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美國工程師研發出新型3D芯片，性能超2D芯片一個數量級

12 月 14 日消息，據 InterestingEngineering 報道，美國工程師研發出一種具有獨特架構的新型多層計算機芯片，有望開啟人工智能硬件新紀元。研究團隊指出，在硬件測試和仿真中，這款新型三維（3D）芯片...

3D芯片 2D芯片 2025-12-15

美國代工廠首個真正制造的3D芯片，采用碳納米管晶體管和內存集成于單芯片上——未來器件的能量延遲產物性能有望提升多達1000倍

SkyWater制造的原型機展現了密集的垂直內存邏輯集成，并可測量和模擬AI加速。一個合作研究團隊展示了據稱這是美國商業代工廠制造的首款單片三維集成電路，報告其性能優于傳統平面芯片設計。該原型由斯坦福大學、卡內基梅隆大學...

3D芯片碳納米管晶體管 2025-12-15

采用3D芯片設計的更快、更節能的電子設備

麻省理工學院和其他地方的研究人員開發了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低...

3D芯片電子設備 2025-06-19

混合鍵合在3D芯片中發揮著重要作用

上周，IEEE電子元件與技術會議（ECTC）的研究人員推動了一項對尖端處理器和存儲器至關重要的技術。該技術被稱為混合鍵合，將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數量，盡管曾經定義...

混合鍵合 3D芯片 2024-06-26

默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

　　隨著半導體先進制程持續往5奈米、3奈米逼近的同時，摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來越困難，耗用的時間也越來越長，成本也越走越高。這使得半導體也必須從材料端與封裝端來打破制程技術的限制，并達到技術上的突...

3D芯片摩爾定律 2017-09-12

3D集成系統的測試自動化

封裝技術的進步推動了三維(3D)集成系統的發展。3D集成系統可能對基于標準封裝集成技術系統的性能、電源、功能密度和外形尺寸帶來顯著改善。雖然這些高度集成系統的設計和測試要求仍在不斷變化，但很顯然先進的測試自...

3D芯片測試 2016-10-18

3D芯片設計趨于成熟　半導體未來走向整合開發

　　電子系統層級(ESL)和高階合成(HLS)方案試圖以硬體取代軟件。法新社在過去，由于軟件內容不多、產品制備不容易延滯，開發業者會先設計硬體，再完成軟件設計。時至今日，軟件內容大增，軟件設計逐漸比硬體占更多時間與成本，...

臺積電 3D芯片 2015-10-09

美光轉向3D芯片 40億美元擴建工廠

　　傳統的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠商開始轉向3D閃存，這其中三星動作最快，去年就已經開始量產第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進，在日本擴建Fab...

美光 3D芯片 2015-03-10

腦科學屆的革命：3D芯片精確控制腦神經

　　用光精確地控制神經元可以在腦科學研究和腦疾病治療方面掀起一場革命。　　光遺傳學把光敏基因和光源結合在一起，用來選擇性地打開或關閉大腦。光遺傳學已經成為有希望的研究工具和潛在療法。不過，這一技術大部分時候只把光打到...

3D芯片腦神經 2015-01-29

三星將3D芯片制造技術授權給GlobalFoundries

　　4月18日消息，據路透社報道，三星電子周五表示，公司已將最新的芯片制造技術授權給美國制造商GlobalFoundries。此舉旨在幫助后者改善生產力，以提高其在面對像蘋果這樣的大訂單時與臺積電的競爭力。　　Glo...

GlobalFoundries 3D芯片 2014-04-20

3D芯片時代將至光學檢測設備應用空間擴大

　　美商陸得斯科技(RudolphTechnologies,Inc.)指出，到了3D晶片時代，矽鉆孔(TSV)、微凸塊(microbumping)等半導體制程技術越趨復雜，每一道程式的精密控制均開出新的檢測需求，預料光學...

3D芯片光學檢測 2013-12-04

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

　　來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術創新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術;專家們的結論是， 3D晶片堆疊技術已經準備就緒，但有需要再進一步降低...

3D芯片封測 2013-12-02

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

　　來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術創新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術;專家們的結論是，3D晶片堆疊技術已經準備就緒，但有需要再進一步降低成...

3D芯片封測 2013-11-29

各芯片廠積極研發臺積電日月光笑看3D芯片量產

　　臺積電、日月光、矽品等大廠積極架構2.5D及3DIC封測產能，一般預料明年將進入3DIC量產元年，啟動高階生產線及3DIC設備商機，國內主要設備供應商弘塑、辛耘及萬潤等業績吃香。　　設備廠表示，3DIC可以改...

臺積電 3D芯片 2013-10-29

先進3D芯片堆疊的精細節距微凸點互連

本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統研究了形成金屬互化物凸點連 ......

3D芯片堆疊 2013-05-27

NVIDIA首席科學家談3D芯片、中國崛起

　　GTC2012大會上，曾擔任斯坦福大學計算機科學系主任的NVIDIA首席科學家BillDally在接受EETimes采訪時談到了3D整合電路，技術層面上中國的崛起以及美國研發投資的現狀。　　關于3D芯片方面，Da...

驅動之家 3D芯片 2012-05-22

多維設計技術力促3D芯片

您可能聽說過這樣的宣傳：隨著目前還是平面結構的裸片向多層結構的過渡，半導體制造基礎在今后幾年內將發生重大轉變。為了使這種多層結構具有可制造性，全球主要半導體組織作出了近10年的不懈努力，從明年開始三維（...

多維 3D芯片 2012-05-02

3D芯片堆疊技術現狀

盡管最近幾年以TSV穿硅互聯為代表的3D芯片技術在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術的實際發展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段...

3D芯片堆疊 2012-04-28

應用材料聯合IME設立3D芯片封裝研發實驗室

　　應用材料公司和新加坡科技研究局研究機構--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學園區共同為雙方連手合作的先進封裝卓越中心舉行揭幕典禮。　　該中心由應用材料和 IME 合資超過 1 億美元設立，擁有14...

應用材料 3D芯片 2012-03-12

Sematech與合作伙伴連手克服未來3D芯片技術挑戰

　　美國半導體科技研發聯盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國半導體產業協會(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義...

Sematech 3D芯片 2011-12-23

臺積電年底有望推出首款3D芯片能耗可降低50%

據臺灣對外貿易發展協會(TAITRA)透露，芯片業代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業內首款采用3D芯片......

臺積電 3D芯片 2011-07-12

臺積電年底有望推出首款3D芯片

　　據臺灣對外貿易發展協會(TAITRA)透露，芯片業代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業內首款采用3D芯片堆疊技術的半導體芯片產品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產結合了三門晶體管技術(...

臺積電 3D芯片 2011-07-06

芯片大廠之路：3D芯片堆疊技術之道與魔

　　設計自動化大會(Design Automation Conference：DAC)已經舉辦到了第三天，前兩天的議題主要圍繞EDA自動化設計軟件，Finfet發明人胡志明教授談Intel的Finfet技術，以及IBM談...

高通 3D芯片 2011-06-13

Atrenta和IMEC合作完成3D芯片組裝設計流程

　　Atrenta日前宣布，其與IMEC合作的3D整合研究計劃，己針對異質3D堆疊芯片組裝開發出了規劃和分割設計流程。Atrenta和IMEC也宣布將在今年6月6~8日的DAC展中，展示雙方共同開發的設計流程。　　...

Atrenta 封裝技術 2011-06-02

爾必達與聯電力成合作開發TSV產品

　　看好3D市場，DRAM大廠爾必達日前宣布，將與臺灣力成科技、聯華電子正式簽約，攜手展開TSV產品的共同開發;爾必達表示，三方還將針對3D IC整合技術、28納米先進制程TSV(Through-Silicon Via,...

爾必達 3D芯片 2011-06-01

據稱三星完成3D芯片準備工作

　　據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產系統的建構，正準備投入量產。近來英特爾(Intel)宣告領先全球開發出3D芯片，三星也表示持有相當數量的相關技術，且已確保量產技...

三星 3D芯片 2011-05-31

Gartner：英特爾3D芯片難以稱霸移動市場

　　Gartner分析師指出，英特爾新3D Tri-Gate晶體設計將不足以達成該公司在手機與平板計算機市場的野心。　　Gartner副總裁杜拉內(Ken Dulaney)表示，英特爾(Intel)將采用突破技術支持...

英特爾 3D芯片 2011-05-10

更上一層樓:單片型3D芯片集成技術與TSV的意義與區別簡述

盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯電路部分的延遲則會提升。舉例而......

單片型 3D芯片 2011-04-24

淺談3D芯片堆疊技術現狀

　　盡管最近幾年以TSV穿硅互聯為代表的3D芯片技術在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術的實際發展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過，許多芯片制...

3D芯片堆疊 2011-04-06

聯發科技推出全球首款支持3D技術的單芯片解決方案

　　2011年1月5日，全球無線通信及數字媒體IC設計領導廠商聯發科技股份有限公司(MediaTek Inc.)今日宣布將于2011消費電子展(CES: The International Consumer Electr...

聯發科技 3D芯片 2011-01-06

Applied Materials發布TSV新設備引領3D芯片技術

　　Applied Materials正在引領通孔硅技術(TSV)實現大規模量產。TSV技術通過芯片的多層連接，實現性能提升、功能改善、小型封裝、降低功耗，被視為未來移動芯片領域的重要技術。Applied Materia...

應用材料 3D芯片 2010-07-14

未來推動芯片尺寸微縮的五種技術

　　IC尺寸微縮仍面臨挑戰。　　為了使芯片微縮，總是利用光刻技術來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術。　　1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底和...

摩爾定律 45納米 2009-07-03

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3D芯片

美國工程師研發出新型3D芯片，性能超2D芯片一個數量級

美國代工廠首個真正制造的3D芯片，采用碳納米管晶體管和內存集成于單芯片上——未來器件的能量延遲產物性能有望提升多達1000倍

采用3D芯片設計的更快、更節能的電子設備

混合鍵合在3D芯片中發揮著重要作用

默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

3D集成系統的測試自動化

3D芯片設計趨于成熟　半導體未來走向整合開發

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三星將3D芯片制造技術授權給GlobalFoundries

3D芯片時代將至光學檢測設備應用空間擴大

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

3D芯片封測準備就緒但成本需降低

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先進3D芯片堆疊的精細節距微凸點互連

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多維設計技術力促3D芯片

3D芯片堆疊技術現狀

應用材料聯合IME設立3D芯片封裝研發實驗室

Sematech與合作伙伴連手克服未來3D芯片技術挑戰

臺積電年底有望推出首款3D芯片能耗可降低50%

臺積電年底有望推出首款3D芯片

芯片大廠之路：3D芯片堆疊技術之道與魔

Atrenta和IMEC合作完成3D芯片組裝設計流程

爾必達與聯電力成合作開發TSV產品

據稱三星完成3D芯片準備工作

Gartner：英特爾3D芯片難以稱霸移動市場

更上一層樓:單片型3D芯片集成技術與TSV的意義與區別簡述

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聯發科技推出全球首款支持3D技術的單芯片解決方案

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