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NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業主流模式

本輪半導體行業復蘇的核心引擎，當屬NAND閃存的價格暴漲。據摩根士丹利證券預測，MLC（及成熟制程TLC）產品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達40%，缺口持續擴大助推價格飆升。DRAM漲幅...

NAND LTA 2026-04-14

DRAM的 “打地鼠” 式安全危機

核心要點Rowhammer（行錘）仍是 DRAM 的主要安全威脅，Rowpress（行壓）正成為新的相關威脅。內存控制器發出的新型刷新指令可緩解問題，但并非完美解決方案。更小的垂直結構 DRAM 單元有望從根本上消除...

DRAM 安全危機 2026-04-10

三星無懼DRAM崩盤恐慌：一季度漲價翻倍后，二季度再提價 30%

如今的內存市場，簡直像維多利亞時代那位被焦慮裹挾的貴婦一樣歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 領域：現貨價格小幅回調，就引發了 “行業末日” 的唱衰論調，甚至連帶股價大跌。但三星這類真正的行業巨頭卻始終淡定，并且鐵...

三星 DRAM 2026-04-09

內存漲不停 Q2上看5成

TrendForce最新存儲器產業研究指出，大廠逐步退出成熟DDR4以下產品制造的策略不變，在市場供給結構持續收斂下，過去幾個月，整體價格已累積驚人漲幅。由于目前市場供需仍未平衡，市場普遍看好，內存報價漲勢，至少將延伸...

內存 TrendForce 2026-04-08

DRAM合約價再度上漲30%

韓國媒體ETnews報道，三星在一季度將DRAM合約價上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價將再度上漲30%。由于隨著對AI基礎設施投資的擴展，包括三星在內的主要內存制造商將產能集中在HBM上，通用DRAM的供應變得...

DRAM SK海力士 2026-04-07

美光CEO：DRAM供不應求將持續至2027年

4月2日，據外資投行摩根士丹利針對美光科技（Micron）的跟蹤報告顯示，美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投資人會議中透露，盡管美光正在加速擴產DRAM，但新產能最快要到2027年底才能出貨。因此...

美光 DRAM 2026-04-03

長鑫科技IPO最新進展

根據上交所官網披露的信息顯示，國產DRAM巨頭長鑫科技科創板IPO審核狀態變更為“中止”，引起市場關注。關于此次“中止”，上交所給出的說明為“長鑫科技集團股份有限公司因發行上市申請文件中記載的財務資料已過有效期，需要補充...

長鑫科技 IPO 2026-04-02

存儲市場超級周期來臨：AI 驅動下的機遇、挑戰與產業重構

存儲器行業固有的 boom-bust 周期魔咒、供應鏈重構壓力、技術迭代挑戰以及全球產業格局的重新洗牌，也讓這場繁榮背后暗藏多重考驗。...

存儲市場超級周期 2026-03-27

“黃金氣體”短缺成為半導體供應鏈新危機

中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導體供應鏈。伊朗對全球主要氦氣生產國卡塔爾的設施發動襲擊，導致現貨價格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對芯片生產構成重大風險，尤其對三星電子和SK海力士等韓國企業造成...

半導體芯片 2026-03-26

閃迪10億美元入股南亞科技，強化DRAM供應鏈合作

據彭博社報道，存儲芯片巨頭閃迪（Sandisk）旗下子公司閃迪科技（Sandisk Technology）近日通過私募配售方式，以10億美元收購南亞科技1.39億股股份，占其流通普通股比例約3.9%。南亞科技...

閃迪南亞科技 2026-03-26

三星面臨大罷工，存儲價格或加速上漲

最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會成員參與表決的投票結果顯示，93.1%的工會成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據悉，本次罷工將是三星史上最大規模的罷工計劃。關鍵訴求：...

三星存儲 2026-03-19

Q1 DRAM再漲180%，NAND漲150%

據韓媒Chosun Biz、韓聯社等援引市調機構Counterpoint Research數據顯示，2026年第一季度，64GB服務器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用1...

DRAM NAND 2026-03-17

全球首款1c LPDDR6，來了

SK 海力士宣布，已成功開發基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預計今年上半年完成量產準備，并于下半年開始供貨。LPDD...

SK 海力士 LPDDR6 DRAM 2026-03-13

應用材料與美光、SK海力士合作

隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導體設備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據路透社報道，應用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發對...

應用材料美光 2026-03-12

海力士推出超性能版LPDDR6內存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%

海力士宣布成功研發首款 LPDDR6 動態隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內存架構一...

海力士 LPDDR6 2026-03-11

應用材料攜手美光加速HBM、閃存及DRAM技術研發

應用材料公司今日宣布，正與美光科技展開合作，研發新一代動態隨機存取存儲器、高帶寬內存及閃存解決方案，以提升人工智能系統的高能效表現。雙方整合了應用材料位于硅谷的 EPIC 創新中心的先進研發能力，以及美光位于愛達荷州博伊...

應用材料美光 2026-03-11

存儲漲價后遺癥來了

此前，國家發改委價格監測中心發文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發式」增長、產能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大，存儲芯片價格持續上漲，近 1 個月多以來，漲幅呈現擴大態勢，建議關注存儲芯片對下游...

DRAM Flash 2026-03-10

存儲器現貨價格最新動態：DRAM 現貨價高于合約價，二季度議價前市場情緒謹慎

DRAM 平均現貨價格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，漲幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→3...

存儲器 DRAM 2026-03-05

內存價格邁入小時級波動，中小廠商爭搶剩余貨源艱難求生

人工智能引發內存供應危機，DRAM 市場被迫啟用 “小時級定價” 模式 —— 數萬家中小企業為生存展開激烈爭奪逾 19 萬家中小型電子企業正被人工智能浪潮擠出內存市場。據《電子時報》今日發布的報道，受人工智能需求激增引發...

內存 DRAM 2026-03-04

三星和SK海力士將繼續大幅提高DRAM價格

據報道，全球前兩大DRAM芯片大廠三星和SK海力士已向客戶發出通知，今年第二季度將繼續大幅提高DRAM價格。而具體的漲價幅度則因客戶而異，但中小型客戶可能將不得不接受大幅漲價以確保DRAM供應。這一波DRAM價格的持續上...

三星 SK海力士 2026-03-03

DDR5顆粒擬漲40%，Q2 DRAM價格或翻倍

據中國臺灣媒體報道，SK海力士和三星兩大內存巨頭接連傳出漲價消息，DDR5內存顆粒價格擬上調40%，第二季度DRAM價格或將翻倍。內存模組廠商已暫停對外報價，等待成本重新核算。據中國臺灣《PCDIY！》資深記...

DDR5 DRAM 2026-02-28

存儲芯片價格持續攀升，DRAM和NAND再創新高

據市場研究公司DRAMeXchange于2月27日發布的數據顯示，DRAM和NAND閃存芯片的價格繼續同步上漲，其中DRAM價格再次創下歷史新高，達到13美元，而NAND閃存價格漲幅超過33%。自去年4月以來，通用DRA...

存儲芯片 DRAM 2026-02-28

存儲價格將繼續上漲

隨著AI服務的進步，需求不斷增長，而供應仍然有限，分析師預計今年內存價格的上漲趨勢將持續。一些人認為，市場已經進入了供應商主導的階段。目前，SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應量。穩健的庫存管理和緊張的供...

存儲 NAND 2026-02-24

華邦電子預計DRAM價格到2026年6月將暴漲近4倍，產能已預訂至2027年

AI應用持續推動內存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應緊張已成為當前焦點。據《經濟日報》報道，公司表示DRAM短缺將持續存在，本季度內存價格預計將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望...

華邦 DRAM 2026-02-12

如何走出DRAM短缺困境？

如今科技領域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內存市場，這一點體現得尤為明顯。為AI數據中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導致原本用于其他領域的內存產能被分流，價格也...

DRAM GPU 2026-02-12

英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內存項目

2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同研發 Z-Angle 內存（ZAM），其內存領域的野心再度引發關注。根據雙方發布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預計 2027 年...

英特爾 DRAM 2026-02-04

電動車企成本的“完美風暴”正在形成

瑞銀在最新研報中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關鍵零部件（存儲芯片DRAM）價格的劇烈反彈。據該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成...

電動車 DRAM 2026-02-03

上調100%！存儲市場又一重磅調價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類...

存儲 NAND 2026-01-27

瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車業 2大品牌最危險

生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導體產業，卻可能為汽車供應鏈埋下新的不確定性。瑞銀最新發布的全球汽車產業研究報告警告，受AI服務器需求暴增影響，DRAM產能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導致汽車級存儲器面臨價...

瑞銀 DRAM 2026-01-23

內存現貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

根據TrendForce最新的記憶現貨價格趨勢報告，關于DRAM的現貨價格持續日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

2026年全球DRAM供應仍將嚴重不足

據韓媒Chosun Biz援引市調機構Omdia數據，2026年三星電子的DRAM晶圓產量預計為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產量則預計將從2025年的597萬片提升至2026年的6...

DRAM 供應 2026-01-15

華碩預告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

華碩發布了一段18秒的預告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著...

AM5“Neo”主板華碩Neo主板 2025-12-30

據報道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領需求

隨著人工智能基礎設施的逐步擴充，內存供應緊張，價格飆升。《商業時報》援引行業專家的話，預測云高速內存消耗到2026年可能達到3艾字節（EB）。值得注意的是，考慮到高速內存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報告警告...

AI DRAM 2025-12-30

三星發布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據報道關注0a/0b的采用

三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發后，現正推進下一代DRAM技術。據The Elec報道，三星與三星先進技術研究院（SAIT）發布了一種實現亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b D...

三星 DRAM 2025-12-18

三星CEO據報道將就緊張的移動DRAM供應問題，罕見的參加CES會議

在內存價格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內部擁有強大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負責人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO...

三星存儲 2025-12-15

三星 LPDDR6 內存規格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據報道，著眼于 14 Gbps

隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設備、配件和應用程序類別創新獎獲獎者。新公布的規格特別指出，12 納米...

三星 LPDDR6 2025-11-13

SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

研調上修本季DRAM漲幅上看23%

記憶體價格漲勢持續升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調查指出，全球云端服務供應商（CSP）積極擴建數據中心，帶動服務器用DRAM合約價走強，供應商同步調高報價意愿，使一般型DRAM價格預...

DRAM TrendForce 2025-10-30

為什么存內計算對邊緣AI如此重要

在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數據中心中運行的大型語言模型。但是，對于許多應用程序，在本地硬件上運行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實時響應，沒有數據傳輸延遲。醫療和工業應用通常依賴于無法與第三方共享的...

存內計算邊緣AI 2025-10-27

美光正式送樣業界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數據中心對低功耗 DRAM 的需求

2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當今時代，人工智能（AI）實現了前所未有的創新和發展，整個數據中心生態系統正在向更節能的基礎設施轉型，以支持可持續增長。隨著內存在 AI 系統中逐漸發揮越來越重要的...

美光 SOCAMM2 2025-10-24