電表是現代能源基礎設施的核心，支撐動態定價、實時分析和碳核算功能。其有效性完全依賴持續的數據準確性。數據準確性出現任何問題，電力公司都將面臨監管處罰、計費糾紛和運營效率低下等問題。災難性硬件故障易于察覺和追蹤，但大多...

閃存嵌入式文件 2025-11-25

全球首顆混合架構閃存芯片，我國有望顛覆傳統存儲器體系

10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by...

閃存芯片 2025-10-14

美眾議院“中美戰略競爭特別委員會”發布涉華半導體關鍵設備出口調查報告

根據SEMI和SEAJ的數據，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意...

半導體芯片 2025-10-09

內存漲價輪到NOR Flash！第四季全面漲勢更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業界預期，...

內存 NOR Flash 2025-08-26

中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自動駕駛、智能家居系統和工業控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環境數據，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經元行為的神經形態硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發展...

DRAM 閃存 2025-08-21

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產品計劃于?2025?年投入量產，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案...

鎧俠 3D 閃存 2025-07-28

閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯排列以實現高密度存儲，優先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。...

閃存 NAND 2025-05-06

復旦大學研發出史上最快閃存，每秒操作25億次！

近日，復旦大學團隊研發出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現有技術快1萬倍，數據保存年限據實驗外推可達十年以上。相關研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯...

復旦大學閃存 2025-04-23

兆易創新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產品——GD25NE系列。該系列產品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現...

兆易創新 SPI NOR Flash 2025-03-12

SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業級固態硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普...

SK海力士英特爾 2025-03-04

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采...

三星長江存儲 2025-02-27

西部數據宣布完成閃存業務分拆計劃

當地時間2月24日，NAND Flash廠商西部數據（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業務的分拆計劃。圖片來源：西部數據據悉，分拆后的閃存業務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，...

存儲大廠閃存 2025-02-25

兩項閃存技術革新，美光、鎧俠各有動作

DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭...

閃存美光 2025-02-23

從閃存到MRAM：滿足現代FPGA配置的需求

在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對...

閃存 MRAM 2025-02-22

NAND閃存再減產：三星、SK海力士將至少削減10%

據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自202...

NAND 閃存 2025-02-13

NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力...

NAND 三星 2025-01-23

應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存...

三星 NAND 2025-01-13

兆易創新GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認證證書

業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布，旗下GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安...

兆易創新 SPI NOR Flash 2024-11-22

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT...

NAND 閃存存儲 2024-10-15

第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產，意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為...

BiCS FLASH 閃存 2024-08-29

閃存大廠鎧俠IPO又進一步

近日，媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進行IPO。鎧俠預計籌資規模將達到5億美元，如若IPO順利進行，那么其有望成為2024年日本最大規模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來的幾周內啟動其IPO流程，至于I...

閃存鎧俠 2024-08-27

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資，目標明年 6 月投運

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產...

NAND 閃存 2024-08-12

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha ...

NAND 閃存 2024-08-01

通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產線開工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業已實現...

DRAM 閃存 2024-06-19

Omdia：2027 年 QLC 市場規模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omd...

QLC NAND 閃存 2024-06-14

美光：預計臺灣地區地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個位數百分比影響

IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個位數百分比”的影響。美光在臺灣地區設有...

DRAM 閃存 2024-04-12