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英飛凌發布《2026年GaN技術展望》：技術創新引領功率半導體領域氮化鎵高速增長

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮...

英飛凌 GaN 2026-02-11

臺積電向世界先進與格芯授權GaN技術

在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉型加速的雙重驅動下，氮化鎵（GaN）產業正步入關鍵的黃金增長期。根據TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預計將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復...

臺積電格芯 2026-02-02

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應用更多可能

在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而...

安森美 GaN 2026-01-19

在開關模式電源中使用氮化鎵技術的注意事項

本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望...

開關模式電源氮化鎵 2025-12-15

借助TOLL GaN突破太陽能系統的界限

太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統...

TOLL GaN 太陽能系統 2025-12-12

技術干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽能系統的界限

TI TOLL 2025-12-11

美國國際貿易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權案中勝訴

●? ?美國國際貿易委員會的最終裁定可能導致英諾賽科涉嫌侵權的產品被禁止進口至美國●? ?該裁決是又一項積極結果，彰顯了英飛凌在業界領先的專利組合的價值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實現高性能、高能效功率系統方面發揮著關...

美國國際貿易委員會英飛凌 2025-12-06

ST宣布用于運動控制的GaN集成電路平臺

意法半導體發布了新的智能電源組件，使家用電器和工業驅動能夠利用最新的氮化鎵技術，提升能源效率、性能提升并節省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現極高效率以滿足嚴格的...

ST 運動控制 2025-12-02

STicroelectronics 新的 GaN 集成電路運動控制平臺提升了電器能耗

意法半導體發布了新的智能電力組件，使家用電器和工業驅動能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術，提升能源效率、性能提升并節省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現極高效率以...

意法半導體 GaN ICs 2025-12-01

Allegro與英諾賽科聯合推出全GaN參考設計，賦能AI數據中心電源

全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達克股票代碼：ALGM)，與全球領先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科?(Innosc...

Allegro 英諾賽科 2025-11-26

使用 p-GaN 屏蔽提高開關速度

電力電子產品的銷售額預計將在這十年及以后飆升。推動這一趨勢的是電動汽車產量的增加和數據中心的增長，由于人工智能的采用，數據中心的電力需求更加苛刻。對于使用電力電子的每種應用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程...

p-GaN 屏蔽 2025-11-10

Yole:消費、汽車和數據中心推動GaN復合年增長率達42%

Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場預計將達到 30 億美元，2024 年至 2030 年復合年增長率為 42%。消費電子產品是領先的采用者，功率氮化鎵繼續在快速充電器領域占據主導地位。盡管與 xEV...

Yole GaN 2025-11-03

意法半導體半橋柵極驅動器簡化低壓系統中的GaN電路設計

意法半導體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅動器是為工業或電信設備母線電壓供電系統、72V電池系統和110V交流電源供電設備專門設計，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩壓器...

意法半導體半橋柵極驅動器 2025-10-27

在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來，工業電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關頻率下實現高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產生巨大的熱損耗...

ADI LTspice 2025-10-23

GaN成AI服務器電源芯片競爭焦點，未來應用潛力巨大

據相關報道，隨著NVIDIA宣布AI服務器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領域迎來了新的技術競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關注的核心。近年來，多家企業積極投入GaN技術的研發，使其應用...

GaN AI服務器 2025-10-21

Power Integrations發布新技術白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數據中心的1250V和1700V PowiGaN技術

深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優勢。這份白皮書發布于圣何塞舉行的2025年開...

Power Integrations 數據中心 2025-10-15

Imec推出300mm GaN計劃以驅動下一代功率器件

Imec 啟動了一項新的開放式創新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標志著功率半導體行業向前邁出了重要一步。對于...

Imec 300mm 2025-10-11

納芯微攜手聯合電子與英諾賽科，共創新能源汽車功率電子新格局

2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰略合作協議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系...

納芯微聯合電子 2025-09-30

技術干貨 | 采用 GaN 的 Cyclo 轉換器如何幫助優化微型逆變器和便攜式電源設計

摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續增長，部分原因是人們對更具可持續性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產品將微型逆變器與小型電池儲能系統結合在一起），這兩種技術的普及率可能會進一步提升。...

202509 德州儀器 2025-09-16

SiC和GaN技術重塑電力電子行業前景

電力電子行業將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩...

SiC GaN 2025-09-15

無需鉗位電路實現動態導通電阻RDS(on)的測量技術

_____動態導通電阻（RDS(on)）是電源轉換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數。然而，關于其測量技術的知識體系仍相對較新。傳統的動態RDS(on)測量技術依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏...

動態導通電阻 RDS(on)測量 2025-09-10

GaN市場，蓄勢待發

GaN 是近日半導體市場的熱點詞匯之一。...

GaN 2025-09-10

采用GaN的Cyclo轉換器如何幫助優化微型逆變器和便攜式電源設計

1.簡介微型逆變器中的功率轉換系統通常采用兩級式設計，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），然后是另一個交流/直流級（自換向交流/直流或圖騰柱 PF...

2202509 GaN 2025-08-20

單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數量？

與傳統硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導通電阻和更小的寄生電容。半導體工程師現在正在...

GaN 功率IC 2025-08-08

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設計的關鍵要點與性能優勢解析

隨著全球對能源可持續性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統需求持續攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相...

TI IGBT 2025-07-29

GaN如何讓光伏充電控制器更高效更小巧？TI給出答案

在光伏系統中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽能利用率和安裝成本。傳統設計多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過集成驅動與電源環路優化，為光伏充電控制器帶來了效率、尺寸與成本...

TI GaN 2025-07-29

第三代半導體洗牌GaN躍居主角

拓墣產業研究院最新報告指出，第三代半導體產業競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規模將達7....

第三代半導體 GaN 2025-07-28

GaN如何改進光伏充電控制器

本應用簡報介紹TI GaN器件如何改進光伏充電控制器。與MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并減小PCB尺寸，而且不會增加BOM成本。...

GaN 光伏充電控制器 2025-07-25

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12

英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進展

隨著對 GaN 半導體的需求持續增長，Infineon Technologies AG 已準備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領先集成器件制造商（IDM）的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴...

英飛凌 300毫米 2025-07-11

GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據《科創板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉...

GaN 代工模型 2025-07-11

瑞薩電子推出用于AI數據中心、工業及電源系統的全新GaN FET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和...

瑞薩電子 AI數據中心 2025-07-08

臺積電退出后英飛凌加快GaN推進今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大努力。根據其新聞稿，英飛凌利用其強大的 IDM 模型，正在推進其 300 毫米晶圓的可擴展 GaN 生產，首批客戶樣品計劃于 2...

臺積電英飛凌 2025-07-08

650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 ...

650V GaN 2025-07-04

臺積電無預警退出GaN市場納微有望接手美國訂單

國際功率半導體廠納微半導體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結束氮化鎵（GaN）晶圓代工業務，擬向力積電尋求產能支持。對此，臺積電回應表示，經過完整評估后，決定在未來兩年內逐步退...

臺積電納微半導體 2025-07-04

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型...

瑞薩 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高電壓的衛星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛星制造商過渡到更高電壓的電源總...

GaN FET 衛星電源 2025-07-01

Wise計劃將GaN和數字控制器封裝在一起

法國電力初創公司 Wise Integration 正計劃推出一種帶有氮化鎵（GaN）晶體管的聯合封裝數字控制器，以簡化工業和數據中心 AI 電源系統的設計。與此同時，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數校...

Wise GaN 2025-06-30

采用3D芯片設計的更快、更節能的電子設備

麻省理工學院和其他地方的研究人員開發了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低...

3D芯片電子設備 2025-06-19

GAN