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HBM4競爭格局生變

總部位于美國的第三大DRAM供應(yīng)商美光可能會被排除在英偉達(dá)的首批第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）供應(yīng)鏈之外，預(yù)計英偉達(dá)、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應(yīng)將由韓國企業(yè)三星、SK海力士瓜分。但也有觀點認(rèn)為美光被排除在初始...

HBM4 三星 2026-02-12

三星、SK海力士HBM4：16層堆疊封裝誰更勝一籌？

綜合韓媒報道，三星電子和SK海力士在第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）領(lǐng)域均已掌握16層堆疊封裝技術(shù)，并具備量產(chǎn)能力。不過，兩家企業(yè)的技術(shù)路線存在差異：三星采用非導(dǎo)電薄膜熱壓縮（TC-NCF）技術(shù)，而SK海力士則選擇了Adva...

三星 SK海力士 2026-02-05

為滿足英偉達(dá)需求，三星、SK海力士被曝?fù)屧跍y試完成前量產(chǎn)HBM4

2 月 2 日消息，據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報道，高帶寬內(nèi)存（HBM）的量產(chǎn)節(jié)奏正在被重新改寫。傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)品一般都是先用樣品完成客戶的質(zhì)量認(rèn)證測試，通過之后才進(jìn)入正式量產(chǎn)，但在 HBM 供應(yīng)鏈上，為了緊跟核心客...

英偉達(dá) 三星 2026-02-02

消息稱SK海力士已拿下英偉達(dá)三分之二HBM4訂單

1 月 28 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報道，在今年圍繞下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM4 供應(yīng)的競爭讓半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)升溫之際，業(yè)內(nèi)消息稱，SK 海力士已拿下最大客戶英偉達(dá)超過三分之二的訂單量。消息稱英偉達(dá)今年用于下一代 AI 平...

SK 海力士 2026-01-28

HBM4因重新設(shè)計而延遲一季度交付

HBM4的量產(chǎn)最早推遲到第一季度末，TrendForce也因英偉達(dá)將其Rubin平臺的引腳速度提升至超過11Gbps，海力士、三星和美光對引腳速度進(jìn)行了重新設(shè)計。據(jù)稱，這三家公司都提交了重新設(shè)計的樣品。據(jù)稱三星采用了比其...

HBM4 2026-01-12

SK海力士2026展望：HBM3E主導(dǎo)，HBM4雙重策略在三大市場逆風(fēng)中顯現(xiàn)

隨著整體內(nèi)存價格飆升和HBM4的臨近，2026年可能成為存儲巨頭的又一個里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）發(fā)布的新年致辭中指出，即使HBM4在提升產(chǎn)能，HBM3E今年仍將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，預(yù)計其將在2026年占HBM總...

SK海力士 HBM3 2026-01-05

HBM4價格漲幅超50%，三星緊追SK海力士

最近，SK海力士完成了與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價格談判。根據(jù)雙方協(xié)議，HBM4的最終供應(yīng)價格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過50%。不過，由于HBM4采用更復(fù)雜的堆疊技術(shù)（如混合鍵合技術(shù)），...

HBM4 三星 2025-12-02

據(jù)報道，英偉達(dá)計劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動內(nèi)存、芯片市場

市場傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時報》報道，該芯片預(yù)計將基于 3 納米工藝節(jié)點，小批量試生產(chǎn)計劃于 2027 年下半年進(jìn)行。...

英偉達(dá) 內(nèi)存 2025-08-18

美光開始向客戶提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬

美光本周宣布，該公司已開始向主要客戶運送其下一代 HBM4 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 G...

美光 HBM4 2025-06-13

HBM4爭霸戰(zhàn)開打美光領(lǐng)跑

生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。其中，美光搶先宣布送樣，技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢明顯。美光12日宣布，已將最新...

HBM4 美光 2025-06-13

三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報道。高帶寬...

三星 HBM4 2025-05-14

4月16日，微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定者JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了備受業(yè)界期待的HBM4標(biāo)準(zhǔn)。HBM4標(biāo)準(zhǔn)作為先前HBM3標(biāo)準(zhǔn)的升級版，將進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高帶寬、更高能效及每顆芯片/堆疊的容量等基本特征。...

HBM4 2025-04-18

HBM4標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

據(jù)報道，當(dāng)?shù)貢r間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布，正式推出HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設(shè)定了更高的帶寬性能標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方...

HBM4 存儲技術(shù) 2025-04-18

創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺積電N3P制程成功投片

創(chuàng)意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進(jìn)N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝，成為業(yè)界首個實現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應(yīng)用樹...

創(chuàng)意 HBM4 2025-04-03

HBM新技術(shù)，橫空出世

AI 的火熱，令 HBM 也成了緊俏貨。業(yè)界各處都在喊：HBM 缺貨！HBM 增產(chǎn)！把 DDR4/DDR3 產(chǎn)線轉(zhuǎn)向生產(chǎn) DDR5/HBM 等先進(jìn)產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，未來 HBM 市場...

HBM4 2025-03-24

消息稱三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試產(chǎn)

據(jù)韓媒報道，近日，三星電子在其內(nèi)存業(yè)務(wù)部已完成HBM4內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計，且Foundry已根據(jù)該設(shè)計正式啟動了4nm制程的試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的 HBM4 內(nèi)存樣品。此前消...

三星 HBM4 2025-01-06

臺積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個HBM4堆棧

據(jù)媒體報道，日前，臺積電11月歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認(rèn)證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達(dá)9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內(nèi)存堆棧，推測它將在2027年...

臺積電 CoWoS 2024-12-02

英偉達(dá)、臺積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存2026年量產(chǎn)

7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達(dá)、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時代共同推進(jìn) HBM4 等下一代技術(shù)。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON ...

英偉達(dá) 臺積電 2024-07-15

傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

據(jù)韓媒報道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購T...

ASMPT 美光 2024-07-01

HBM4技術(shù)競賽，進(jìn)入白熱化

HBM（HighBandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片，其實就是將很多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突...

HBM4 2024-06-20

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持?jǐn)?shù)據(jù)中心規(guī)模、一...

NVIDIA Rubin 2024-06-03

這一次，三星被臺積電卡脖子了

在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺積電是純粹的競爭關(guān)系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。據(jù) DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內(nèi)存尚未通過英偉達(dá)的測試，仍需要進(jìn)一步驗...

HBM3E HBM4 2024-05-21

臺積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在...

臺積電 12nm 2024-05-17

顛覆性的HBM4

一位業(yè)內(nèi)人士表示，「『半導(dǎo)體游戲規(guī)則』可能在 10 年內(nèi)改變，區(qū)別存儲半導(dǎo)體和邏輯半導(dǎo)體可能變得毫無意義」。HBM4，魅力為何如此？技術(shù)的突破2023 年，在 AI 技術(shù)應(yīng)用的推動下，數(shù)據(jù)呈現(xiàn)出爆炸式的增長，大幅度推升了...

HBM4 2023-12-14

存儲器大廠：HBM4，2025年供貨！

人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺前，市場需求持續(xù)看漲。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、...

存儲器 HBM4 2023-10-11

三星正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨

三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)...

三星 HBM3E 2023-10-11

HBM4將迎來大突破？

AI大勢下，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場關(guān)注。近期，媒體報道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口。自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從...

HBM4 2023-09-18

傳三星預(yù)計2026年量產(chǎn)新一代HBM4

據(jù)韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個，擁有超過2...

三星 HBM4 2023-09-12

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HBM4