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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長(zhǎng)

●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開(kāi)關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場(chǎng)氮...

英飛凌 GaN 2026-02-11

臺(tái)積電向世界先進(jìn)與格芯授權(quán)GaN技術(shù)

在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動(dòng)下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長(zhǎng)期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2024年的3.9億美元快速增長(zhǎng)至2030年的35.1億美元，年復(fù)...

臺(tái)積電格芯 2026-02-02

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而...

安森美 GaN 2026-01-19

在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)

本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開(kāi)關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開(kāi)關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動(dòng)器和控制器的優(yōu)勢(shì)。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開(kāi)關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望...

開(kāi)關(guān)模式電源氮化鎵 2025-12-15

借助TOLL GaN突破太陽(yáng)能系統(tǒng)的界限

太陽(yáng)能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽(yáng)能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)...

TOLL GaN 太陽(yáng)能系統(tǒng) 2025-12-12

技術(shù)干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽(yáng)能系統(tǒng)的界限

TI TOLL 2025-12-11

美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴

●? ?美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó)●? ?該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價(jià)值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實(shí)現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)...

美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì) 英飛凌 2025-12-06

ST宣布用于運(yùn)動(dòng)控制的GaN集成電路平臺(tái)

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電源組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動(dòng)能夠利用最新的氮化鎵技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場(chǎng)上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以滿足嚴(yán)格的...

ST 運(yùn)動(dòng)控制 2025-12-02

STicroelectronics 新的 GaN 集成電路運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)提升了電器能耗

意法半導(dǎo)體發(fā)布了新的智能電力組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動(dòng)能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場(chǎng)上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實(shí)現(xiàn)極高效率以...

意法半導(dǎo)體 GaN ICs 2025-12-01

Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計(jì)，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源

全球運(yùn)動(dòng)控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡(jiǎn)稱“Allegro”，納斯達(dá)克股票代碼：ALGM)，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商英諾賽科?(Innosc...

Allegro 英諾賽科 2025-11-26

使用 p-GaN 屏蔽提高開(kāi)關(guān)速度

電力電子產(chǎn)品的銷售額預(yù)計(jì)將在這十年及以后飆升。推動(dòng)這一趨勢(shì)的是電動(dòng)汽車產(chǎn)量的增加和數(shù)據(jù)中心的增長(zhǎng)，由于人工智能的采用，數(shù)據(jù)中心的電力需求更加苛刻。對(duì)于使用電力電子的每種應(yīng)用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程...

p-GaN 屏蔽 2025-11-10

Yole:消費(fèi)、汽車和數(shù)據(jù)中心推動(dòng)GaN復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)42%

Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到 30 億美元，2024 年至 2030 年復(fù)合年增長(zhǎng)率為 42%。消費(fèi)電子產(chǎn)品是領(lǐng)先的采用者，功率氮化鎵繼續(xù)在快速充電器領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管與 xEV...

Yole GaN 2025-11-03

意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)化低壓系統(tǒng)中的GaN電路設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動(dòng)器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門(mén)設(shè)計(jì)，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩(wěn)壓器...

意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 2025-10-27

在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來(lái)，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱損耗...

ADI LTspice 2025-10-23

GaN成AI服務(wù)器電源芯片競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，未來(lái)應(yīng)用潛力巨大

據(jù)相關(guān)報(bào)道，隨著NVIDIA宣布AI服務(wù)器進(jìn)入800V高電壓供電時(shí)代，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)了新的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導(dǎo)體的重要代表，正成為市場(chǎng)關(guān)注的核心。近年來(lái)，多家企業(yè)積極投入GaN技術(shù)的研發(fā)，使其應(yīng)用...

GaN AI服務(wù)器 2025-10-21

Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書(shū)，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書(shū)，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來(lái)的顯著優(yōu)勢(shì)。這份白皮書(shū)發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開(kāi)...

Power Integrations 數(shù)據(jù)中心 2025-10-15

Imec推出300mm GaN計(jì)劃以驅(qū)動(dòng)下一代功率器件

Imec 啟動(dòng)了一項(xiàng)新的開(kāi)放式創(chuàng)新計(jì)劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術(shù)。該計(jì)劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時(shí)降低制造成本，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體行業(yè)向前邁出了重要一步。對(duì)于...

Imec 300mm 2025-10-11

納芯微攜手聯(lián)合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局

2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系...

納芯微聯(lián)合電子 2025-09-30

技術(shù)干貨 | 采用 GaN 的 Cyclo 轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計(jì)

摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長(zhǎng)，部分原因是人們對(duì)更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽(yáng)臺(tái)型逆變器（該產(chǎn)品將微型逆變器與小型電池儲(chǔ)能系統(tǒng)結(jié)合在一起），這兩種技術(shù)的普及率可能會(huì)進(jìn)一步提升。...

202509 德州儀器 2025-09-16

SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景

電力電子行業(yè)將進(jìn)入增長(zhǎng)的最后階段，預(yù)計(jì)到 2025 年評(píng)估市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到 517.3 億美元，到 2030 年將達(dá)到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復(fù)合年增長(zhǎng)率源于對(duì)能源效率、可再生能源集成和半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)的需求穩(wěn)...

SiC GaN 2025-09-15

無(wú)需鉗位電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測(cè)量技術(shù)

_____動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測(cè)量技術(shù)的知識(shí)體系仍相對(duì)較新。傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測(cè)量漏...

動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 RDS(on)測(cè)量 2025-09-10

GaN市場(chǎng)，蓄勢(shì)待發(fā)

GaN 是近日半導(dǎo)體市場(chǎng)的熱點(diǎn)詞匯之一。...

GaN 2025-09-10

采用GaN的Cyclo轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計(jì)

1.簡(jiǎn)介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級(jí)式設(shè)計(jì)，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級(jí)拓?fù)湓谶@種方案中，首先是一個(gè)直流/直流級(jí)（反激式或推挽式升壓級(jí)），然后是另一個(gè)交流/直流級(jí)（自換向交流/直流或圖騰柱 PF...

2202509 GaN 2025-08-20

單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數(shù)量？

與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢(shì)，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容。半導(dǎo)體工程師現(xiàn)在正在...

GaN 功率IC 2025-08-08

瑞薩電子通過(guò)下一代功率FET將GaN推向千瓦級(jí)

幾十年來(lái)，硅一直是電力電子領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的領(lǐng)導(dǎo)者。但隨著硅達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進(jìn)展。憑借更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費(fèi)類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)成本、...

瑞薩電子功率 2025-08-06

從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要點(diǎn)與性能優(yōu)勢(shì)解析

隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫，住宅太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當(dāng)前市場(chǎng)上，2kW級(jí)微型逆變器已實(shí)現(xiàn)集成儲(chǔ)能功能，而更高功率場(chǎng)景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相...

TI IGBT 2025-07-29

GaN如何讓光伏充電控制器更高效更小巧？TI給出答案

在光伏系統(tǒng)中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽(yáng)能利用率和安裝成本。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)與電源環(huán)路優(yōu)化，為光伏充電控制器帶來(lái)了效率、尺寸與成本...

TI GaN 2025-07-29

第三代半導(dǎo)體洗牌GaN躍居主角

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告指出，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺(tái)、航空航天、AI運(yùn)算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。拓墣預(yù)估，2025年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)7....

第三代半導(dǎo)體 GaN 2025-07-28

GaN如何改進(jìn)光伏充電控制器

本應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)介紹TI GaN器件如何改進(jìn)光伏充電控制器。與MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并減小PCB尺寸，而且不會(huì)增加BOM成本。...

GaN 光伏充電控制器 2025-07-25

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng)，尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí)，也可以選用連接了儲(chǔ)能系統(tǒng)的串式逆變器...

德州儀器 GaN FET 2025-07-12

英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進(jìn)展

隨著對(duì) GaN 半導(dǎo)體的需求持續(xù)增長(zhǎng)，Infineon Technologies AG 已準(zhǔn)備好利用這一趨勢(shì)，鞏固其作為 GaN 市場(chǎng)領(lǐng)先集成器件制造商（IDM）的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴(kuò)...

英飛凌 300毫米 2025-07-11

GaN代工模型是否面臨問(wèn)題？Innoscience參與臺(tái)積電2027退出

雖然臺(tái)積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標(biāo)志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動(dòng)了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》的報(bào)道，中國(guó)英諾賽科董事會(huì)主席羅偉偉...

GaN 代工模型 2025-07-11

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和...

瑞薩電子 AI數(shù)據(jù)中心 2025-07-08

臺(tái)積電退出后英飛凌加快GaN推進(jìn) 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

雖然臺(tái)積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強(qiáng)大的 IDM 模型，正在推進(jìn)其 300 毫米晶圓的可擴(kuò)展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計(jì)劃于 2...

臺(tái)積電英飛凌 2025-07-08

650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對(duì)SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺(tái)，該平臺(tái)具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購(gòu) Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品線集成后對(duì) ...

650V GaN 2025-07-04

臺(tái)積電無(wú)預(yù)警退出GaN市場(chǎng) 納微有望接手美國(guó)訂單

國(guó)際功率半導(dǎo)體廠納微半導(dǎo)體于提交美國(guó)證券交易委員會(huì)（SEC）消息指出，臺(tái)積電將于2027年7月31日結(jié)束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。對(duì)此，臺(tái)積電回應(yīng)表示，經(jīng)過(guò)完整評(píng)估后，決定在未來(lái)兩年內(nèi)逐步退...

臺(tái)積電納微半導(dǎo)體 2025-07-04

瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型...

瑞薩 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹(shù)立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過(guò)渡到更高電壓的電源總...

GaN FET 衛(wèi)星電源 2025-07-01

Wise計(jì)劃將GaN和數(shù)字控制器封裝在一起

法國(guó)電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計(jì)劃推出一種帶有氮化鎵（GaN）晶體管的聯(lián)合封裝數(shù)字控制器，以簡(jiǎn)化工業(yè)和數(shù)據(jù)中心 AI 電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。與此同時(shí)，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校...

Wise GaN 2025-06-30

采用3D芯片設(shè)計(jì)的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備

麻省理工學(xué)院和其他地方的研究人員開(kāi)發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標(biāo)準(zhǔn)硅 CMOS 芯片上來(lái)自麻省理工學(xué)院網(wǎng)站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構(gòu)建許多微小的晶體管，切出每個(gè)單獨(dú)的晶體管，然后使用低...

3D芯片電子設(shè)備 2025-06-19