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英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動(dòng)車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對(duì)于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構(gòu)高功率生態(tài)

在電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來(lái)功率需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的當(dāng)下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開(kāi)關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見(jiàn)：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導(dǎo)通電阻和新型封裝

【2026年1月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨...

英飛凌 CoolSiC 2026-01-13

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動(dòng)力 MOSFET 領(lǐng)域進(jìn)一步展開(kāi)合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項(xiàng)專注于下一代汽車動(dòng)力MOSFET技術(shù)的新長(zhǎng)期協(xié)議。該交易重點(diǎn)在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應(yīng)用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

簡(jiǎn)介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的效率。將 SiC 性能提升到一個(gè)新水平，同時(shí)滿足所有常見(jiàn)電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹(shù)立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺(tái)DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

簡(jiǎn)介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過(guò)廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x...

英飛凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本單元，MOSFET是為了實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路中0和1的開(kāi)關(guān)，他有三個(gè)電極，源極、柵極和漏極，簡(jiǎn)化模型如下圖...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost電路的工作過(guò)程

Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠?qū)⒌碗妷荷叩捷^高電壓。其基本原理是利用電感儲(chǔ)能和電容儲(chǔ)能的方式，通過(guò)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)控制，將輸入電壓進(jìn)行短時(shí)間內(nèi)的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過(guò)調(diào)整開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率和占空...

Boost電路工作過(guò)程 2025-12-09

全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動(dòng)力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號(hào)“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反...

全硅 RC 緩沖器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

iDEAL Semiconductor以SuperQ? MOSFET為高壓電池設(shè)定新安全標(biāo)準(zhǔn)

?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術(shù)，專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)解決高壓（72V 及更高）電池管理系統(tǒng)（BMS）中關(guān)鍵的安全與效率權(quán)衡問(wèn)題。此新平臺(tái)為 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

內(nèi)阻很小的MOS管為什么會(huì)發(fā)熱？

Source、Drain、Gate分別對(duì)應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對(duì)漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務(wù)器和人工智能電源實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度

內(nèi)容摘要400V SiC MOSFET技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡(jiǎn)要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對(duì)其優(yōu)勢(shì)進(jìn)行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3...

英飛凌 MOSFET 2025-11-14

英飛凌擴(kuò)展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司通過(guò)增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三...

英飛凌 CoolSiC 2025-10-26

英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET

各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長(zhǎng)對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來(lái)了新的可能性。通過(guò)...

英飛凌 MOSFET 2025-10-23

英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

電動(dòng)汽車充電、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應(yīng)用場(chǎng)景，正推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)更高系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預(yù)期。同時(shí)，這些需求也帶來(lái)了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠...

英飛凌 MOSFET 2025-10-20

體積更小且支持大功率！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬(wàn)片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭(zhēng)先?，F(xiàn)在，韓國(guó)也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開(kāi)啟了韓國(guó)首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報(bào)道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

iDEAL推出具有行業(yè)領(lǐng)先性價(jià)比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導(dǎo)體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過(guò)25年來(lái)的首次重大進(jìn)步，突破了長(zhǎng)期存在的開(kāi)關(guān)...

iDEAL MOSFET 2025-09-05

英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

隨著全球汽車行業(yè)電氣化進(jìn)程的加速，市場(chǎng)對(duì)高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長(zhǎng)——不僅乘用車領(lǐng)域如此，電動(dòng)兩輪車領(lǐng)域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)兩輪車上的牽引逆變...

英飛凌 MOSFET 2025-09-05

iDEAL 半導(dǎo)體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領(lǐng)先的成本×性能

iDEAL 半導(dǎo)體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外還有四個(gè) 200V 器件正在進(jìn)行樣品測(cè)試。SuperQ 是過(guò)去 25 年來(lái)硅 MOSFET 技術(shù)的第一個(gè)重大進(jìn)步，突破了長(zhǎng)期...

MOSFET 選型MOS 2025-09-04

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國(guó)上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備...

東芝 SiC MOSFET 2025-08-28

SiC MOSFET 界面陷阱檢測(cè)升級(jí)：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測(cè)量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國(guó)使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中實(shí)現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Ele...

1200V 全垂直 2025-08-13

英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度...

英飛凌 CoolSiC 2025-08-05

iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術(shù)合作伙伴協(xié)議

繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標(biāo)志著自 25 多年前超級(jí)結(jié)技術(shù)以來(lái)，硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是...

iDEAL Richardson 2025-08-01

固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結(jié)合以優(yōu)化SSR？

固態(tài)繼電器（SSR）是各種控制和電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風(fēng)和空調(diào) （HVAC）設(shè)備、工業(yè)過(guò)程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無(wú)芯變壓器技術(shù)在 SSR 的高壓側(cè)和低壓側(cè)之間提供隔離。基...

固態(tài)隔離器 MOSFET 2025-07-22

iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重...

iDEAL MOSFET 2025-07-18

選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解

幾乎所有的書(shū)籍資料，在講解MOSFET的時(shí)候，都喜歡先從微觀結(jié)構(gòu)去分析MOSFET基于半導(dǎo)體特性的各種結(jié)構(gòu)，然后闡述這些結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其參數(shù)的成因。但是這種方式對(duì)于物理基礎(chǔ)較弱的應(yīng)用型硬件工程師是非常不友好的，導(dǎo)致大家看了大量...

選型指南 MOSFET 2025-07-16

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們?cè)O(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET功率開(kāi)關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延...

onsemi NCP51752 2025-07-08

650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對(duì)SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺(tái)，該平臺(tái)具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購(gòu) Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品線集成后對(duì) ...

650V GaN 2025-07-04

Wolfspeed 1700 V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

在幾乎所有電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會(huì)配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級(jí)，此類電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運(yùn)行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成...

Wolfspeed MOSFET 2025-07-03

英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率...

英飛凌超低導(dǎo)通電阻 2025-07-02

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述， CoolSiC? MOSFE...

英飛凌 MOSFET 2025-06-26

羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡(jiǎn)稱“豐田”）面向中國(guó)市場(chǎng)的全新...

羅姆 SiC MOSFET 2025-06-24

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢(shì)。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源...

意法半導(dǎo)體 SiC 2025-06-24

英飛凌推出650V CoolGaN? G5雙向開(kāi)關(guān)，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了一款能夠主動(dòng)雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)——650V CoolGaN? G5雙向開(kāi)關(guān)（BDS）。該產(chǎn)品采用共漏極設(shè)計(jì)和雙柵極結(jié)構(gòu)，是一款使用英...

英飛凌 650V 2025-05-27

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的...

東芝 DFN8×8 2025-05-20