hbm 邏輯芯片 文章 最新資訊
三星率先交付全球首款商用HBM4，速率從11.7 Gbps提升至13 Gbps
- 就在美光（Micron）剛剛駁斥“HBM4被擱置”的傳聞后，另一家存儲巨頭三星（Samsung）隨即宣布已啟動HBM4的量產(chǎn)，并開始出貨首批商用產(chǎn)品，在這一關鍵市場中取得先發(fā)優(yōu)勢。根據(jù)其新聞稿，三星利用先進的第六代10納米級（1c）DRAM工藝和4納米邏輯芯片制程，從一開始就實現(xiàn)了高良率與峰值性能，無需任何重新設計。值得注意的是，三星強調(diào)其HBM4可穩(wěn)定提供11.7 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，比目前行業(yè)主流的8 Gbps標準快約46%。這也比上一代HBM3E（最高9.6 Gbps）提升了1.22倍。此外，公
- 關鍵字： 三星 HBM
三星HBM4將于農(nóng)歷新年后率先出貨，初期市占率預計約25%
- 隨著英偉達（NVIDIA）計劃于2026年3月中旬在GTC大會上推出下一代AI加速器“Vera Rubin”，三星與SK海力士在HBM4（第四代高帶寬內(nèi)存）領域的競爭正引發(fā)市場高度關注。據(jù)韓聯(lián)社（Yonhap News）和《韓國經(jīng)濟新聞》（Hankyung）報道，三星有望成為全球首家在農(nóng)歷新年后實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)并出貨的廠商，但其初期市場份額預計僅在25%左右。《韓國經(jīng)濟新聞》援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，英偉達已于2025年底初步分配了HBM4的采購份額：SK海力士獲得最大份額，約為55%；三星位居第二，占比約25
- 關鍵字： 存儲 HBM 三星
三星可能在下個月開始為英偉達量產(chǎn)HBM4芯片
- 三星用于人工智能加速器的 HBM3 與 HBM3E 芯片此前均存在性能問題。為獲得英偉達的認證許可，三星去年不得不對其 HBM3E 芯片進行重新設計。即便如此，這些經(jīng)過改版的 HBM3E 芯片也僅用于英偉達在中國市場銷售的部分特定人工智能加速器產(chǎn)品中。而如今三星的市場地位得到顯著鞏固，其研發(fā)的 HBM4 芯片據(jù)悉已接近通過英偉達的認證。三星 HBM4 芯片即將完成英偉達的認證流程，預計于 2026 年 2 月啟動量產(chǎn)。該款芯片已于 2025 年 9 月送交英偉達，目前已進入最終的質(zhì)量驗證階段。一旦量產(chǎn)啟動
- 關鍵字： ?三星 人工智能 HBM 英偉達
據(jù)稱三星正推進 2 納米定制 HBM 邏輯芯片的開發(fā)
- 據(jù)韓國媒體報道，三星半導體正推進一項針對高帶寬內(nèi)存（HBM）的全新 2 納米工藝項目，計劃為不同客戶需求開發(fā)定制化 HBM 邏輯芯片。 報道引述業(yè)內(nèi)人士稱，盡管具體客戶名單尚未披露，但三星 HBM 開發(fā)團隊已經(jīng)著手為下一代產(chǎn)品預研使用“先進至 2 納米”的晶圓代工制程，為未來數(shù)代 HBM 解決方案奠定基礎。目前尚不清楚該計劃最終將采用三星自家代工體系中的 SF2 還是 SF2P 等 2 納米節(jié)點。現(xiàn)有信息顯示，三星的第六代 HBM 產(chǎn)品線（HBM4）預計將基于 4 納米制程，外界普遍推測來自
- 關鍵字： 三星 2 納米 HBM 邏輯芯片
據(jù)報道，三星首次將定制HBM邏輯芯片引入2nm代工工藝
- 三星正在加大對定制HBM邏輯芯片的開發(fā)力度。據(jù)ZDNet報道，消息人士稱公司正在設計用于定制HBM的邏輯芯片，采用先進的代工工藝節(jié)點如2nm。報道補充說，三星電子此前已將4nm工藝應用于HBM4（第六代HBM）所用的邏輯芯片，該芯片將于今年進入商業(yè)生產(chǎn)。報告解釋說，隨著 HBM 技術的進步，邏輯芯片的設計和制造方法也相應演進。自計劃于2026年量產(chǎn)的HBM4起，邏輯芯片采用代工工藝制造，而非傳統(tǒng)的DRAM工藝，體現(xiàn)了代工制造的性能和能效優(yōu)勢。關于三星電子，報告稱該公司采用了4納米工藝制造HBM4邏輯芯片。
- 關鍵字： 三星 HBM
終極3D集成，將顛覆未來的GPU
- 當HBM疊上GPU，散熱難題如何成為算力突破的 “攔路虎”？
- 關鍵字： HBM
終極的3D集成將造就未來的顯卡
- 深入了解AMD或英偉達最先進的AI產(chǎn)品包裝，你會發(fā)現(xiàn)一個熟悉的布局：GPU兩側(cè)被高帶寬內(nèi)存（HBM）覆蓋，這是市面上最先進的內(nèi)存芯片。這些內(nèi)存芯片盡可能靠近它們所服務的計算芯片，以減少人工智能計算中最大的瓶頸——將數(shù)十億比特每秒從內(nèi)存轉(zhuǎn)化為邏輯時的能量和延遲。但如果你能通過將 HBM 疊加在 GPU 上，讓計算和內(nèi)存更加緊密結(jié)合呢？Imec最近利用先進的熱仿真探討了這一情景，答案在2025年12月的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上給出，頗為嚴峻。3D疊加會使GPU內(nèi)部的工作溫度翻倍，使其無法使用。但
- 關鍵字： Imec GPU HBM 封裝
HBM刻蝕設備據(jù)稱將進入超級周期
- 在存儲行業(yè)深陷人工智能（AI）驅(qū)動的繁榮浪潮之際，各大存儲廠商正一致將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向具備高帶寬、大容量、低功耗特性的 AI 導向型存儲解決方案。隨著高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求持續(xù)激增，部分廠商 2026 年的 HBM 產(chǎn)能已被完全預訂一空，這一趨勢將使 HBM 相關設備供應商直接受益。由于 HBM 采用多層堆疊式 DRAM 架構(gòu)，其堆疊層數(shù)會隨性能需求不斷增加。這一特點導致芯片間互連工藝更趨復雜，同時顯著增加了所需的加工步驟。除國際設備巨頭外，中國設備供應商也在積極布局 HBM 設備領域，產(chǎn)品覆蓋刻蝕、沉積
- 關鍵字： HBM 刻蝕設備
HBF、HMC等四大存儲，誰能力敵HBM
- HBM（高帶寬內(nèi)存）作為當前 AI 加速器 GPU 的核心配置，憑借垂直堆疊的薄 DRAM 芯片結(jié)構(gòu)，以超高數(shù)據(jù)帶寬為 AI 訓練與推理提供了關鍵支撐，成為 AI 算力爆發(fā)的重要基石。然而，HBM 存在兩大顯著短板：一是成本居高不下，其價格較普通 DDR 內(nèi)存高出一個數(shù)量級；二是容量增長受限，受限于 DRAM 內(nèi)存密度縮放的技術瓶頸，即便如英偉達 Blackwell GPU 搭載 8 個 24GB HBM3e 芯片堆棧（總?cè)萘?192GB），也難以滿足模型規(guī)模爆炸式增長、上下文長度拓展及 AI
- 關鍵字： HBF HMC HBM
據(jù)報道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領需求
- 隨著人工智能基礎設施的逐步擴充，內(nèi)存供應緊張，價格飆升。《商業(yè)時報》援引行業(yè)專家的話，預測云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報告警告稱人工智能實際上可能占全球DRAM供應近20%。報告指出，3EB預計將由三個關鍵組成部分驅(qū)動。首先，跨主要平臺——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作負載預計實時內(nèi)存需求將達到約750PB。考慮到實際部署所需的冗余和安全裕度，這一
- 關鍵字： AI DRAM HBM 存儲
富士通加入軟銀-英特爾Saimemory項目，打造HBM替代方案
- 這項耗資5200萬美元的開發(fā)項目目標是在本世紀末前完成批量生產(chǎn)。 軟銀將向Saimemory出資2000萬美元。富士通和日本理研國立研究院將出資700萬美元。日本政府預計還將補貼部分費用。Saimemory旨在開發(fā)存儲容量為HBM的2到3倍，且功耗減半且價格相當或更低的內(nèi)存。它將使用英特爾和東京大學的知識產(chǎn)權和專利。新興電氣工業(yè)和Powerchip半導體負責制造和原型制作。英特爾將提供由DARPA資助開發(fā)的堆疊技術。Saimemory的方法是利用新穎的互聯(lián)技術堆疊標準DRAM芯片。另一家采用相同
- 關鍵字： 富士通 軟銀 英特爾 Saimemory HBM 替代方案
華為發(fā)力存儲單元：自研HMC獨辟蹊徑，從統(tǒng)一標準走向系統(tǒng)定制
- 近期，關于華為自研存儲單元HMC（Hybrid Memory Cube，混合內(nèi)存立方體）的討論也在升溫，但需要明確的是HMC并非傳統(tǒng)意義上的HBM替代方案。華為在存儲芯片領域已推出多款自研產(chǎn)品，覆蓋高帶寬內(nèi)存、固態(tài)存儲及AI存儲等方向，旨在提升算力效率并降低對外依賴。?HBM和HMC兩類方案的區(qū)別從技術實現(xiàn)上看，HBM依賴中介層實現(xiàn)超寬位寬和極高帶寬密度，帶寬可達1024-bit甚至更高，但封裝復雜、成本高。相較之下，HMC則通過ABF載板實現(xiàn)直接互聯(lián)，取消中介層，結(jié)構(gòu)更簡潔、延遲更低，但帶寬能力通常弱于
- 關鍵字： 華為 存儲 HMC HBM AI
三星HBM4據(jù)報道在博通測試中超預期，預計領跑2026年谷歌TPU供應
- 谷歌的TPU作為NVIDIA的有力替代方案正逐漸獲得關注，三星也成為ASIC趨勢的受益者。據(jù)《朝鮮商務》報道，三星電子正在向全球最大的ASIC設計公司博通供應HBM，其第六代HBM（HBM4）據(jù)報道已在測試中超過博通的初始性能目標。報告中引用的消息人士指出，三星的HBM4預計將在2026年全面供應，在博通的評估中表現(xiàn)優(yōu)于其早期的性能目標。繼此前幾年落后于SK海力士后，三星試圖通過增強DRAM和邏輯芯片技術來區(qū)分其HBM4產(chǎn)品。報告補充稱，迄今為止，半導體行業(yè)總體上給予了積極評價。報告指出，三星目前通過博通
- 關鍵字： HBM 谷歌 三星
三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準AI和HBM市場
- 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產(chǎn)線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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