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Nand技術(shù)社區(qū)

技術(shù)資訊

Nand

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR。簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很大的區(qū)分，NAND規(guī)格晶片寫(xiě)入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR規(guī)格，但是NOR規(guī)格晶片在讀取資料的速度則快于NAND規(guī)格。NAND規(guī)格晶片多應(yīng)用在小型記憶卡，以?xún)?chǔ)存資料為主，NOR規(guī)格則多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中。

全部資訊專(zhuān)欄資料視頻電路論壇

Nand資訊

長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入加速期，三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人透露，計(jì)劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書(shū)記王忠林來(lái)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)三期擴(kuò)產(chǎn)與未來(lái)目標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是我國(guó)存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場(chǎng)...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2026-02-05

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首個(gè)LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國(guó)產(chǎn)

存儲(chǔ)器缺貨嚴(yán)峻持續(xù)擴(kuò)大，供應(yīng)鏈傳出，隨著國(guó)際存儲(chǔ)器原廠快速傾斜至服務(wù)器市場(chǎng)，導(dǎo)致消費(fèi)性、汽車(chē)市場(chǎng)等將首當(dāng)其沖，國(guó)內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導(dǎo)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國(guó)特定產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用，確保內(nèi)需供應(yīng)鏈穩(wěn)...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) LPDDR5 2026-02-03

卷翻內(nèi)存市場(chǎng) 中國(guó)存儲(chǔ)廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳出以「史無(wú)前例」的速度擴(kuò)張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對(duì)臺(tái)廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力，后續(xù)...

內(nèi)存存儲(chǔ)廠商 2026-02-02

240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

美光新加坡工廠預(yù)計(jì)將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。...

美光 NAND 2026-01-29

240億美元！美光擴(kuò)建新加坡NAND晶圓廠

隨著全球人工智能浪潮推動(dòng)資料中心硬體需求激增，美國(guó)，存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達(dá)240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工廠，以擴(kuò)大其N(xiāo)AND Flash的生產(chǎn)能...

美光科技 NAND 2026-01-29

上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)

三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶(hù)已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶(hù)的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類(lèi)...

存儲(chǔ) NAND 2026-01-27

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期

援引市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會(huì)進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬(wàn)片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

蘋(píng)果iPhone 18系列售價(jià)曝光：起步維持原價(jià)，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團(tuán)、美國(guó)銀行及摩根大通的分析報(bào)告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價(jià)方面，蘋(píng)果雖然會(huì)極力維持起步機(jī)型的發(fā)售價(jià)與前代持平，但在高存儲(chǔ)容量版本...

蘋(píng)果iPhone 18 原價(jià) 2026-01-20

GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國(guó)記憶未來(lái)

中國(guó)芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱(chēng)是全球第二大SPI NOR閃存供應(yīng)商，于1月13日首次進(jìn)入香港市場(chǎng)。據(jù)EE Times China報(bào)道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬(wàn)股H股。此次發(fā)行價(jià)格為每股1...

NAND 香港 2026-01-19

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DRAM飆升，賣(mài)家壓制庫(kù)存，主流DDR4上漲10%

根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫(kù)存，推動(dòng)主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價(jià)格上漲9.64%。與此同時(shí)，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

傳三星將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個(gè)月有報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個(gè)有源層。長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成...

三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2026-01-19

SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實(shí)現(xiàn)20×更快的讀取速度

存儲(chǔ)巨頭在NAND容量擴(kuò)展上謹(jǐn)慎行事，逐步淘汰MLC（多級(jí)單元）等老產(chǎn)品，同時(shí)加倍投入先進(jìn)技術(shù)。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會(huì)上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱(chēng)其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（...

NAND SK海力士 2026-01-19

兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國(guó)北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）...

兆易創(chuàng)新 GD5F1GM9 2025-12-30

金斯頓警告稱(chēng)，自2025年初以來(lái)，NAND價(jià)格已飆升246%，預(yù)示未來(lái)將有更多價(jià)格上漲

在供應(yīng)緊張引發(fā)全球記憶價(jià)格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調(diào)價(jià)格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數(shù)據(jù)中心SSD業(yè)務(wù)經(jīng)理Cameron Crandall的言論指...

NAND 存儲(chǔ) 2025-12-18

長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美國(guó)國(guó)防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國(guó)NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已就其被列入“實(shí)體清單”一事分別向美國(guó)國(guó)防部、美國(guó)商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于美國(guó)華盛頓聯(lián)邦法院對(duì)美國(guó)防部提起訴訟，要求法官阻止國(guó)防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 2025-12-11

三星大力推崇96%的NAND設(shè)計(jì)采用低功耗——研究人員研究基于鐵電晶體管的設(shè)計(jì)

研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個(gè)單元最多可達(dá)五位。三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實(shí)驗(yàn)性架構(gòu)報(bào)告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項(xiàng)工作——用于低功耗NAND閃存的鐵...

NAND 三星 2025-12-03

三星推崇基于鐵電晶體管設(shè)計(jì)的低功耗NAND

三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實(shí)驗(yàn)性架構(gòu)報(bào)告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項(xiàng)工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進(jìn)技術(shù)研究院的研究人員完成，發(fā)表在《自然》期刊上。該書(shū)描...

三星鐵電晶體管 2025-12-02

三星據(jù)報(bào)道將在研發(fā)部門(mén)調(diào)整中發(fā)布NAND技術(shù)，將削減96%的功耗

在內(nèi)存供應(yīng)緊張和價(jià)格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報(bào)道，三星開(kāi)發(fā)出了一種NAND閃存技術(shù)，能夠降低90%以上的功耗，預(yù)計(jì)將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及廣泛應(yīng)用的能效。據(jù)報(bào)道，11月27日，SAIT（...

NAND 閃存 2025-12-01

SK海力士探索高帶寬存儲(chǔ)堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開(kāi)發(fā)高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過(guò) NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

HDD交付延遲拉長(zhǎng)至2年QLC NAND產(chǎn)能提前被搶購(gòu)一空

AI服務(wù)器推動(dòng)儲(chǔ)存需求爆發(fā)，傳統(tǒng)硬盤(pán)（HDD）持續(xù)大缺貨，據(jù)悉，交付期限已延長(zhǎng)至2年以上，北美及中國(guó)云端服務(wù)（CSP）大廠「緊急加單」，采購(gòu)大容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。部分原廠2026年QLC NAND Flash...

HDD QLC NAND 2025-11-07

長(zhǎng)江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長(zhǎng)存集團(tuán)）召開(kāi)股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 2025-10-09

SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶(hù)協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶(hù)協(xié)...

DRAM NAND 2025-09-23

Kioxia 股價(jià)因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益

根據(jù)韓國(guó)媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價(jià)在 NAND 市場(chǎng)供應(yīng)短缺的情況下急劇上漲。報(bào)道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia—...

鎧俠 NAND 2025-09-16

美光凍結(jié)價(jià)格，推理 AI 推動(dòng) SSD 需求激增及供應(yīng)短缺

隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動(dòng)了對(duì)大容量?jī)?nèi)存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價(jià)格上調(diào) 10%之后...

美光 AI 2025-09-15

長(zhǎng)江存儲(chǔ)加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊(cè)資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元

現(xiàn)在，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）迎來(lái)了一個(gè)重磅消息。9月5日，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) YMTC 2025-09-09

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴(lài)

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴(lài)日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話(huà)警告說(shuō)，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴(lài)可能會(huì)成為韓國(guó)...

內(nèi)存 NAND 2025-09-02

第二季度NAND收入環(huán)比增長(zhǎng)22%

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長(zhǎng)22%，達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長(zhǎng) 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場(chǎng)份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季...

NAND Flash 2025-09-02

美國(guó)撤銷(xiāo)對(duì)三星、SK 海力士的中國(guó)芯片制造工具許可證：解碼市場(chǎng)影響

三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國(guó)政府入股的風(fēng)險(xiǎn)，但隨著華盛頓撤銷(xiāo)豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國(guó)芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士...

三星海力士 2025-09-01

三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計(jì)劃

據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計(jì)劃在2025年下半年放緩對(duì)先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場(chǎng)需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對(duì)NAND...

三星 SK海力士 2025-08-26

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級(jí) NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專(zhuān)為航空航天及其...

美光內(nèi)存 2025-07-29

中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃通過(guò)使用國(guó)產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來(lái)擺脫美國(guó)制裁

(圖片來(lái)源：YMTC)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC），中國(guó)領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來(lái)一直被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大...

長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 2025-07-22

中國(guó)CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)

中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來(lái)，中國(guó)內(nèi)存開(kāi)始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM...

CXMT YMTC 2025-07-21

NAND Flash合約價(jià) Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價(jià)格走勢(shì)，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機(jī)下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場(chǎng)因OEM/ODM上半年去化庫(kù)存情況優(yōu)...

NAND Flash 2025-07-10

美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫(xiě)入技術(shù)與G9 QLC NAND

SSD?對(duì)于提升?PC?及客戶(hù)端設(shè)備的用戶(hù)體驗(yàn)和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專(zhuān)為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計(jì)的高性?xún)r(jià)比客戶(hù)端存儲(chǔ)解決方案...

美光自適應(yīng)寫(xiě)入 2025-07-01

DDR4漲勢(shì)Q4觸頂、NAND持平

TrendForce最新釋出的存儲(chǔ)器市場(chǎng)觀察指出，2025年第二季以來(lái)快速上漲的DDR4價(jià)格漲勢(shì)，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場(chǎng)雖受惠AI需求帶動(dòng)，但因供需未形成緊張態(tài)勢(shì)，價(jià)格預(yù)期多呈持平。TrendForce表...

DDR4 NAND 2025-07-01

如何讓QLC技術(shù)成為主流？

縱觀整個(gè)電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無(wú)疑是主流趨勢(shì)。相對(duì)于邏輯電路追求晶體管密度提升，類(lèi)似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲(chǔ)還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲(chǔ)問(wèn)題，在穩(wěn)定保...

AI推理 QLC 2025-06-30

HBM 開(kāi)發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韓國(guó)頂尖國(guó)家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁(yè)的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，...

HBM.NAND 2025-06-17

芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)

上半年，時(shí)至過(guò)半。回顧這半年的半導(dǎo)體市場(chǎng)，似是相對(duì)平靜，但是仔細(xì)回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動(dòng)刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個(gè)過(guò)程中會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，...

DDR3 DDR4 2025-06-09

三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來(lái)聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶(hù)開(kāi)始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG D...

三星 MLC NAND 2025-05-27

臺(tái)積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價(jià)蠢動(dòng)

業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社（MGC），近日向客戶(hù)發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。隨著原料缺貨日益嚴(yán)峻，載板供應(yīng)中長(zhǎng)期將出現(xiàn)短缺。供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露，金價(jià)持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長(zhǎng)，NAND ...

臺(tái)積電 CoWoS 2025-05-27

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