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英飛凌榮膺陽光電源2025年度“全球戰(zhàn)略伙伴”殊榮

近日，在陽光電源2026全球合作伙伴大會上，全球功率系統(tǒng)半導體領(lǐng)導者英飛凌科技憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力、豐富的產(chǎn)品組合以及深度的產(chǎn)業(yè)協(xié)同榮膺陽光電源2025年度“全球戰(zhàn)略伙伴”殊榮。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Dr. ...

英飛凌陽光電源 2026-02-13

英飛凌推出首款帶光耦仿真器輸入的隔離柵極驅(qū)動器IC

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日推出EiceDRIVER? 1ED301xMC12I產(chǎn)品系列，這是一系列支持光耦仿真器輸入的高性能隔離柵極驅(qū)動器IC。該系列器件與現(xiàn)有光耦仿真器和光耦合器引腳兼...

英飛凌光耦仿真器 2026-02-11

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導體領(lǐng)域氮化鎵高速增長

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮...

英飛凌 GaN 2026-02-11

英飛凌收購艾邁斯歐司朗混合信號傳感器產(chǎn)品線

英飛凌科技（Infineon Technologies）正進一步加碼傳感器業(yè)務，宣布計劃以 5.7億歐元收購 ams OSRAM 集團的非光學模擬/混合信號傳感器產(chǎn)品組合。此項交易將顯著拓...

英飛凌 2026-02-11

英飛凌CoolSiC MOSFET獲選用于豐田bZ4X純電動車

英飛凌（Infineon）宣布，其碳化硅（SiC）功率半導體已被豐田（Toyota）新一代純電動車 bZ4X 采用。具體而言，英飛凌的 CoolSiC? MOSFET 將用于該車型...

英飛凌豐田 2026-02-11

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

英飛凌擬調(diào)漲電源芯片價格，或影響電子供應鏈

據(jù)Tom's Hardware報道，受AI技術(shù)熱潮推動，全球?qū)β书_關(guān)和IC的需求激增，英飛凌（Infineon）計劃于2026年4月1日起調(diào)漲部分電源芯片價格。這一消息若屬實，可能會對整體電子供應鏈成本產(chǎn)生連鎖...

英飛凌電源芯片 2026-02-10

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

英飛凌出售泰國工廠，優(yōu)化全球制造布局

據(jù)英飛凌科技透露，其已完成位于泰國曼谷/暖武里府的后端制造工廠的出售，買方為馬來西亞太平洋工業(yè)有限公司（MPI）。此次交易于2月4日完成，MPI接管了曼谷/暖武里府的后端工廠，并與英飛凌簽署了一份長期供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，...

英飛凌泰國工廠 2026-02-09

英飛凌收購艾邁斯歐司朗非光學模擬/混合信號傳感器業(yè)務

●? ?此次計劃的收購將擴展英飛凌的傳感器業(yè)務，并增強其適用于汽車、工業(yè)和醫(yī)療健康市場的系統(tǒng)級解決方案●? ?被收購業(yè)務預計將產(chǎn)生約2.3億歐元的營收；此次收購的交易金額為5.7億歐元；預計交易完成后將立即增厚每股收益●...

英飛凌艾邁斯歐司朗 2026-02-05

英飛凌發(fā)布2026財年第一季度運營成果: 2026財年順利開局

●? ?2026財年第一季度：營收為36.62億歐元，利潤為6.55億歐元，利潤率?17.9%。●? ?2026財年第二季度展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.15，預計營收約為38億歐元。在此基礎(chǔ)上，利潤率預計在14%~...

英飛凌 2026財年第一季度 2026-02-05

英飛凌與達美攜手實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心垂直供電

英飛凌深化了與臺達電子的現(xiàn)有合作，聯(lián)合研發(fā)新一代垂直供電（VPD）模塊，旨在為數(shù)據(jù)中心的 AI 芯片提供更高效的供電支持。雙方表示，此次合作融合了英飛凌高性能硅基 MOSFET、嵌入式封裝的技術(shù)優(yōu)勢，以及臺達在功率模塊設(shè)...

英飛凌臺達 2026-01-29

英飛凌推出新一代USB 2.0外設(shè)控制器EZ-USB? FX2G3

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代USB 2.0外設(shè)控制器EZ-USB? FX2G3，該產(chǎn)品可為USB設(shè)備帶來卓越的性能、強大的安...

英飛凌 USB 2.0外設(shè)控制器 2026-01-28

柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用

碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

IGBT的電流是如何定義的

IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計工程師是遠遠不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。流言一：450A...

英飛凌 IGBT 2026-01-27

英飛凌專注于高吞吐量的USB 2.0外設(shè)控制器

英飛凌科技通過推出EZ-USB FX2G3擴展了其USB產(chǎn)品線，這是一款面向需要更高數(shù)據(jù)吞吐量、確定性延遲和更緊密系統(tǒng)集成的應用的USB 2.0外設(shè)控制器。該設(shè)備面向工業(yè)、消費及嵌入式系統(tǒng)設(shè)計，在USB仍廣泛應用的領(lǐng)域。...

英飛凌 EZ-USB FX2G3 2026-01-23

英飛凌與HL Klemove在軟件定義車輛平臺上保持一致

英飛凌與 HL Klemove 達成協(xié)議，深化汽車技術(shù)領(lǐng)域的合作，聚焦于支持軟件定義汽車（SDV）的電子架構(gòu)開發(fā)。雙方簽署了一份諒解備忘錄，明確將在多個汽車領(lǐng)域開展聯(lián)合開發(fā)工作。對于從事汽車電子、嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的讀者而言...

英飛凌 HL Klemove 2026-01-22

英飛凌和Flex組裝了分區(qū)控制器的各個組成部分

在軟件定義車輛（SDV）時代，汽車正迅速變成移動數(shù)據(jù)中心，集中式軟件取代了過于僵硬、無法無線更新的碎片化硬件。為了應對軟件復雜性，汽車制造商正在將硬件重新布線為“區(qū)域架構(gòu)”。這里，曾經(jīng)針對特定領(lǐng)域設(shè)計的控制器——例如動力...

英飛凌 Flex 2026-01-19

英飛凌XENSIV第四代磁傳感器支持最高達到ASIL B級要求的汽車功能安全應用

簡介英飛凌推出XENSIV TLE4960x磁傳感器系列。該系列開關(guān)嚴格按照ISO 26262標準開發(fā)，集成了診斷功能，可支持最高達到ASIL B級要求的功能安全應用，是市面上唯一達到ASIL B級標準，可廣泛用于各種汽...

英飛凌 XENSIV 2026-01-19

英飛凌推出業(yè)界首款針對物聯(lián)網(wǎng)的Wi-Fi 7 IoT 20 MHz三頻無線設(shè)備

為助力家用、工業(yè)和商用市場互聯(lián)設(shè)備的持續(xù)增長，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日推出全新AIROC? ACW741x產(chǎn)品系列，提供三頻無線技術(shù)，將Wi-Fi 7、支持信道探測的Bluetooth...

英飛凌 Wi-Fi 7 2026-01-16

英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新

簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規(guī)級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規(guī)級晶體管及多種雙向開關(guān)。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業(yè)不斷變化的...

英飛凌 CoolGaN 100V G1系列 2026-01-16

英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導通電阻和新型封裝

【2026年1月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨...

英飛凌 CoolSiC 2026-01-13

英飛凌將攜手Flex在CES 2026上共同推出適用于軟件定義汽車的區(qū)域控制器開發(fā)套件

英飛凌科技股份公司與?Flex?進一步深化合作，共同加速軟件定義汽車（SDV）的開發(fā)進程。在2026年國際消費電子展（CES 2026）上，雙方將聯(lián)合推出一款區(qū)域控制器開發(fā)套件——這是一種為區(qū)域控制單元（ZCU）設(shè)計的模...

英飛凌 Flex 2026-01-09

英飛凌EZ-USB? FX10控制器賦能3M? USB3 Vision相機

，...

英飛凌 FX10 2026-01-09

英飛凌CoolMOS? 8為長城電源的電源技術(shù)系統(tǒng)性能優(yōu)化樹立了新標桿

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）憑借其硅基功率?MOSFET?技術(shù)?CoolMOS?，正在推動服務器電源管理領(lǐng)域的創(chuàng)新，助力打造能夠滿足數(shù)據(jù)中...

英飛凌 CoolMOS 2026-01-09

CES 2026：英飛凌與HL Klemove實現(xiàn)SDV合作

英飛凌科技股份公司與HL Klemove簽署了諒解備忘錄（MOU），合作開發(fā)軟件定義車輛（SDV）汽車平臺。根據(jù)該諒解備忘錄，公司將聚焦三個關(guān)鍵領(lǐng)域：下一代分區(qū)控制單元基于以太網(wǎng)的車輛ADAS和攝像頭下一代雷達技術(shù)分區(qū)控...

CES 2026 英飛凌 2026-01-09

CES：軟件定義車輛分區(qū)控制器開發(fā)套件

英飛凌和Flex將在CES上發(fā)布一款適用于軟件定義車輛的區(qū)域控制器開發(fā)套件。“開發(fā)套件采用可擴展的方法，基于可重復使用的資產(chǎn)，結(jié)合了大約30個構(gòu)建模塊。英飛凌表示，這使得開發(fā)者能夠靈活配置不同的區(qū)域控制單元實現(xiàn)，并為串聯(lián)...

CES 2026 軟件定義車輛 2026-01-05

英飛凌SECORA? Pay M：兼顧快速高效支付與FIDO安全認證的全新平臺

最新研究顯示，金融科技與支付領(lǐng)域的頂尖專家預測，2030年針對金融機構(gòu)的數(shù)字欺詐將從2025年的230億美元攀升至583億美元，激增153% 1。為應對電商和網(wǎng)銀領(lǐng)域日益增長的欺詐風險，提高交易的安全性，全球功率系統(tǒng)和物...

英飛凌 SECORA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實現(xiàn)更高的功率密度

簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標準： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飛凌全橋變壓器驅(qū)動器評估板！

基于英飛凌2EP130R系列頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源IC，晶川電子推出兩款評估板，EVAL-2EP130R-J和EVAL-1ED3142MC12H -2EP130R-J。評估板可以免費申領(lǐng)！無論您是從事太陽能、電動汽車...

英飛凌全橋變壓器 2025-12-25

年終盤點：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相

歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強勁動力，成為行業(yè)矚目的焦點。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產(chǎn)品，方便各...

英飛凌碳化硅 2025-12-25

頂部散熱封裝QDPAK安裝指南

由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產(chǎn)品的表貼頂部散熱產(chǎn)品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK, TOLT, 及QDPA...

英飛凌頂部散熱封裝 2025-12-25

QDPAK頂部散熱封裝簡介

QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產(chǎn)品。相對于傳統(tǒng)表貼產(chǎn)品只能從底部進行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應用，如AI服務器電源和車載充電器等應用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封...

英飛凌 QDPAK 2025-12-25

英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標準

簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x...

英飛凌 OptiMOS 6 2025-12-24

SECORA? ID V2平臺支持業(yè)界首個通過 FIDO 3+級認證的安全身份驗證解決方案

隨著針對安全漏洞的網(wǎng)絡攻擊在各行業(yè)日益頻發(fā)，安全認證已成為保護數(shù)字身份安全的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司憑借在?SECORA? ID V2平臺上推出的全球首個?FIDO CTAP2....

英飛凌 FIDO 3+ 2025-12-22

英飛凌HYPERRAM?存儲芯片及IP成功通過AMD Spartan? UltraScale+? FPGA SCU35評估套件測試

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日宣布，AMD?已測試英飛凌?64MB HYPERRAM??存儲芯片和?HYPERRAM??控制器?IP?在?AMD Spartan? UltraScale+??...

英飛凌 HYPERRM 2025-12-18

英飛凌推出 PSOC? 4 HVPA-SPM 1.0，智能化升級汽車電池管理系統(tǒng)，助力區(qū)域架構(gòu)發(fā)展

英飛凌科技股份公司近日推出了一款面向電動汽車（xEV）高壓鋰離子電池管理系統(tǒng)的先進微控制器 PSOC? 4 HVPA-SPM 1.0。這款微控制器具備高精度、安全性與靈活編程的能力，可支持區(qū)域架構(gòu)及其向軟件定義汽車（SD...

英飛凌 PSOC 2025-12-17

英飛凌攜手聯(lián)想推出適用于軟件定義汽車的高性能計算平臺

全球功率系統(tǒng)與汽車微控制器（MCU）領(lǐng)域的領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司正與全球科技巨頭聯(lián)想集團深化合作，加速自動駕駛技術(shù)向更高階邁進。聯(lián)想旗艦級自動駕駛域控制器AD1與AH1將搭載英飛凌AURIX?系列微控制器，以支持高階輔...

英飛凌聯(lián)想 2025-12-16

英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級優(yōu)化助力Electreon動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)升級

●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現(xiàn)24小時全天候運行●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運輸...

英飛凌碳化硅 2025-12-16