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科技巨頭AI投資超過中型國家GDP下一波「外溢紅利」聚焦IC設計服務

Google、Meta、Amazon、微軟（Microsoft）等美系科技大腕，已陸續公布2026年的資本支出金額。對應生成式AI（Generative AI）發展熱潮，上述業者年度資本支出總額估計上看6,000億~6...

科技巨頭 AI 2026-02-11

長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產

近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業，主要為市場...

長江存儲半導體 2026-02-05

Material公司的電池為每個角落提供電力

動力強勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機、士兵的單兵背包、智能可穿戴設備，這些產品有著一個共同點：都需要電池供電。理想狀態下，電池能精準適配各類不規則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實現這一點。曾參與...

Material 3D 打印 2026-02-04

半導體行業漲價潮或將再起，IC設計廠商醞釀調價

據媒體報道，繼晶圓代工和封測報價接連上漲后，IC設計行業也開始醞釀漲價。聯發科已明確表示將適度調整價格，而電源管理IC廠商則表示正在等待“漲價第一槍”，以便跟進調價。業內人士評估，IC設計行業的漲價趨勢可能在農歷年后逐漸...

半導體漲價 2026-01-27

Metalens 提升顯微 3D 打印精度

借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術，科學家們開發出一種既能實現微觀細節又能實現高通量的新型3D打印技術。研究人員建議，他們的新技術有望實現復雜納米級結構的大規模生產。潛在應用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復...

3D 打印超構透鏡 2025-12-19

長江存儲對美國國防部、商務部發起訴訟

據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長江存儲 3D NAND 2025-12-11

算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發行業廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密...

算力巨頭 EDA 2025-12-10

中國大陸IC設計年市占率正式超越臺灣地區

根據IDC最新全球半導體報告預估，2026年整體半導體市場規模將達8890億美元。IDC資深研究經理曾冠瑋表示，在英偉達、AMD等AI芯片大廠與美系云端服務商自研AI芯片帶動下，美國穩居全球IC設計龍頭。但今年，中國大陸...

IC設計 2025-12-09

IEEE Wintechon 2025 通過數據、多樣性與協作驅動印度半導體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術專家、行業領袖、學術界、學生和研究人員，主題為“以數據驅動的半導體創新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加...

半導體產業嵌入式系統 2025-11-26

量子傳感器初創公司尋找三維芯片的缺陷

芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術，在有限空間內集成更強計算能力。然而，當前用于檢測可能導致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望...

氮空位缺陷 3D 芯片 2025-11-21

非云端AI芯片淡旺季節奏大亂顯示驅動IC設計加速靠攏ASIC

近日臺系顯示驅動芯片（DDI IC）業者陸續公布最新財報表現和未來展望，有鑒于中國消費市場因為先前的補貼政策已經提前實現換機需求，加上美國關稅政策讓供應鏈也決定提前拉貨，2025年下半幾乎都呈現旺季不旺，更可以說是「全年...

AI芯片顯示驅動 2025-11-11

無懼ASIC毛利率加速下滑 IC設計搶單仍拚「唯快不破」

云端AI特用芯片（ASIC）需求節節攀升，各界對其潛在市場的規模，預估數字也是愈來愈大。近期聯發科在法說會上，也將整塊市場從原先預估的400億美元，上修到500億美元，前景值得期待。不過也因更多不同背景的相關業者加入A...

ASIC IC設計 2025-11-06

3D-IC將如何改變芯片設計

專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence&n...

3D-IC 芯片設計 2025-10-10

長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中...

長江存儲半導體 2025-10-09

第一次深入真正的3D-IC設計

專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計...

3D-IC設計 2025-09-28

國產廠商切入下一代存儲技術：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發式增長，全球對算力的需求正以指數級態勢攀升。然而，人工智能的發展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統內存已難以滿足 AI 芯片對數...

3D DRAM 2025-09-12

汽車應用3D-IC：利用人工智能驅動的EDA工具打破障礙

汽車行業正在經歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術和超互聯生態系統等創新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現代汽車架構。一項有前途的發展是三維集成電路（3D-I...

汽車應用 3D-IC 2025-09-05

實現120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來。...

3D DRAM 2025-09-02

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產品計劃于?2025?年投入量產，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案...

鎧俠 3D 閃存 2025-07-28

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關注3D IC和數字孿生

從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻...

EDA 3D IC 2025-07-04

西門子EDA推新解決方案，助力簡化復雜3D IC的設計與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化...

西門子EDA 3D IC 2025-07-01

618恐成今年補貼最后一波 IC設計坦言需求難回天

2025年，中國長達一個月的618檔期終于在上周正式結束。供應鏈人士直言，政策補貼效應大概到第2季就已經進入尾聲，整個618檔期大概就是這次補貼政策的最后一波銷售帶動，相比于過去每個購物節都能繳出不錯的成績單，今年的6...

補貼 IC設計 2025-06-25

2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發展

來自日本東京科學研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統的系統級封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面（2...

2.5D/3D 芯片技術 2025-06-24

2025中國IC設計公司TOP100排行榜

EDA/IP公司和IDM并不是Fabless類別，但由于數量較少且和IC設計強相關也暫時納入了Fabless100的排名中（此排名只統計了A股），幫助大家了解其相對位置。...

IC設計 2025-05-15

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發...

Neo Semiconductor IGZO 2025-05-14

美中關稅暫時休戰，IC設計業者態度謹慎

據媒體報道，美國與中國在瑞士日內瓦的談判后，宣布暫時停止關稅對抗，為期90天。雙方將關稅降低至10%，但美國對中國芬太尼的關稅仍未取消，整體新增關稅維持在30%。科技業界對此反應冷靜，主要因為此前美國已宣布部分電子產品暫...

美中關稅 IC設計 2025-05-13

3D打印高性能射頻傳感器

中國的研究人員開發了一種開創性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現了深溝槽，同時還實現了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 ...

3D 射頻傳感器 2025-05-12

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現 AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創新，該公司聲稱該創新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 West...

Sandisk 3D-NAND 2025-04-24

IC設計業開始出現明顯兩極分化

根據TrendForce最新研究，2024年全球IC設計前十大業者，臺廠聯發科、瑞昱、聯詠再度上榜; 得益于AI熱潮的推進，英偉達不意外成為IC設計產業霸主，更獨占前十大業者總營收的50%。TrendForce分析，AI...

TrendForce IC設計 2025-03-18

通過左移DRC設計規則檢查方法降低IC設計復雜性

最成功的半導體公司都知道，集成電路（IC）設計日益復雜，這讓我們的傳統設計規則檢查（DRC）方法不堪重負。迭代的“通過校正構建”方法適用于更簡單的自定義布局，但現在卻造成了大量的運行時和資源瓶頸，阻礙了設計團隊有...

左移DRC 設計規則 2025-03-07

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。...

3D DRAM 2025-03-04

紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動

日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產線通線，現正在推動量產產品的上量和更多新產品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據產線運行情況擇機啟動。據了解，無錫紫...

紫光國微 2D/3D 2025-02-10

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據媒體報道，近日，研究人員發現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自La...

3D NAND 深孔蝕刻 2025-02-07

李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

斯坦福大學教授李飛飛已經在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學習革命中發揮了重要作用，多年來努力創建 ImageNet 數據集和競賽，挑戰 AI 系統識別 1000 個類別的物體和動物。2012...

李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正在為機器提供 3D 空間智能 2024-12-13

谷歌DeepMind發布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動世界

12月5日消息，美國當地時間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升...

谷歌 DeepMind 2024-12-05

Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應用開發的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產線上的3D測量和檢測...

Teledyne 3D測量 2024-11-27

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

據韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）...

三星光刻膠 2024-11-27

臺積電OIP推3D IC設計新標準

臺積電OIP（開放創新平臺）于美西當地時間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態系統創新，并提高EDA工具的通用性。臺積電設計構建管理處負責人Dan Ko...

臺積電 OIP 2024-09-30

英特爾傳分拆IC設計與晶圓代工可能對臺積電不利

英特爾公司（Intel Corporation）8月1日公布新一季財報后，股價出現崩盤式狂跌，面臨存亡危機。美國財經媒體近期引述知情人士說法，英特爾公司為了挽回局面，正在和投行討論各種可行方案，其中甚至包括分拆IC設計與...

英特爾 IC設計 2024-08-30

內存制造技術再創新，大廠新招數呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。...

HBM 3D DRAM 2024-07-08