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國產半導體設備加速崛起

據《日經亞洲》報道，日本研究機構Global Net數據顯示，2025年全球芯片設備廠商前20強中有3家中國企業，較2022年美國出口限制前新增2家。這三家公司分別是北方華創、中微公司和上海微電子。值得注意的是，若將范圍...

半導體設備 ASML 2026-02-03

ASML計劃裁員4%，簡化技術部門內的決策流程

全球最大的先進芯片荷蘭制造商ASML在公布其銷售額連續第十三年實現增長后，CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在聲明中表示，計劃裁減約1700個工作崗位，作為其技術和IT運營重組的一部分。此次裁...

ASML DUV 2026-01-29

三星首次引入紫外層薄膜是在美國泰勒工廠

三星電子將首次在美國泰勒晶圓廠推出“極紫外（EUV）薄膜”，這是一種提升先進半導體工藝生產力的關鍵組件。此前尚不清楚是否會引入，但通過訂購關鍵設備幾乎確認了申請。根據22日的行業報道，三星電子已在美國德克薩斯州泰勒工廠訂...

三星紫外層薄膜 2026-01-26

中國EUV技術實現突破，半導體競賽格局生變

隨著計算技術的進步，越來越多的先進芯片應運而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統光源波長已無法在如此精細的尺度上實現可靠的圖形光刻。這一挑戰并非新題 —— 半導體行業長期以來一直使用深紫外光刻（DU...

EUV 半導體 2025-12-25

據報道，中國利用較舊的ASML組件制造EUV原型機，Eyes 2028芯片制造

中國朝向國產紫外真空光刻能力的漫長進程似乎正在縮小，近期發展顯示進展速度超乎預期。據路透社報道，消息人士稱中國已組裝了一臺使用舊ASML系統組件的EUV原型機。正如報道所示，消息人士稱中國政府目標是在2028年前生產使用...

ASML EUV 2025-12-19

ASML CEO警告：過度封鎖或加速中國技術自主

全球光刻機巨頭阿斯麥（ASML）首席執行官克里克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在專訪時，談到了被禁止向中國出口所有EUV設備及最先進的深紫外（DUV）光刻設備，就當前西方對華光刻機出口限制政策，拋...

ASML DUV 2025-12-16

使用電子噪聲和抗蝕劑模糊模型預測隨機EUV缺陷密度

近年來，首次直接解決了EUV光刻中二次電子噪聲的統計及其對缺陷概率的影響[1]。在本文中，我們將考慮一些更新的 EUV 抗蝕劑模糊模型，包括化學放大（CAR）和金屬氧化物（MOR）類型。首先，讓我們回顧一下推導 ...

電子噪聲抗蝕劑 2025-11-10

4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備

目前，生產尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現有的EUV設備實現晶圓的大規模量產，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節點 —— 即1.4nm與1nm...

臺積電 ASML 2025-10-23

ASML警告中國銷量下降或加劇26年增長擔憂

荷蘭半導體設備巨頭、芯片制造光刻機的主要供應商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日發布了 2025 年第三季度財報。結果顯示，在人工智能需求的推動下，訂單量強勁，但也對 2026 年對中...

ASML EUV 2025-10-16

三星購買了兩款ASML高數值孔值EUV工具

據《韓國經濟日報》報道，據報道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數值孔徑（high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報告補充說，雖然該公司已...

三星 ASML 2025-10-16

ASML警告明年來自中國的需求可能大幅下滑

荷蘭半導體設備制造商ASML第三季訂單表現優于分析師預期，并表示明年銷售額將至少與2025年持平，主要受惠于全球企業大規模投資AI領域、對芯片制造設備的需求。同時，ASML也警告說，明年來自中國的需求可能大幅下滑。ASM...

ASML 財報 2025-10-16

臺積電加速自研EUV光罩保護膜，單片晶圓生產效率提升了4.5倍

據Tom's hardware報道，臺積電（TSMC）作為全球最大的先進制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進的制程工藝，也擁有著數量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機。2019年首次于華為麒麟9000處理器導入EUV...

臺積電 EUV 2025-09-23

三星據報道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術

根據 The Elec 報道，援引行業消息人士稱，三星首次外包光掩?！酒圃熘兄陵P重要的組件。報道稱，三星據說正在外包低端光掩模用于內存芯片，這表明其策略是將資源轉向 ArF 和 EUV 掩模生產...

EUV 光刻機 2025-09-18

High-NA不是通往2納米時代的唯一道路

半導體行業正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節點小型化的明確路徑,現在正在與其他選項進行權衡。盡...

High-NA 2納米 2025-09-18

臺積電重新利用舊晶圓廠，將 EUV 薄膜生產引入內部

臺積電正在重新利用其位于新竹科學園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產極紫外薄膜，并將這種生產引入內部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受...

臺積電舊晶圓廠 2025-09-14

ASML 和 SK hynix 在韓國的工廠組裝了業界首個“商用”High NA EUV 系統

ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提...

EUV 光刻機 2025-09-04

SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備

據SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

美國、日本領導政府支持的光刻機(EUV)推廣，韓國據報道落后

根據韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導的舉措將極紫外(EUV)光刻機引入公共研究機構。相比之下，韓國政府在這一領域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。美國 –...

EUV 光刻機 2025-07-02

半導體巨頭對high-NA EUV態度分化

據外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出...

半導體 high-NA EUV 2025-07-01

ASML研發5納米分辨率Hyper NA光刻機

據外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術執行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前...

ASML 5納米 2025-06-30

臺積電重申1.4nm級工藝技術不需要高數值孔徑EUV

臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技...

臺積電 1.4nm 2025-05-29

臺積電保持觀望 ASML最新EUV機臺只賣了5臺

荷蘭阿斯麥（ASML）全新機臺卻讓臺積電望之卻步！英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設備性能強大，但因這款機臺單價高達4億美元，臺積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」...

臺積電 ASML 2025-05-29

臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用

全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評估何時將 ASML 的尖端高數值孔徑（NA）機器用于其未來的工藝節點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和...

臺積電 ASML 2025-05-28

三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上

據 The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產。到目前為止，該公司一直在內部生產所有光掩模，以防止技術泄漏。Elec 表示，據報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應商，例如 i...

三星低端光掩模 2025-05-15

三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a，聚焦ArF和EUV等先進技術

5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內存芯片制...

三星外包芯片 2025-05-14

ASML計劃在荷蘭大規模擴張，助力EUV設備交付

據荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產業園區。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發展計劃初步草案時透露的。這一擴張計劃引發了全球晶圓制造行業...

EUV 光刻機 2025-05-09

ASM宣布將啟動美國本土生產以應對關稅壓力

據媒體報道，荷蘭半導體設備制造商ASM International（簡稱“ASM”）在2025年第一季度財報電話會議上宣布，將立即啟動在美國本土的生產計劃，以應對美國近期實施的關稅政策。今年4月初，美國總統特朗普簽署了一...

ASML EUV 2025-05-06

臺積電避免使用高NA EUV光刻技術

根據臺積電北美技術研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm）工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預計將于 2028 年投產。之前已經說過，A16 工藝將于...

臺積電高NA 2025-04-30

地都賣了，三星電子與ASML半導體研發合作還能繼續嗎？

三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導體制造設備以保持三星在先進工藝制程技術的領先性。針對這次合作，ASML特別與韓...

三星電子 ASML 2025-04-23

前英特爾CEO加入光刻技術初創公司

近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會執行董事長，xLight官網上個月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機開發基于直線電子加速器的自由電...

英特爾 EUV 2025-04-15

三星已組建專注于1nm芯片開發的團隊量產目標定于2029年

2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才...

三星 1nm 2025-04-10

ASML計劃在日本擴增五倍EUV芯片工具員工

近日，荷蘭半導體設備制造商ASML宣布，計劃在日本將其先進的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數擴增五倍，這一舉措旨在加強其在全球半導體市場的競爭力。隨著全球對高性能芯片需求的激增，ASML的這一決策不僅能提升其在日本的...

ASML EUV 2025-04-03

EUV的未來看起來更加光明

對支持一切 AI 的先進節點芯片的需求迅速增長，這給該行業滿足需求的能力帶來了壓力。從為大型語言模型提供支持的超大規模數據中心，到智能手機、物聯網設備和自主系統中的邊緣 AI，對尖端半導體的需求正在加速。但制造這些芯片在...

EUV AI芯片 2025-03-18

芯片巨頭，盯上EUV

除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。...

三星電子 EUV 2025-03-05

英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產

據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程...

英特爾 ASML 2025-02-26

英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產，單季完成3萬片晶圓

據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約...

英特爾 High NA EUV 2025-02-26

英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產

英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生...

英特爾 High-NA 2025-02-25

英特爾拿到的ASML高數值孔徑EUV已投入生產

《科創板日報》25日訊，英特爾周一表示，去年率業界之先接收的兩臺ASML高數值孔徑極紫外光EUV已投入生產。英特爾資深總工程師卡森表示，ASML這兩臺尖端機器已生產了3萬片晶圓。...

英特爾 ASML 2025-02-25

EUV光刻，新的對手

最近，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）宣布開發出了一種名稱為大孔徑銩（BAT）激光器，這種激光器比現在行業內的標準 CO2 激光器將 EUV 光源提高約 10 倍。這一進步，可能為新一代「超越 EUV」的光刻系統...

EUV 2025-01-15

納米壓印光刻技術旨在挑戰EUV

9 月，佳能推出了這項技術的第一個商業版本，有朝一日可能會顛覆最先進的硅芯片的制造。它被稱為納米壓印光刻（NIL），能夠對小至 14 納米的電路特征進行圖案化，使邏輯芯片能夠與目前正在量產的 Intel、AMD 和 N...

納米壓印光刻技術 EUV? 2025-01-03

Hyper-NA EUV