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美國工程師研發(fā)出新型3D芯片，性能超2D芯片一個數(shù)量級

12 月 14 日消息，據(jù) InterestingEngineering 報道，美國工程師研發(fā)出一種具有獨特架構(gòu)的新型多層計算機芯片，有望開啟人工智能硬件新紀元。研究團隊指出，在硬件測試和仿真中，這款新型三維（3D）芯片...

3D芯片 2D芯片 2025-12-15

美國代工廠首個真正制造的3D芯片，采用碳納米管晶體管和內(nèi)存集成于單芯片上——未來器件的能量延遲產(chǎn)物性能有望提升多達1000倍

SkyWater制造的原型機展現(xiàn)了密集的垂直內(nèi)存邏輯集成，并可測量和模擬AI加速。一個合作研究團隊展示了據(jù)稱這是美國商業(yè)代工廠制造的首款單片三維集成電路，報告其性能優(yōu)于傳統(tǒng)平面芯片設(shè)計。該原型由斯坦福大學、卡內(nèi)基梅隆大學...

3D芯片碳納米管晶體管 2025-12-15

采用3D芯片設(shè)計的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備

麻省理工學院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網(wǎng)站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構(gòu)建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低...

3D芯片電子設(shè)備 2025-06-19

混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

上周，IEEE電子元件與技術(shù)會議（ECTC）的研究人員推動了一項對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱為混合鍵合，將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義...

混合鍵合 3D芯片 2024-06-26

默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

　　隨著半導體先進制程持續(xù)往5奈米、3奈米逼近的同時，摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來越困難，耗用的時間也越來越長，成本也越走越高。這使得半導體也必須從材料端與封裝端來打破制程技術(shù)的限制，并達到技術(shù)上的突...

3D芯片摩爾定律 2017-09-12

3D集成系統(tǒng)的測試自動化

封裝技術(shù)的進步推動了三維(3D)集成系統(tǒng)的發(fā)展。3D集成系統(tǒng)可能對基于標準封裝集成技術(shù)系統(tǒng)的性能、電源、功能密度和外形尺寸帶來顯著改善。雖然這些高度集成系統(tǒng)的設(shè)計和測試要求仍在不斷變化，但很顯然先進的測試自...

3D芯片測試 2016-10-18

3D芯片設(shè)計趨于成熟　半導體未來走向整合開發(fā)

　　電子系統(tǒng)層級(ESL)和高階合成(HLS)方案試圖以硬體取代軟件。法新社在過去，由于軟件內(nèi)容不多、產(chǎn)品制備不容易延滯，開發(fā)業(yè)者會先設(shè)計硬體，再完成軟件設(shè)計。時至今日，軟件內(nèi)容大增，軟件設(shè)計逐漸比硬體占更多時間與成本，...

臺積電 3D芯片 2015-10-09

美光轉(zhuǎn)向3D芯片 40億美元擴建工廠

　　傳統(tǒng)的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠商開始轉(zhuǎn)向3D閃存，這其中三星動作最快，去年就已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進，在日本擴建Fab...

美光 3D芯片 2015-03-10

腦科學屆的革命：3D芯片精確控制腦神經(jīng)

　　用光精確地控制神經(jīng)元可以在腦科學研究和腦疾病治療方面掀起一場革命。　　光遺傳學把光敏基因和光源結(jié)合在一起，用來選擇性地打開或關(guān)閉大腦。光遺傳學已經(jīng)成為有希望的研究工具和潛在療法。不過，這一技術(shù)大部分時候只把光打到...

3D芯片腦神經(jīng) 2015-01-29

三星將3D芯片制造技術(shù)授權(quán)給GlobalFoundries

　　4月18日消息，據(jù)路透社報道，三星電子周五表示，公司已將最新的芯片制造技術(shù)授權(quán)給美國制造商GlobalFoundries。此舉旨在幫助后者改善生產(chǎn)力，以提高其在面對像蘋果這樣的大訂單時與臺積電的競爭力。　　Glo...

GlobalFoundries 3D芯片 2014-04-20

3D芯片時代將至光學檢測設(shè)備應(yīng)用空間擴大

　　美商陸得斯科技(RudolphTechnologies,Inc.)指出，到了3D晶片時代，矽鉆孔(TSV)、微凸塊(microbumping)等半導體制程技術(shù)越趨復雜，每一道程式的精密控制均開出新的檢測需求，預料光學...

3D芯片光學檢測 2013-12-04

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

　　來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術(shù)專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術(shù)創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專家們的結(jié)論是， 3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準備就緒，但有需要再進一步降低...

3D芯片封測 2013-12-02

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

　　來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術(shù)專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術(shù)創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專家們的結(jié)論是，3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準備就緒，但有需要再進一步降低成...

3D芯片封測 2013-11-29

各芯片廠積極研發(fā) 臺積電日月光笑看3D芯片量產(chǎn)

　　臺積電、日月光、矽品等大廠積極架構(gòu)2.5D及3DIC封測產(chǎn)能，一般預料明年將進入3DIC量產(chǎn)元年，啟動高階生產(chǎn)線及3DIC設(shè)備商機，國內(nèi)主要設(shè)備供應(yīng)商弘塑、辛耘及萬潤等業(yè)績吃香。　　設(shè)備廠表示，3DIC可以改...

臺積電 3D芯片 2013-10-29

先進3D芯片堆疊的精細節(jié)距微凸點互連

本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點連 ......

3D芯片堆疊 2013-05-27

NVIDIA首席科學家談3D芯片、中國崛起

　　GTC2012大會上，曾擔任斯坦福大學計算機科學系主任的NVIDIA首席科學家BillDally在接受EETimes采訪時談到了3D整合電路，技術(shù)層面上中國的崛起以及美國研發(fā)投資的現(xiàn)狀。　　關(guān)于3D芯片方面，Da...

驅(qū)動之家 3D芯片 2012-05-22

多維設(shè)計技術(shù)力促3D芯片

您可能聽說過這樣的宣傳：隨著目前還是平面結(jié)構(gòu)的裸片向多層結(jié)構(gòu)的過渡，半導體制造基礎(chǔ)在今后幾年內(nèi)將發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。為了使這種多層結(jié)構(gòu)具有可制造性，全球主要半導體組織作出了近10年的不懈努力，從明年開始三維（...

多維 3D芯片 2012-05-02

3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀

盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段...

3D芯片堆疊 2012-04-28

應(yīng)用材料聯(lián)合IME設(shè)立3D芯片封裝研發(fā)實驗室

　　應(yīng)用材料公司和新加坡科技研究局研究機構(gòu)--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學園區(qū)共同為雙方連手合作的先進封裝卓越中心舉行揭幕典禮。　　該中心由應(yīng)用材料和 IME 合資超過 1 億美元設(shè)立，擁有14...

應(yīng)用材料 3D芯片 2012-03-12

Sematech與合作伙伴連手克服未來3D芯片技術(shù)挑戰(zhàn)

　　美國半導體科技研發(fā)聯(lián)盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義...

Sematech 3D芯片 2011-12-23

臺積電年底有望推出首款3D芯片能耗可降低50%

據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片......

臺積電 3D芯片 2011-07-12

臺積電年底有望推出首款3D芯片

　　據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術(shù)的半導體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產(chǎn)結(jié)合了三門晶體管技術(shù)(...

臺積電 3D芯片 2011-07-06

芯片大廠之路：3D芯片堆疊技術(shù)之道與魔

　　設(shè)計自動化大會(Design Automation Conference：DAC)已經(jīng)舉辦到了第三天，前兩天的議題主要圍繞EDA自動化設(shè)計軟件，F(xiàn)infet發(fā)明人胡志明教授談Intel的Finfet技術(shù)，以及IBM談...

高通 3D芯片 2011-06-13

Atrenta和IMEC合作完成3D芯片組裝設(shè)計流程

　　Atrenta日前宣布，其與IMEC合作的3D整合研究計劃，己針對異質(zhì)3D堆疊芯片組裝開發(fā)出了規(guī)劃和分割設(shè)計流程。Atrenta和IMEC也宣布將在今年6月6~8日的DAC展中，展示雙方共同開發(fā)的設(shè)計流程。　　...

Atrenta 封裝技術(shù) 2011-06-02

爾必達與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

　　看好3D市場，DRAM大廠爾必達日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā);爾必達表示，三方還將針對3D IC整合技術(shù)、28納米先進制程TSV(Through-Silicon Via,...

爾必達 3D芯片 2011-06-01

據(jù)稱三星完成3D芯片準備工作

　　據(jù)南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產(chǎn)系統(tǒng)的建構(gòu)，正準備投入量產(chǎn)。近來英特爾(Intel)宣告領(lǐng)先全球開發(fā)出3D芯片，三星也表示持有相當數(shù)量的相關(guān)技術(shù)，且已確保量產(chǎn)技...

三星 3D芯片 2011-05-31

Gartner：英特爾3D芯片難以稱霸移動市場

　　Gartner分析師指出，英特爾新3D Tri-Gate晶體設(shè)計將不足以達成該公司在手機與平板計算機市場的野心。　　Gartner副總裁杜拉內(nèi)(Ken Dulaney)表示，英特爾(Intel)將采用突破技術(shù)支持...

英特爾 3D芯片 2011-05-10

更上一層樓:單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的意義與區(qū)別簡述

盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯(lián)電路部分的延遲則會提升。舉例而......

單片型 3D芯片 2011-04-24

淺談3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀

　　盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過，許多芯片制...

3D芯片堆疊 2011-04-06

聯(lián)發(fā)科技推出全球首款支持3D技術(shù)的單芯片解決方案

　　2011年1月5日，全球無線通信及數(shù)字媒體IC設(shè)計領(lǐng)導廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(MediaTek Inc.)今日宣布將于2011消費電子展(CES: The International Consumer Electr...

聯(lián)發(fā)科技 3D芯片 2011-01-06

Applied Materials發(fā)布TSV新設(shè)備引領(lǐng)3D芯片技術(shù)

　　Applied Materials正在引領(lǐng)通孔硅技術(shù)(TSV)實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。TSV技術(shù)通過芯片的多層連接，實現(xiàn)性能提升、功能改善、小型封裝、降低功耗，被視為未來移動芯片領(lǐng)域的重要技術(shù)。Applied Materia...

應(yīng)用材料 3D芯片 2010-07-14

未來推動芯片尺寸微縮的五種技術(shù)

　　IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。　　為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。　　1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設(shè)計中，采用硅襯底和...

摩爾定律 45納米 2009-07-03

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3D芯片

美國工程師研發(fā)出新型3D芯片，性能超2D芯片一個數(shù)量級

美國代工廠首個真正制造的3D芯片，采用碳納米管晶體管和內(nèi)存集成于單芯片上——未來器件的能量延遲產(chǎn)物性能有望提升多達1000倍

采用3D芯片設(shè)計的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備

混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

3D集成系統(tǒng)的測試自動化

3D芯片設(shè)計趨于成熟　半導體未來走向整合開發(fā)

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腦科學屆的革命：3D芯片精確控制腦神經(jīng)

三星將3D芯片制造技術(shù)授權(quán)給GlobalFoundries

3D芯片時代將至光學檢測設(shè)備應(yīng)用空間擴大

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

各芯片廠積極研發(fā) 臺積電日月光笑看3D芯片量產(chǎn)

先進3D芯片堆疊的精細節(jié)距微凸點互連

NVIDIA首席科學家談3D芯片、中國崛起

多維設(shè)計技術(shù)力促3D芯片

3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀

應(yīng)用材料聯(lián)合IME設(shè)立3D芯片封裝研發(fā)實驗室

Sematech與合作伙伴連手克服未來3D芯片技術(shù)挑戰(zhàn)

臺積電年底有望推出首款3D芯片能耗可降低50%

臺積電年底有望推出首款3D芯片

芯片大廠之路：3D芯片堆疊技術(shù)之道與魔

Atrenta和IMEC合作完成3D芯片組裝設(shè)計流程

爾必達與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

據(jù)稱三星完成3D芯片準備工作

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更上一層樓:單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的意義與區(qū)別簡述

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聯(lián)發(fā)科技推出全球首款支持3D技術(shù)的單芯片解決方案

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機器人專場

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