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標(biāo)簽

3D 閃存技術(shù)社區(qū)

技術(shù)資訊

3D 閃存

3D 閃存的相關(guān)技術(shù)資訊、3D 閃存的技術(shù)資料、3D 閃存的電路設(shè)計(jì)方案、3D 閃存的視頻資料、3D 閃存的相關(guān)元器件資料以及3D 閃存的技術(shù)應(yīng)用。

全部資訊專欄資料電路論壇

3D 閃存資訊

長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入加速期，三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人透露，計(jì)劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來(lái)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)三期擴(kuò)產(chǎn)與未來(lái)目標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是我國(guó)存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場(chǎng)...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2026-02-05

Material公司的電池為每個(gè)角落提供電力

動(dòng)力強(qiáng)勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無(wú)人機(jī)、士兵的單兵背包、智能可穿戴設(shè)備，這些產(chǎn)品有著一個(gè)共同點(diǎn)：都需要電池供電。理想狀態(tài)下，電池能精準(zhǔn)適配各類不規(guī)則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。曾參與...

Material 3D 打印 2026-02-04

卷翻內(nèi)存市場(chǎng) 中國(guó)存儲(chǔ)廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳出以「史無(wú)前例」的速度擴(kuò)張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對(duì)臺(tái)廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力，后續(xù)...

內(nèi)存存儲(chǔ)廠商 2026-02-02

芯海科技進(jìn)軍NOR閃存市場(chǎng)

中國(guó)本土芯片企業(yè)芯海科技（Cmsemicon）正式推出其首款非易失性存儲(chǔ)芯片，發(fā)布旗下首款閃存產(chǎn)品CMS25Q40A，標(biāo)志著公司正式且實(shí)質(zhì)性地進(jìn)軍存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域。據(jù)報(bào)道，該產(chǎn)品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的S...

芯?？萍?/a> 閃存 2026-01-27

三星閃存，漲價(jià)100%

周樂(lè)/券商中國(guó)存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮愈演愈烈。據(jù)最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價(jià)格提高了一倍多，漲幅遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢(shì)頭將在...

三星閃存 2026-01-26

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期

援引市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會(huì)進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬(wàn)片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

蘋果iPhone 18系列售價(jià)曝光：起步維持原價(jià)，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團(tuán)、美國(guó)銀行及摩根大通的分析報(bào)告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價(jià)方面，蘋果雖然會(huì)極力維持起步機(jī)型的發(fā)售價(jià)與前代持平，但在高存儲(chǔ)容量版本...

蘋果iPhone 18 原價(jià) 2026-01-20

傳三星將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個(gè)月有報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個(gè)有源層。長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成...

三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2026-01-19

存儲(chǔ)還要繼續(xù)瘋！英偉達(dá)ICMSP讓閃存漲停，黃仁勛要一統(tǒng)存儲(chǔ)處理器

英偉達(dá)推出全新推理上下文（Inference Context）內(nèi)存存儲(chǔ)平臺(tái)（ICMSP），通過(guò)將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標(biāo)準(zhǔn)化，解決KV緩存容量日益緊張的問(wèn)題。該平臺(tái)于 2026 年國(guó)際消...

存儲(chǔ) 英偉達(dá) 2026-01-16

Metalens 提升顯微 3D 打印精度

借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術(shù)，科學(xué)家們開(kāi)發(fā)出一種既能實(shí)現(xiàn)微觀細(xì)節(jié)又能實(shí)現(xiàn)高通量的新型3D打印技術(shù)。研究人員建議，他們的新技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)復(fù)雜納米級(jí)結(jié)構(gòu)的大規(guī)模生產(chǎn)。潛在應(yīng)用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復(fù)...

3D 打印超構(gòu)透鏡 2025-12-19

長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美國(guó)國(guó)防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國(guó)NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已就其被列入“實(shí)體清單”一事分別向美國(guó)國(guó)防部、美國(guó)商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于美國(guó)華盛頓聯(lián)邦法院對(duì)美國(guó)防部提起訴訟，要求法官阻止國(guó)防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 2025-12-11

算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

近日，英偉達(dá)宣布入股新思科技，并開(kāi)啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。作為一家以算力和應(yīng)用見(jiàn)長(zhǎng)的芯片公司，為什么要親自“下場(chǎng)”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應(yīng)的是，臺(tái)積電早已與楷登電子在先進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密...

算力巨頭 EDA 2025-12-10

1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統(tǒng)成本與功耗

如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場(chǎng)領(lǐng)域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）。先進(jìn) SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I...

NOR 閃存節(jié)能 2025-12-01

今昔對(duì)比：磁芯

我們先來(lái)聊聊磁芯最常見(jiàn)的存儲(chǔ)用途。事實(shí)證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個(gè)特別的想法：用磁芯實(shí)現(xiàn)邏輯功能（圖 1）。盡管這項(xiàng)技術(shù)從未進(jìn)入商業(yè)領(lǐng)域，但在技術(shù)層面是可行的。1...

磁芯內(nèi)存 2025-12-01

三星據(jù)報(bào)道將在研發(fā)部門調(diào)整中發(fā)布NAND技術(shù)，將削減96%的功耗

在內(nèi)存供應(yīng)緊張和價(jià)格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報(bào)道，三星開(kāi)發(fā)出了一種NAND閃存技術(shù)，能夠降低90%以上的功耗，預(yù)計(jì)將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及廣泛應(yīng)用的能效。據(jù)報(bào)道，11月27日，SAIT（...

NAND 閃存 2025-12-01

IEEE Wintechon 2025 通過(guò)數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動(dòng)印度半導(dǎo)體未來(lái)

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來(lái)”。今年，該會(huì)議由IEEE班加...

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 嵌入式系統(tǒng) 2025-11-26

低開(kāi)銷、高安全性的NOR閃存解決方案

ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動(dòng)以及其他安全功能，如片上認(rèn)證支持（見(jiàn)圖1）。它可以用于為使用不內(nèi)置這些功能的微控制器或微處理器的設(shè)計(jì)提供安全服務(wù)。標(biāo)準(zhǔn)形態(tài)意味著存儲(chǔ)芯片...

NOR 閃存 2025-11-25

通過(guò)閃存優(yōu)化的嵌入式文件系統(tǒng)確保智能電表的準(zhǔn)確性

智能電表是現(xiàn)代能源基礎(chǔ)設(shè)施的核心，支撐動(dòng)態(tài)定價(jià)、實(shí)時(shí)分析和碳核算功能。其有效性完全依賴持續(xù)的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性出現(xiàn)任何問(wèn)題，電力公司都將面臨監(jiān)管處罰、計(jì)費(fèi)糾紛和運(yùn)營(yíng)效率低下等問(wèn)題。災(zāi)難性硬件故障易于察覺(jué)和追蹤，但大多...

閃存嵌入式文件 2025-11-25

量子傳感器初創(chuàng)公司尋找三維芯片的缺陷

芯片制造商正越來(lái)越多地采用晶體管層堆疊技術(shù)，在有限空間內(nèi)集成更強(qiáng)計(jì)算能力。然而，當(dāng)前用于檢測(cè)可能導(dǎo)致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術(shù)，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過(guò)，一家初創(chuàng)公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望...

氮空位缺陷 3D 芯片 2025-11-21

全球首顆混合架構(gòu)閃存芯片，我國(guó)有望顛覆傳統(tǒng)存儲(chǔ)器體系

10月8日，復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬、劉春森團(tuán)隊(duì)在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表題為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by...

閃存芯片 2025-10-14

3D-IC將如何改變芯片設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson 坐下來(lái)討論 3D-IC 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對(duì) EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence&n...

3D-IC 芯片設(shè)計(jì) 2025-10-10

長(zhǎng)江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長(zhǎng)存集團(tuán)）召開(kāi)股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2025-10-09

美眾議院“中美戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)特別委員會(huì)”發(fā)布涉華半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備出口調(diào)查報(bào)告

根據(jù)SEMI和SEAJ的數(shù)據(jù)，2025年第二季度全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出總計(jì)330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長(zhǎng)23%。其中，中國(guó)大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意...

半導(dǎo)體芯片 2025-10-09

第一次深入真正的3D-IC設(shè)計(jì)

專家在座：半導(dǎo)體工程坐下來(lái)討論了對(duì) 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問(wèn)題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計(jì)...

3D-IC設(shè)計(jì) 2025-09-28

國(guó)產(chǎn)廠商切入下一代存儲(chǔ)技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級(jí)態(tài)勢(shì)攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開(kāi)高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對(duì)數(shù)...

3D DRAM 2025-09-12

汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動(dòng)的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣?dòng)駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對(duì)緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長(zhǎng)，這些解決方案能夠應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-I...

汽車應(yīng)用 3D-IC 2025-09-05

實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問(wèn)世

高密度 3D DRAM 可能即將到來(lái)。...

3D DRAM 2025-09-02

中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自動(dòng)駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對(duì)邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動(dòng)超低功耗邊緣智能的發(fā)展...

DRAM 閃存 2025-08-21

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開(kāi)始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案...

鎧俠 3D 閃存 2025-07-28

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國(guó)政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來(lái)說(shuō)，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻...

EDA 3D IC 2025-07-04

西門子EDA推新解決方案，助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化...

西門子EDA 3D IC 2025-07-01

2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來(lái)自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2...

2.5D/3D 芯片技術(shù) 2025-06-24

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)...

Neo Semiconductor IGZO 2025-05-14

3D打印高性能射頻傳感器

中國(guó)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 ...

3D 射頻傳感器 2025-05-12

閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。...

閃存 NAND 2025-05-06

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 West...

Sandisk 3D-NAND 2025-04-24

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！

近日，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級(jí)閃存器件，其擦寫速度達(dá)到亞納秒級(jí)別，比現(xiàn)有技術(shù)快1萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實(shí)驗(yàn)外推可達(dá)十年以上。相關(guān)研究成果已登上國(guó)際頂級(jí)期刊《Nature》。該項(xiàng)目由復(fù)旦大學(xué)集成芯...

復(fù)旦大學(xué) 閃存 2025-04-23

SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時(shí)間點(diǎn)）支付收購(gòu)尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場(chǎng)的地位，尤其是企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普...

SK海力士英特爾 2025-03-04

新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。...

3D DRAM 2025-03-04

十年磨一劍：三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)

近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采...

三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2025-02-27

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2026-02-04

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

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