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華邦電子預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格到2026年6月將暴漲近4倍，產(chǎn)能已預(yù)訂至2027年

AI應(yīng)用持續(xù)推動內(nèi)存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應(yīng)緊張已成為當(dāng)前焦點(diǎn)。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，公司表示DRAM短缺將持續(xù)存在，本季度內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望...

華邦 DRAM 2026-02-12

如何走出DRAM短缺困境？

如今科技領(lǐng)域似乎一切都圍繞AI展開，而事實(shí)也的確如此。在計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場，這一點(diǎn)體現(xiàn)得尤為明顯。為AI數(shù)據(jù)中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導(dǎo)致原本用于其他領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)能被分流，價(jià)格也...

DRAM GPU 2026-02-12

英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內(nèi)存項(xiàng)目

2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達(dá)成合作，共同研發(fā) Z-Angle 內(nèi)存（ZAM），其內(nèi)存領(lǐng)域的野心再度引發(fā)關(guān)注。根據(jù)雙方發(fā)布的新聞稿，該項(xiàng)目將于 2026 年第一季度啟動，預(yù)計(jì) 2027 年...

英特爾 DRAM 2026-02-04

電動車企成本的“完美風(fēng)暴”正在形成

瑞銀在最新研報(bào)中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關(guān)鍵零部件（存儲芯片DRAM）價(jià)格的劇烈反彈。據(jù)該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成...

電動車 DRAM 2026-02-03

上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價(jià)信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類...

存儲 NAND 2026-01-27

瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業(yè) 2大品牌最危險(xiǎn)

生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，卻可能為汽車供應(yīng)鏈埋下新的不確定性。瑞銀最新發(fā)布的全球汽車產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告警告，受AI服務(wù)器需求暴增影響，DRAM產(chǎn)能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導(dǎo)致汽車級存儲器面臨價(jià)...

瑞銀 DRAM 2026-01-23

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價(jià)格上漲9.64%。與此同時(shí)，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

2026年全球DRAM供應(yīng)仍將嚴(yán)重不足

據(jù)韓媒Chosun Biz援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)，2026年三星電子的DRAM晶圓產(chǎn)量預(yù)計(jì)為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產(chǎn)量則預(yù)計(jì)將從2025年的597萬片提升至2026年的6...

DRAM 供應(yīng) 2026-01-15

華碩預(yù)告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

華碩發(fā)布了一段18秒的預(yù)告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著...

AM5“Neo”主板華碩Neo主板 2025-12-30

據(jù)報(bào)道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求

隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴(kuò)充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價(jià)格飆升。《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達(dá)到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報(bào)告警告...

AI DRAM 2025-12-30

三星發(fā)布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據(jù)報(bào)道關(guān)注0a/0b的采用

三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發(fā)后，現(xiàn)正推進(jìn)下一代DRAM技術(shù)。據(jù)The Elec報(bào)道，三星與三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT）發(fā)布了一種實(shí)現(xiàn)亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b D...

三星 DRAM 2025-12-18

三星CEO據(jù)報(bào)道將就緊張的移動DRAM供應(yīng)問題，罕見的參加CES會議

在內(nèi)存價(jià)格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內(nèi)部擁有強(qiáng)大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負(fù)責(zé)人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO...

三星存儲 2025-12-15

SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發(fā)高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過 NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

研調(diào)上修本季DRAM漲幅上看23%

記憶體價(jià)格漲勢持續(xù)升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調(diào)查指出，全球云端服務(wù)供應(yīng)商（CSP）積極擴(kuò)建數(shù)據(jù)中心，帶動服務(wù)器用DRAM合約價(jià)走強(qiáng)，供應(yīng)商同步調(diào)高報(bào)價(jià)意愿，使一般型DRAM價(jià)格預(yù)...

DRAM TrendForce 2025-10-30

為什么存內(nèi)計(jì)算對邊緣AI如此重要

在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數(shù)據(jù)中心中運(yùn)行的大型語言模型。但是，對于許多應(yīng)用程序，在本地硬件上運(yùn)行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實(shí)時(shí)響應(yīng)，沒有數(shù)據(jù)傳輸延遲。醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用通常依賴于無法與第三方共享的...

存內(nèi)計(jì)算邊緣AI 2025-10-27

美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求

2025年 10 月 23 日，愛達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時(shí)代，人工智能（AI）實(shí)現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個(gè)數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的...

美光 SOCAMM2 2025-10-24

DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)

在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報(bào)價(jià)漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。財(cái)信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全...

DRAM SK海力士 2025-10-13

內(nèi)存模組廠十一長假大蓋牌！消費(fèi)性DRAM暫停報(bào)價(jià)

DRAM缺貨潮加速顯現(xiàn)，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內(nèi)現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調(diào)漲約8%。盡管終端消費(fèi)市場需求平淡，但各家存儲器模組...

內(nèi)存模組 DRAM 2025-10-10

因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋

據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保...

DRAM 三星 2025-09-29

三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場

各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃...

存儲器 1c DRAM 2025-09-29

SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)...

DRAM NAND 2025-09-23

存儲器行情來得又急又快 DRAM報(bào)價(jià)10月看漲雙位數(shù)

全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動下，正式進(jìn)入新一輪長線上行。隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急...

存儲器 DRAM 2025-09-19

國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)...

3D DRAM 2025-09-12

2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)的上漲以及出...

DRAM SK海力士 2025-09-03

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會成為韓國...

內(nèi)存 NAND 2025-09-02

實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來。...

3D DRAM 2025-09-02

2025年第二季度全球DRAM市場分析

在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實(shí)現(xiàn)量價(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑...

DRAM SK海力士 2025-08-28

SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖

SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術(shù)...

SK海力士 IEEE 2025-08-26

中國研究團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展...

DRAM 閃存 2025-08-21

據(jù)報(bào)道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復(fù)蘇

三星電子因與英偉達(dá)的 HBM3E 驗(yàn)證問題而面臨困境，據(jù)韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報(bào)道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報(bào)告...

三星 DRAM 2025-08-15

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 價(jià)格下滑放緩，韓國內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價(jià)

根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費(fèi)級 DRAM 芯片實(shí)施了顯著的月度價(jià)格上調(diào)，之前的價(jià)格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預(yù)期...

存儲 DRAM 2025-07-23

DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用，據(jù)報(bào)道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計(jì)

隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道，DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年進(jìn)...

DDR6 DRAM 2025-07-23

中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)

中國存儲半導(dǎo)體公司長鑫存儲科技（CXMT）和長江存儲科技（YMTC）正在加強(qiáng)其在全球存儲半導(dǎo)體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM...

CXMT YMTC 2025-07-21

SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國的華爾街見聞報(bào)道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新...

DDR4 DRAM 2025-07-11

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動力

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)...

內(nèi)存 DDR4 2025-07-02

歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，因?yàn)閮r(jià)格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫...

DDR4 DRAM 2025-06-24

適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進(jìn)展。“這些新技術(shù)可以幫助滿足高性能計(jì)算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBC...

DRAM 處理器 2025-06-24

臺灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫存緊張

隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲，據(jù)報(bào)道，臺灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià)，這表明供應(yīng)緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說，報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，...

DRAM 存儲 2025-06-18

DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商...

DDR4 DRAM 2025-06-17

美光出貨全球首個(gè)基于1γ的LPDDR5X 樣品，引領(lǐng)行業(yè)最薄的設(shè)計(jì)

隨著內(nèi)存巨頭加大對 10 納米級 DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已開始運(yùn)送全球首款基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的 LPDDR5X 內(nèi)存的認(rèn)證樣品，旨在增強(qiáng)旗艦智能手機(jī)的 AI 性能。正如 ZDNet&nbs...

美光 1γ 2025-06-05

1γ DRAM