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光刻技術社區

技術專欄

光刻

光刻Top 　　利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后，光刻技術才迅速發展起來，并開始用在半導體工業方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、線紋尺和度盤等的精密線紋。

全部資訊專欄資料論壇

光刻專欄

僅次于光刻、我國半導體制造核心技術突破，核力創芯首批氫離子注入性能優化芯片產品交付

9 月 11 日消息，據國家電力投資集團有限公司（以下簡稱“國家電投”）9 月 10 日消息，近日，國家電投所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創芯”）暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心...

光刻 2024-09-11

High NA EUV主要部件已經啟動，達成“第一道光”里程碑！

2月29日消息，據外媒Tomshardware報導，ASML與英特爾于本周宣布達成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特爾交付的最先進High NA EUV光刻機Twinscan EXE:5000的主要部...

光刻 2024-03-05

鼎龍股份多項光刻膠相關重大項目獲立項，將獲得1.6億元資金支持

11月9日晚間，國產半導體材料廠商鼎龍股份發布公告稱，公司及下屬子公司于今年相繼收到多項光刻膠相關國家及省級重要項目立項通知，公司布局的三大領域光刻膠相關產品：集成電路晶圓光刻膠及核心原料、半導體先進封裝用光刻膠、半導體...

光刻 2023-11-17

華為公開EUV光刻新專利，解決相干光無法勻光問題

華為日前公布了一項新專利，展示了一種《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》，專利申請號為CN202110524685.X，據介紹，這種方法便能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基...

光刻 2022-11-23

EUV光刻，最終勝出！

來源：半導體行業觀察半個多世紀以來，半導體行業按照摩爾定律不斷發展，驅動了一系列的科技創新。隨著器件尺寸越來越逼近物理極限，摩爾定律對新一代工藝節點研發是否依然奏效成為當前全行業都在討論的問題。其中，光刻是摩爾定律的前沿...

光刻 2022-08-26

【科普】什么是EUV光刻？

在說EUV之前，讓我們先了解一下什么是光刻技術。光刻技術從基本上來說是一個投影系統，將光線投射并穿透印有電路藍圖的光罩，利用光學原理將圖樣打在已涂布感光****劑的硅晶片上，進行曝光。當未曝光的部分被蝕刻移除后，圖樣就會...

EUV 光刻 2019-06-17

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