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英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應(yīng)晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能...

SiC 電動汽車 2026-01-27

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現(xiàn)熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電...

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障...

安森美固態(tài)斷路器 2026-01-19

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程

全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融...

Melexis 邁來芯 2026-01-13

SiC市場發(fā)展周期修正

Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進入調(diào)整周期。汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應(yīng)鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減...

SiC yole 2025-12-23

硅質(zhì)原材料價格上漲，而6英寸基材則引發(fā)價格戰(zhàn)

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結(jié)構(gòu)分歧的關(guān)鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應(yīng)過剩下持續(xù)暴跌。然而，在應(yīng)用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英...

硅質(zhì)原材料 6英寸 2025-11-26

安森美已完成獲得奧拉半導體Vcore電源技術(shù)授權(quán)

安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項戰(zhàn)略交易增強了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線圖，加速實現(xiàn)公司在人工智能（AI）...

安森美奧拉 2025-11-05

體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)品的客戶提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充...

英飛凌羅姆 2025-09-26

羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及A...

羅姆英飛凌 2025-09-25

175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況

斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設(shè)計可...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC推動電動汽車向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型，細數(shù)安森美的核心SiC方案

隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創(chuàng)新，更要深入動力系統(tǒng)架構(gòu)展開革新。而推動這一演進的關(guān)鍵趨勢之一，便是電池系統(tǒng)從400V...

安森美 SiC 2025-09-24

SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景

電力電子行業(yè)將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術(shù)的需求穩(wěn)...

SiC GaN 2025-09-15

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備...

東芝 SiC MOSFET 2025-08-28

東芝與天岳先進達成SiC功率半導體襯底合作協(xié)議

據(jù)“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協(xié)議。雙方將在技術(shù)協(xié)作與商...

東芝天岳先進 2025-08-26

SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

幾十年來，硅一直是電力電子領(lǐng)域無可爭議的領(lǐng)導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進展。憑借更快的開關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實現(xiàn)了系統(tǒng)級成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

第三代半導體洗牌GaN躍居主角

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7....

第三代半導體 GaN 2025-07-28

Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導者臺達電子工業(yè)股...

Microchip 臺達 2025-07-21

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計注意事項

鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們設(shè)計用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延...

onsemi NCP51752 2025-07-08

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和...

瑞薩電子 AI數(shù)據(jù)中心 2025-07-08

650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 ...

650V GaN 2025-07-04

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型...

瑞薩 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應(yīng)用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總...

GaN FET 衛(wèi)星電源 2025-07-01

香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準

6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體...

香港 8英寸 2025-07-01

基于SiC的熔絲保護高壓電氣系統(tǒng)

在減少排放和實現(xiàn)凈零目標的前進道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些應(yīng)用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機驅(qū)動器）或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應(yīng)用集成...

SiC 熔絲保護 2025-06-30

一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導通...

安森美 SiC 2025-06-30

SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

SiC Combo JFET 安森美 2025-06-26

羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新...

羅姆 SiC MOSFET 2025-06-24

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源...

意法半導體 SiC 2025-06-24

SiC過剩預警：新能源汽車能否消化瘋狂擴產(chǎn)？

就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一...

SiC 2025-06-20

復旦大學研發(fā)新型SiC MOSFET器件

在功率半導體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優(yōu)異的熱導率，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優(yōu)化導通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟...

復旦大學 SiC 2025-06-16

探索TI GaN FET在類人機器人中的應(yīng)用

類人機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內(nèi)空間受限最大...

TI GaN 2025-06-15

SiC市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭...

SiC 共源共柵 2025-06-13

ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模...

ROHM SPICE模型 2025-06-11

SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細節(jié)必須掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 ...

安森美 SiC 2025-06-11

因中國價格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計劃

根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報告，電動汽車（EV）市場增長放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導致供應(yīng)過剩，導致價格下跌，據(jù)報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動汽車碳化硅功率半導體的計...

價格戰(zhàn) Wolfspeed 2025-06-03

SiC FET