Imec在下一代3D HBM-on-GPU架構中熱量管理方面取得了重大進展，展示了其系統-技術協同優化（STCO）方法能夠顯著降低AI訓練工作負載下的GPU溫度。該工作本周在2025年IEEE國際電子器件會議（IEDM）上發表并發布，展示了跨層設計策略如何將3D集成計算平臺的峰值熱量從140°C以上降至約70°C。他們中許多人正處于先進封裝、半導體設計和人工智能加速的交叉領域——這些發現為高密度3D架構的可行性以及塑造下一代計算系統的關鍵熱策略提供了寶貴見解。3D HBM配GPU：密度與熱量隨著AI模型不
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新的行業分析認為，人工智能時代正在同時重塑芯片市場的各個環節。來自AMD、英偉達、博通及主要研究機構的越來越多的預測現在顯示，半導體市場將在十年結束前突破萬億美元門檻，這得益于人工智能基礎設施建設的規模，是行業歷史上任何一次擴張的數倍。Creative Strategies的新分析稱這一轉變為“千萬周期”，認為前所未有的AI需求規模正在同時重構計算、內存、網絡和存儲的經濟性。2024年全球半導體收入約為6500億美元，但多方預測現在都將2028年或2029年達到萬億美元。人工智能負責了大部分的向上修正。A
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航天器必須搭載抗輻射（rad-hard）電子設備，因為輻射極易導致電子器件故障。因此，電源管理器件對于為衛星和航天器上的所有電子設備供電至關重要，尤其是當航天器內有宇航員時。例如，深空任務可能會遭遇背景輻射產生的中子、放射性同位素熱電機（RTGs）以及其他有害核輻射源（圖 1）；而近地及大氣層環境中的設備則會受到銀河宇宙射線（GCRs）及其二次輻射的影響。1. 太空環境會引發一系列嚴酷的影響。此外，太空中的長期輻射效應還會影響宇航員和航天器電子設備。總電離劑量（TID）水平將在組件芯片層級接收，計算有源部
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近幾周，中國半導體行業對集成電路（IC）行業的重大資本投資有所增加。上海IC產業投資基金階段II資本增至240.6億元人民幣，增長66%公司注冊數據顯示，上海集成電路產業投資基金階段二號有限公司注冊資本從約145.3億元人民幣增至240.6億元，增長約66%。該基金成立于2020年5月，總部位于上海浦東新區，是一家國家支持的私募股權工具，股東包括上海克洲集團、上海國生集團、上海國際集團、浦東風險投資集團、臨港新區基金、興家股權和浦東新工業投資。以支持中國集成電路產業高質量發展為關鍵承諾，階段II將投資整個
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歐盟委員會一直在就下一階段的歐盟芯片法案進行磋商，以支持整個地區的半導體生態系統。從德國的ZVEI到瑞典半導體和半歐洲的各個行業團體都為歐盟芯片法案2.0的磋商做出了貢獻，強調了第一法案中的關鍵差距和高度官僚化的過程，這減緩了實施速度。例如，最初的《芯片法》設立了處理器和半導體技術聯盟，該聯盟花了兩年多的時間才舉行了第一次會議，成員包括技能、供應鏈、PFAS和汽車工作組。聯盟于3月首次舉行會議，第二次會議于2025年11月舉行，專門討論該法的修訂。盡管如此，根據第一部法案的規定，到 2030 年預計將進行
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半導體是一種電導率介于導體和絕緣體之間的材料。它能夠實現電流的受控流動，使其成為現代電子設備如計算機、智能手機及其他數字系統中的關鍵組成部分。半導體構成了集成電路和微芯片的基礎，這些集成電路和微芯片被廣泛應用于各種技術應用。半導體行業在支持人工智能、電動汽車、無線通信和數據存儲等領域的進步方面發揮著關鍵作用。近年來，增長主要由生成式人工智能和數據中心基礎設施中芯片的需求推動。例如，半導體銷售在2024年增長了約19%，其中與人工智能相關的芯片占當年芯片總銷量的20%以上。總體來看，2023年銷量近一萬億顆
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在對計算霸權的不懈追求中，半導體行業正經歷一個由人工智能無盡需求驅動的變革時期。制造工藝和材料的突破不僅僅是漸進式改進，更是基礎性的轉變，使芯片能夠實現指數級更快、更高效、更強大的芯片。從GAA晶體管的復雜架構，到高數值孔徑（High-NA）極紫外光刻的微觀精度，再到先進封裝的巧妙集成，這些創新正在重塑數字智能的本質。這些進展在2025年12月迅速展開，對于維持人工智能的指數級增長至關重要，尤其是在大型語言模型（LLM）和復雜神經網絡領域。它們承諾釋放前所未有的能力，使人工智能能夠解決此前被認為難以解決的
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結合Z2Data的分析報告，探討爭議中安世半導體涉及的供應鏈暴露出的薄弱環節，以及對依賴其元器件的制造商可能造成的影響。
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圖片來源：Lam Research隨著互補金屬氧化物半導體（CMOS）面積從一個節點縮小到另一個節點50%，互連臨界尺寸（CD）和間距（或間距）需求非常緊張。在N3節點，金屬間距尺寸必須在18納米或以下，主要的互連挑戰之一是確保足夠的工藝裕度以應對CD和邊緣布置誤差（EPE）。實現未來技術節點的CD光柵需要多圖案化方法，如自對齊雙/四/八重圖案（SADP/SAQP/SAOP）和多重光刻蝕（LE）圖案，結合193i光刻甚至極紫外光刻。SEMulator3D虛擬制造技術，作為Semiverse Solutio
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隨著半導體和微電子器件的發展，要求原子級制造精度，材料的純度限制變得極端。在半導體開發的2納米節點，線寬大約有40個原子！其中較為有趣的材料之一是鐵電材料鋁氮化鈧（AlScN），這是一種維爾茲結構的固溶體材料，結合了鋁鎬優越的壓電性能與通過釹摻雜引入的鐵電行為。AlScN已在非易失性存儲器、能量采集、微機電系統（MEMS）、射頻濾波器和光學器件方面展現出突破性潛力。所有應用都需要具有原子級精度的共形超純薄膜。近期，由 Kurt J. Lesker Company、賓夕法尼亞州立大學、麻省理工學院（MIT）
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半導體 微電子器件 超高純度
為實現下一代 PPAC（功率、性能、面積、成本）目標，半導體制造商不斷縮小器件尺寸，采用更復雜的器件結構和更特殊的材料。同時，制造流程需在更極端的溫度下進行，進出工藝腔室的物料流量也持續增加。原子層沉積（ALD）和原子層刻蝕（ALE）等工藝會產生大量熱量，這些熱量需快速排出，以確保晶圓上發生正常的化學反應。隨著器件結構尺寸縮小、復雜度提升，且工藝工程師追求更快的刻蝕速率，工藝過程中產生的熱量不斷增多。由于需要排出的熱量增加，設備原始設備制造商（OEM）對冷水機的制冷溫度要求越來越低。例如，Lam 去年推出
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半導體 晶圓制造 熱回路
專家們在桌上：半導體工程召集了一群專家，討論一些AI工作負載如何更適合設備端處理，以實現穩定性能、避免網絡連接問題、降低云計算成本并確保隱私。小組成員包括Frank Ferro，他是該組織的團體主管。硅Cadence的解決方案組;愛德華多·蒙塔涅斯，副英飛凌PSOC邊緣微控制器與邊緣AI解決方案、物聯網、無線及計算業務總裁兼負責人;Keysight高級總監Alexander Petr;Raj Uppala，市場營銷與合作伙伴高級總監硅Rambus的知識產權;西門子EDA中央人工智能產品經理Niranjan
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在復雜設計中，噪聲關注度日益增長，因為缺乏專門的工具來幫助發現和處理這些問題。
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根據WSTS，2025年第三季度全球半導體市場規模為2080億美元。SI表示，這是市場首次突破2000億美元。2025年第三季度同比增長15.8%，為自2009年第二季度19.9%以來的最高季度同比增長。
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在中國推動半導體自給自足的背景下，華為正準備在11月底推出一系列重大更新。據《上海證券新聞》報道，南華早報預計該科技巨頭將于周五（11月21日）發布一項新的人工智能基礎設施技術，有望將GPU使用率提升至約70%，較當前水平有顯著提升。與此同時，華為中央報道稱，公司將于11月25日發布Mate 80智能手機系列，同時推出新旗艦Kirin 9030芯片組，包括Pro版本。華為的人工智能技術旨在與英偉達抗衡據《南華早報》報道，該技術將實現華為自有芯片、NVIDIA GPU和第三方加速器的計算資源統一管理。值得注
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半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [
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