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內(nèi)存

[編輯本段]【內(nèi)存簡(jiǎn)介】   在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來說,有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多,按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器,主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱內(nèi)存,港臺(tái)稱之為記憶體)。   內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。

  • 內(nèi)存資訊

ZAM首度亮相:SAIMEMORY在英特爾日本活動(dòng)上發(fā)布新型內(nèi)存,專為解決散熱難題而生

英特爾 日本 2026-02-12

內(nèi)存短缺與關(guān)稅風(fēng)險(xiǎn)在人工智能芯片供應(yīng)中碰撞

NVIDIA在2026年因內(nèi)存緊張而不計(jì)劃推出新的游戲顯卡

內(nèi)存短缺拖累業(yè)績(jī)預(yù)期,高通盤后股價(jià)下跌近10%

內(nèi)存 短缺 2026-02-05

需求激增內(nèi)存漲價(jià) 蘋果無法確保足夠iPhone芯片供應(yīng)

內(nèi)存 蘋果 2026-02-02

卷翻內(nèi)存市場(chǎng) 中國存儲(chǔ)廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

傳音控股預(yù)警2025年凈利潤(rùn)或暴跌超50%,主因內(nèi)存成本飆升

在當(dāng)今經(jīng)濟(jì)環(huán)境下,自己焊接內(nèi)存值得嗎?

內(nèi)存 芯片 2026-01-26

固緯推出GDS-3102A / GDS-3104A 1 GHz數(shù)字存儲(chǔ)示波器

固緯 GDS-3102A 2026-01-22

蘋果iPhone 18系列售價(jià)曝光:起步維持原價(jià),大容量版本起飛

意法半導(dǎo)體全新集成STM32WBA6無線微控制器將額外功能和性能與能效相結(jié)合

今年智能手機(jī)售價(jià)預(yù)計(jì)將上漲約20%

華碩報(bào)告15-20%漲價(jià)引發(fā)多米諾效應(yīng),零售商于1月5日提高競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手價(jià)格

華碩 內(nèi)存 2026-01-05

中國維持2026年設(shè)備換新:最高補(bǔ)貼500元人民幣;智能手機(jī),智能眼鏡聚焦

國補(bǔ) 華為 2026-01-04

據(jù)報(bào)道,頂級(jí)PC制造商,可能是惠普或聯(lián)想,在供應(yīng)商訪問后鎖定了內(nèi)存供應(yīng)

PC 內(nèi)存 2025-12-23

據(jù)報(bào)道小米17 Ultra將漲價(jià):內(nèi)存壓縮推動(dòng)顯著提升

內(nèi)存 小米 2025-12-23

2026內(nèi)存危機(jī):手機(jī)電腦漲價(jià),竟因AI搶走了所有芯片?

內(nèi)存之亂案外案! 傳三星總部罕見來臺(tái)內(nèi)部調(diào)查收回扣疑云

內(nèi)存 三星 2025-12-18

內(nèi)存緊繃影響個(gè)人電腦:戴爾12月中旬漲價(jià)15-20%,聯(lián)想自2026年1月起

內(nèi)存 戴爾 2025-12-09

生成式AI時(shí)代的邊緣AI處理器評(píng)估

AI 內(nèi)存 2025-12-04

今昔對(duì)比:磁芯

磁芯 內(nèi)存 2025-12-01

64GB DDR5內(nèi)存據(jù)報(bào)道因內(nèi)存價(jià)格飆升而比PlayStation 5還要貴

在內(nèi)存緊張、壓縮小型主板合作伙伴的情況下,NVIDIA 可能會(huì)停止與 GPU 捆綁顯存

內(nèi)存 主板 2025-12-01

臺(tái)積電展望定制版HBM4E內(nèi)存:N3P制程基礎(chǔ)裸片集成內(nèi)存控制器

臺(tái)積電 HBM4E 2025-11-28

DDR5內(nèi)存現(xiàn)在可能比PlayStation 5還貴

DDR 內(nèi)存 2025-11-25

三星 LPDDR6 內(nèi)存規(guī)格揭曉:10.7nm 速度為 12Gbps;據(jù)報(bào)道,著眼于 14 Gbps

三星 LPDDR6 2025-11-13

內(nèi)存很重要:嵌入式 NVM(eNVM)

內(nèi)存 嵌入式 2025-11-07

在 AI 需求不斷增長(zhǎng)期間如何應(yīng)對(duì) DDR4 停產(chǎn)

DDR4 人工智能 2025-11-06

三星半導(dǎo)體止住下滑頹勢(shì),內(nèi)存飆升帶動(dòng)新工藝投資

內(nèi)存狂缺貨!大客戶滿足率僅剩7成、服務(wù)器DRAM漲價(jià)5成

邊緣AI推理速度提高5倍,內(nèi)存只需要一半

邊緣AI 推理速度 2025-10-13

不只內(nèi)存喊漲 臺(tái)積電末代3納米CPU漲2成

用鉬縮放內(nèi)存

縮放 2025-09-19

HBM 之后是什么?堆疊式 NAND HBF 或?qū)⒊蔀?AI 未來的關(guān)鍵

AI 內(nèi)存 2025-09-15

磁芯的過去、現(xiàn)在和未來 內(nèi)存技術(shù)的巨變變化

磁芯 內(nèi)存 2025-09-08

內(nèi)存巨頭,脆弱的鏈接:韓國對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

內(nèi)存 NAND 2025-09-02

UltraRAM 接近商業(yè)化:DRAM 速度,NAND 耐用性,1000 年數(shù)據(jù)壽命

內(nèi)存巨頭在 HBM 基板上出現(xiàn)分歧:美光據(jù)報(bào)道推遲晶圓廠轉(zhuǎn)移,面臨失去優(yōu)勢(shì)的風(fēng)險(xiǎn)

英偉達(dá) HBM3 2025-09-01

英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年開始設(shè)計(jì) HBM 邏輯芯片,以在供應(yīng)鏈中獲得對(duì)臺(tái)積電、SK 海力的優(yōu)勢(shì)

HBM 內(nèi)存 2025-08-26

內(nèi)存漲價(jià)輪到NOR Flash! 第四季全面漲勢(shì)更兇狠

內(nèi)存 NOR Flash 2025-08-26