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華邦電子預(yù)計DRAM價格到2026年6月將暴漲近4倍，產(chǎn)能已預(yù)訂至2027年

AI應(yīng)用持續(xù)推動內(nèi)存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應(yīng)緊張已成為當(dāng)前焦點。據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，公司表示DRAM短缺將持續(xù)存在，本季度內(nèi)存價格預(yù)計將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望...

華邦 DRAM 2026-02-12

如何走出DRAM短缺困境？

如今科技領(lǐng)域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內(nèi)存市場，這一點體現(xiàn)得尤為明顯。為AI數(shù)據(jù)中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導(dǎo)致原本用于其他領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)能被分流，價格也...

DRAM GPU 2026-02-12

長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)

近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項目負責(zé)人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設(shè)現(xiàn)場三期擴產(chǎn)與未來目標(biāo)長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場...

長江存儲半導(dǎo)體 2026-02-05

Material公司的電池為每個角落提供電力

動力強勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機、士兵的單兵背包、智能可穿戴設(shè)備，這些產(chǎn)品有著一個共同點：都需要電池供電。理想狀態(tài)下，電池能精準(zhǔn)適配各類不規(guī)則的邊角、曲面與空隙，但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實現(xiàn)這一點。曾參與...

Material 3D 打印 2026-02-04

英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內(nèi)存項目

2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同研發(fā) Z-Angle 內(nèi)存（ZAM），其內(nèi)存領(lǐng)域的野心再度引發(fā)關(guān)注。根據(jù)雙方發(fā)布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預(yù)計 2027 年...

英特爾 DRAM 2026-02-04

電動車企成本的“完美風(fēng)暴”正在形成

瑞銀在最新研報中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關(guān)鍵零部件（存儲芯片DRAM）價格的劇烈反彈。據(jù)該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成...

電動車 DRAM 2026-02-03

上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類...

存儲 NAND 2026-01-27

瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業(yè) 2大品牌最危險

生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，卻可能為汽車供應(yīng)鏈埋下新的不確定性。瑞銀最新發(fā)布的全球汽車產(chǎn)業(yè)研究報告警告，受AI服務(wù)器需求暴增影響，DRAM產(chǎn)能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導(dǎo)致汽車級存儲器面臨價...

瑞銀 DRAM 2026-01-23

內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

2026年全球DRAM供應(yīng)仍將嚴(yán)重不足

據(jù)韓媒Chosun Biz援引市調(diào)機構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)，2026年三星電子的DRAM晶圓產(chǎn)量預(yù)計為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產(chǎn)量則預(yù)計將從2025年的597萬片提升至2026年的6...

DRAM 供應(yīng) 2026-01-15

華碩預(yù)告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

華碩發(fā)布了一段18秒的預(yù)告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著...

AM5“Neo”主板華碩Neo主板 2025-12-30

據(jù)報道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求

隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價格飆升。《商業(yè)時報》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報告警告...

AI DRAM 2025-12-30

Metalens 提升顯微 3D 打印精度

借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術(shù)，科學(xué)家們開發(fā)出一種既能實現(xiàn)微觀細節(jié)又能實現(xiàn)高通量的新型3D打印技術(shù)。研究人員建議，他們的新技術(shù)有望實現(xiàn)復(fù)雜納米級結(jié)構(gòu)的大規(guī)模生產(chǎn)。潛在應(yīng)用包括藥物遞送和核聚變研究。目前，3D打印復(fù)...

3D 打印超構(gòu)透鏡 2025-12-19

三星發(fā)布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據(jù)報道關(guān)注0a/0b的采用

三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發(fā)后，現(xiàn)正推進下一代DRAM技術(shù)。據(jù)The Elec報道，三星與三星先進技術(shù)研究院（SAIT）發(fā)布了一種實現(xiàn)亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b D...

三星 DRAM 2025-12-18

三星CEO據(jù)報道將就緊張的移動DRAM供應(yīng)問題，罕見的參加CES會議

在內(nèi)存價格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內(nèi)部擁有強大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負責(zé)人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO...

三星存儲 2025-12-15

長江存儲對美國國防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長江存儲 3D NAND 2025-12-11

算力巨頭入局 EDA、頭部晶圓廠押3D IC EDA新范式

近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。作為一家以算力和應(yīng)用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應(yīng)的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密...

算力巨頭 EDA 2025-12-10

IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動印度半導(dǎo)體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加...

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 嵌入式系統(tǒng) 2025-11-26

量子傳感器初創(chuàng)公司尋找三維芯片的缺陷

芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術(shù)，在有限空間內(nèi)集成更強計算能力。然而，當(dāng)前用于檢測可能導(dǎo)致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術(shù)，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創(chuàng)公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望...

氮空位缺陷 3D 芯片 2025-11-21

SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發(fā)高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據(jù)報道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

研調(diào)上修本季DRAM漲幅上看23%

記憶體價格漲勢持續(xù)升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調(diào)查指出，全球云端服務(wù)供應(yīng)商（CSP）積極擴建數(shù)據(jù)中心，帶動服務(wù)器用DRAM合約價走強，供應(yīng)商同步調(diào)高報價意愿，使一般型DRAM價格預(yù)...

DRAM TrendForce 2025-10-30

為什么存內(nèi)計算對邊緣AI如此重要

在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數(shù)據(jù)中心中運行的大型語言模型。但是，對于許多應(yīng)用程序，在本地硬件上運行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實時響應(yīng)，沒有數(shù)據(jù)傳輸延遲。醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用通常依賴于無法與第三方共享的...

存內(nèi)計算邊緣AI 2025-10-27

美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求

2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時代，人工智能（AI）實現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的...

美光 SOCAMM2 2025-10-24

DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)

在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全...

DRAM SK海力士 2025-10-13

3D-IC將如何改變芯片設(shè)計

專家在座：半導(dǎo)體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence&n...

3D-IC 芯片設(shè)計 2025-10-10

內(nèi)存模組廠十一長假大蓋牌！消費性DRAM暫停報價

DRAM缺貨潮加速顯現(xiàn)，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內(nèi)現(xiàn)貨價格持續(xù)飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調(diào)漲約8%。盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組...

內(nèi)存模組 DRAM 2025-10-10

長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責(zé)任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中...

長江存儲半導(dǎo)體 2025-10-09

因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋

據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保...

DRAM 三星 2025-09-29

三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場

各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計劃...

存儲器 1c DRAM 2025-09-29

第一次深入真正的3D-IC設(shè)計

專家在座：半導(dǎo)體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計...

3D-IC設(shè)計 2025-09-28

SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)...

DRAM NAND 2025-09-23

存儲器行情來得又急又快 DRAM報價10月看漲雙位數(shù)

全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價及現(xiàn)貨價，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急...

存儲器 DRAM 2025-09-19

國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)...

3D DRAM 2025-09-12

汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-I...

汽車應(yīng)用 3D-IC 2025-09-05

2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出...

DRAM SK海力士 2025-09-03

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國...

內(nèi)存 NAND 2025-09-02

實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世

高密度 3D DRAM 可能即將到來。...

3D DRAM 2025-09-02

2025年第二季度全球DRAM市場分析

在AI需求爆發(fā)與高價值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑...

DRAM SK海力士 2025-08-28

SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖

SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術(shù)...

SK海力士 IEEE 2025-08-26

中國研究團隊在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得新突破，基于 DRAM 原理

目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設(shè)備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展...

DRAM 閃存 2025-08-21