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英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構高功率生態

在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等領域迎來功率需求爆發式增長的當下，熱管理已成為制約電源產品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業迫切需要兼具創新結構與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用

碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領域進一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續了長期的戰略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650V G2，實現更高的功率密度

簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、...

英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領先AI服務器平臺DC-DC功率轉換效率新標準

簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x...

英飛凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本單元，MOSFET是為了實現數字電路中0和1的開關，他有三個電極，源極、柵極和漏極，簡化模型如下圖...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

ROHM車載40V/60V MOSFET產品陣容中新增高可靠性小型新封裝產品

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost電路的工作過程

Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠將低電壓升高到較高電壓。其基本原理是利用電感儲能和電容儲能的方式，通過開關管的開關控制，將輸入電壓進行短時間內的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過調整開關管的開關頻率和占空...

Boost電路工作過程 2025-12-09

全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準備與電源模塊內的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反...

全硅 RC 緩沖器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

iDEAL Semiconductor以SuperQ? MOSFET為高壓電池設定新安全標準

?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領導者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術，專門設計用來解決高壓（72V 及更高）電池管理系統（BMS）中關鍵的安全與效率權衡問題。此新平臺為 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

內阻很小的MOS管為什么會發熱？

Source、Drain、Gate分別對應場效應管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務器和人工智能電源實現更高的效率和功率密度

內容摘要400V SiC MOSFET技術可以實現更低的開關損耗和導通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務器應用的電源(PSU)中對其優勢進行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3...

英飛凌 MOSFET 2025-11-14

英飛凌擴展其CoolSiC?產品系列，推出專為高功率與計算密集型應用而設計的400V和440V MOSFET

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三...

英飛凌 CoolSiC 2025-10-26

英飛凌推出針對工業與消費類應用優化的OptiMOS? 7功率MOSFET

各行業高功耗應用的快速增長對功率電子技術提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發揮著關鍵作用，而針對應用優化的設計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術帶來了新的可能性。通過...

英飛凌 MOSFET 2025-10-23

英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰，例如，如何在嚴苛環境條件下實現可靠...

英飛凌 MOSFET 2025-10-20

體積更小且支持大功率！ROHM開始量產TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

韓國在釜山啟動首個8英寸碳化硅工廠，年產量預計達3萬片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優于傳統硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現在，韓國也加大了力度——Maeil 商業報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據報道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

iDEAL推出具有行業領先性價比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款200 V器件現已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關...

iDEAL MOSFET 2025-09-05

英飛凌OptiMOS? 6產品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

隨著全球汽車行業電氣化進程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統的需求持續增長——不僅乘用車領域如此，電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉換器和電動兩輪車上的牽引逆變...

英飛凌 MOSFET 2025-09-05

iDEAL 半導體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業領先的成本×性能

iDEAL 半導體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進入量產階段，另外還有四個 200V 器件正在進行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術的第一個重大進步，突破了長期...

MOSFET 選型MOS 2025-09-04

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備...

東芝 SiC MOSFET 2025-08-28

SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Ele...

1200V 全垂直 2025-08-13

英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度...

英飛凌 CoolSiC 2025-08-05

iDEAL與電力系統專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術合作伙伴協議

繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是...

iDEAL Richardson 2025-08-01

固態隔離器如何與MOSFET或IGBT結合以優化SSR？

固態繼電器（SSR）是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調（HVAC）設備、工業過程控制、航空航天和醫療系統。固態隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離。基...

固態隔離器 MOSFET 2025-07-22

iDEAL的SuperQ技術正式量產，推出150V與200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重...

iDEAL MOSFET 2025-07-18

選型必看！MOSFET四大非理想參數詳解

幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量...

選型指南 MOSFET 2025-07-16

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅動器評估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。 NCP51752提供短而匹配的傳播延...

onsemi NCP51752 2025-07-08

Wolfspeed 1700 V MOSFET技術，助力重塑輔助電源系統的耐用性和成本

在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們仍是幫助系統高效運行的關鍵組成部分。提高系統可靠性、減小系統尺寸以及縮減系統成...

Wolfspeed MOSFET 2025-07-03

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性（參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述， CoolSiC? MOSFE...

英飛凌 MOSFET 2025-06-26

羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5”

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新...

羅姆 SiC MOSFET 2025-06-24

從單管到并聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南

在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源...

意法半導體 SiC 2025-06-24

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的...

東芝 DFN8×8 2025-05-20

工程師必看！從驅動到熱管理：MOSFET選型與應用實戰手冊

MOSFET因其獨特的性能優勢，已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業設備、智能手機及便攜式數碼產品中。其核心優勢體現在三個方面：驅動電路設計簡化，所需驅動電流遠低于BJT，可直接由CMOS或...

MOSFET 2025-05-16

內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統采用

全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFET...

羅姆 ROHM 2025-05-12

利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現高效 SiC MOSFET 柵極保護

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，...

碳化硅 MOSFET 2025-05-09

電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 ...

電源管理 MOSFET 2025-04-29