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人工智能與機器人技術推動氮化鎵功率器件市場爆發

氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數據中心、機器人、電動汽車、可再生能源等多個行業，同時還切入數字醫療、量子計算等新興領域，這一趨勢推動氮化鎵市場從今年到 2030 年實現顯著增長。尤其在數據中心市場，采用新型...

人工智能機器人 2026-02-11

意法半導體推出面向電機控制的全新氮化鎵（GaN）IC平臺，助力家電能效升級

意法半導體近日推出全新的智能功率器件，使家用電器和工業驅動設備能夠利用最新的氮化鎵（GaN）技術，顯著提升能效、增強性能并降低成本。目前市場上已有的GaN電源適配器和充電器可為筆記本電腦和USB-C快充提供高功率輸出，并...

意法半導體氮化鎵 2026-01-29

高密度直流-直流轉換器從電網延伸到車廂再到鐵芯

從以可再生能源為主的電網到人工智能數據中心，各領域的電力需求都在持續攀升，這也對電力電子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空間內實現更優性能。電力的傳輸需要經過復雜的直流 - 直流轉換流程，電壓等級會從電網的高壓逐步...

高密度轉換器 2026-01-23

英飛凌推出首款100V車規級晶體管，推動汽車領域氮化鎵（GaN）技術創新

簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的...

英飛凌 CoolGaN 100V G1系列 2026-01-16

難以捉摸的藍色LED：研究人員最終是如何取得勝利的？

很難想象，首款藍光 LED 的問世時間竟然晚至 1993 年。這類器件看似構造簡單，但表象往往具有迷惑性（見圖 1）。1. 圖像顯示一個藍色InGaN基LED帶金線觸點（0.4 × 0.4毫米）（a）。作為商業產品包裝的...

LED 亞硒化鋅 2026-01-15

氮化鎵上車進行時：從器件特性到系統效率的全面驗證

_____2025年12月，匯川聯合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統在長安汽車成功裝車。這標志著氮化鎵技術在中國新能源汽車領域邁出關鍵一步。該系統將車載充電器與車載直流變換器高度集...

氮化鎵上車氮化鎵 2026-01-08

GlobalFoundries與onsemi合作開發200毫米氮化鎵產品組合

Globalfoundries（GF）與OnSemi簽署協議，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工藝開發和制造先進氮化鎵功率產品。初期開發重點將是用于AI數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航...

GlobalFoundries onsemi 2025-12-19

在開關模式電源中使用氮化鎵技術的注意事項

本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望...

開關模式電源氮化鎵 2025-12-15

恩智浦將關閉ECHO Fab晶圓廠，退出氮化鎵5G PA芯片制造

12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業也將退出氮化鎵 (GaN) 半導體 5G PA（功率放大器）芯片的制造...

恩智浦 ECHO Fab 2025-12-15

JFS宣布氮化鎵動力模塊取得新突破，準備進行試點規模驗證

2025年12月4日，九風山（JFS）實驗室宣布了一項重大技術突破——氮化鎵（GaN）動力模塊的成功開發。這些大約拇指大小的“黑盒子”，每個大約有百萬個縮略圖，可以集成到一個1吉瓦（10億瓦）的超大規模AI計算柜中。一旦...

氮化鎵 AI 2025-12-15

設計中的輻射硬質：下一代航天與國防系統的氮化鎵半導彈

航天器必須搭載抗輻射（rad-hard）電子設備，因為輻射極易導致電子器件故障。因此，電源管理器件對于為衛星和航天器上的所有電子設備供電至關重要，尤其是當航天器內有宇航員時。例如，深空任務可能會遭遇背景輻射產生的中子、放...

航天器抗輻射 2025-12-09

安森美與英諾賽科達成戰略合作協議，共同加速推進全球氮化鎵產業生態建設

安森美（onsemi）近日宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器...

安森美英諾賽科 2025-12-05

安塞米與中國Innoscience合作開發低/中壓氮化鎵樣

onsemi與Innoscience于12月2日簽署了諒解備忘錄（MoU），加快氮化鎵（GaN）電源設備的部署，起步于40–200V電壓產品。安塞米預計采樣將在2026年上半年開始，正如其新聞稿所述。該合作旨在將Onse...

氮化鎵 2025-12-04

英飛凌氮化鎵技術賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器

英飛凌科技股份公司近日宣布將為Enphase Energy, Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵（GaN）技術。Enphase Energy是一家全球領先的能源技術公司，同時也是光伏及電池系統微...

英飛凌氮化鎵 2025-11-24

【電動車和能效亮點】格羅方德與臺積電攜手，推進面向多元應用場景的氮化鎵技術研發

格羅方德（GF）日前宣布，與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術達成技術許可協議。這一戰略布局將加速格羅方德面向數據中心、工業和汽車電源應用的下一代氮化鎵產品的開發，并為全球客戶提供美國本土的氮化鎵產能。Sour...

格羅方德臺積電 2025-11-20

基于氮化鎵的緊湊型65W至140W PD充電器，支持醫療和工業技術應用中的快速充電

基于氮化鎵的緊湊型65W至140W PD充電器，支持醫療和工業技術應用中的快速充電...

氮化鎵 PD充電器 2025-11-12

氮化鎵：用“LiChi定律”跟蹤快速充電

半導體行業充滿知名的定律。其中最著名的是英特爾聯合創始人戈登·摩爾（Gordon Moore）指出，IC 上的組件數量每年翻一番。許多人還知道羅伯特·德納德（Robert Denard）制定的定律：隨著晶體管尺寸...

氮化鎵 LiChi定律 2025-11-11

垂直氮化鎵晶體管：起飛時間

垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時提供卓越的可靠性并簡化熱管理。然而，初創企業將垂直氮化鎵晶體管商業化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業上取得了成功，部...

氮化鎵晶體管 2025-11-10

用于機器人肢體關節的氮化鎵的電機驅動器

EPC設計了一種用于機器人肢體關節的基于GaN的電機驅動器。眾所周知，EPC91120是一款評估板，采用直徑為 32 毫米的圓形封裝的三相無刷直流電機驅動器，旨在直接內置到機器人電機組件中，特別是與機器狗的一部分的 Un...

機器人肢體關節 2025-11-07

利用基于氮化鎵的解決方案為下一代 800 伏直流 AI 數據中心提供動力

Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技術在為下一代 AI 數據中心供電方面的實用性，強調了其 PowiGaN 氮化鎵（GaN）技術在...

氮化鎵 800伏 2025-10-26

人工智能、汽車和機器人推動氮化鎵市場繁榮

氮化鎵（GaN）已成為功率電子市場的主要增長引擎。憑借優越的材料特性，GaN 在高頻、高效率和緊湊型電源應用中具有獨特優勢，推動多個行業領域進入新一輪的技術變革。根據 TrendForce 的預測，GaN 功率器件市場預...

人工智能汽車電子 2025-08-13

N極深凹槽E型氮化鎵HEMT

美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽（NPDR）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi ...

N極深凹槽E型氮化鎵 2025-08-12

氮化鎵雙向開關推動電力電子技術變革

校對：宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監...

氮化鎵雙向開關氮化鎵 2025-07-10

BelGaN 破產將使比利時損失 100 萬歐元；氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

BelGaN 在比利時的氮化鎵功率半導體工廠去年關閉。據 eeNews Europe 的報道，有報道稱三個財團有興趣收購該設施，主要用于光子應用。報道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報告稱，關閉預...

氮化鎵功率半導體 2025-07-10

英飛凌加速氮化鎵推廣，而臺積電退出，預計2025年第四季度提供300毫米晶圓樣品

雖然臺積電計劃在 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大力度。憑借其強大的 IDM 模式，英飛凌根據其新聞稿，正在推進其在 300 毫米晶圓上的可擴展氮化鎵生產，首批客戶樣品定于 202...

英飛凌氮化鎵 2025-07-07

臺積電將逐步淘汰其氮化鎵業務

臺積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內逐步淘汰其化合物半導體氮化鎵（GaN）業務，并援引市場動態。這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會影響其之前宣布的財務目標?！拔覀冋谂c客戶密切合作，以確保平穩過渡，...

臺積電氮化鎵 2025-07-04

瑞薩電子加大對氮化鎵的投入，競爭日益激烈

Renesas Electronics 表示，隨著市場競爭加劇，公司正在加大對其氮化鎵（GaN）功率器件的承諾，并轉向使用 200 毫米晶圓和 650V d 模式器件。Navitas Semiconductor 也通過與...

瑞薩氮化鎵 2025-07-03

如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術

本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具...

開關電源 SMPS 2025-06-09

英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN?功率模塊，進一步擴大其氮化鎵功率產品組合

隨著AI數據中心的快速發展、電動汽車的日益普及，以及全球數字化和再工業化趨勢的持續，預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，...

英飛凌 EasyPACK 2025-05-15

功率器件新突破！氮化鎵實現單片集成雙向開關

氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力...

英飛凌氮化鎵 2025-05-12

桌面收納好幫手，用電安全再升級，航嘉充吧靈動 H67評測

航嘉深耕電源領域30余年，始終以技術創新與安全標準引領行業發展。此前航嘉推出的充吧產品持續迭代，如充吧高能 W68，以 68W 雙 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技術，成為桌面充電領域的...

航嘉氮化鎵 2025-04-17

意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議

●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議，致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術●? ?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產能...

意法半導體英諾賽科 2025-04-05

九峰山實驗室推出全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺

近日，九峰山實驗室發布國內首個100 nm硅基氮化鎵商用工藝設計套（PDK），性能指標達到國內領先、國際一流水平。作為全球第二個、國內首個商用方案，其技術指標可支撐高通量Ku/Ka頻段低軌衛星通信，能夠滿足下一代移動通信...

九峰山實驗室 100nm 2025-03-24

拆解報告：航嘉40W氮化鎵快充充電器

本期充電頭網繼續為大家帶來航嘉靈動F40 Pro 40W氮化鎵快速充電器的拆解，這款產品基于此前經典G35 Pro款進行設計，除新增可折疊插腳設計外，外觀以及大小等基本沒有變化，不過功率提升至40W，并且還支持20W+2...

氮化鎵快速充電器 2025-02-20

氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

據英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯合交易所主板掛牌上市。據了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發與制造的高新技術企業，擁有全球最大的氮化鎵功率半導...

英諾賽科氮化鎵 2024-12-31

羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰略合作伙伴關系

12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發和量產事宜建立戰略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HE...

羅姆臺積電 2024-12-12

發力氮化鎵，格芯獲巨額補貼

12月4日，據GlobalFoundries（格芯）官網消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產。據介紹...

氮化鎵格芯 2024-12-06

氮化鎵的未來：IDM 還是 Fabless

今年十月份，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導體領域加強與臺積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產品將全面委托臺積電代工生產。值得注意的是，羅姆之前主要利用內部工廠來生產相關器件，但是近年...

氮化鎵 Fabless 2024-11-25

英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心...

英飛凌氮化鎵 2024-11-21

敢想敢做，PI推出業界首款1700V氮化鎵開關IC

1932年，研究人員在George Herbert Jones實驗室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進行反應，成功合成了GaN材料。近一個世紀的時間里，氮化鎵逐漸引領著功率變換領域的新一輪變革。特別是Powe...

PI 氮化鎵 2024-11-13