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ZAM首度亮相：SAIMEMORY在英特爾日本活動上發(fā)布新型內(nèi)存，專為解決散熱難題而生

據(jù)PC Watch報道，在英特爾宣布與軟銀旗下子公司SAIMEMORY合作開發(fā)Z軸角內(nèi)存（Z-Angle Memory, ZAM）后不久，該產(chǎn)品于2026年2月3日在“Intel Connection Japan 202...

英特爾日本 2026-02-12

內(nèi)存短缺與關(guān)稅風險在人工智能芯片供應(yīng)中碰撞

人工智能驅(qū)動的內(nèi)存短缺和日益上升的關(guān)稅風險正匯聚，導致半導體生態(tài)系統(tǒng)的成本和供應(yīng)壓力不斷上升。這已經(jīng)成為一個古老的故事。人工智能正在消耗供應(yīng)，速度超過了制造商生產(chǎn)的速度，且沒有放緩的跡象。由于數(shù)據(jù)中心需求占用了大量內(nèi)存輸...

內(nèi)存關(guān)稅 2026-02-09

NVIDIA在2026年因內(nèi)存緊張而不計劃推出新的游戲顯卡

由于內(nèi)存供應(yīng)依然緊張，NVIDIA 可能會推遲下一款游戲顯卡的發(fā)布。據(jù)《The Information》報道，消息人士稱公司今年不打算發(fā)布新的游戲顯卡芯片，因為全球內(nèi)存短缺加深促使NVIDIA優(yōu)先將有限的內(nèi)存容量用于AI...

英偉達內(nèi)存 2026-02-09

內(nèi)存短缺拖累業(yè)績預期，高通盤后股價下跌近10%

美國芯片制造商高通（Qualcomm）公布最新季度財報。盡管當季營收和盈利略高于市場預期，但公司給出的下一季度業(yè)績指引不及華爾街預估，主要受內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張影響，高通股價在盤后交易中一度下跌近10%。高通表示，截至202...

內(nèi)存短缺 2026-02-05

需求激增內(nèi)存漲價蘋果無法確保足夠iPhone芯片供應(yīng)

蘋果周四公布了爆款第一季度財報，并預測本季度增長高達16%，與剛剛結(jié)束的期間相符。蘋果表示，如果公司能獲得足夠的芯片以滿足客戶iPhone的需求，銷量可能會更好。財務(wù)主管凱文·帕雷克周四對分析師表示：“我們預計3月季度公...

內(nèi)存蘋果 2026-02-02

卷翻內(nèi)存市場中國存儲廠商加速擴張產(chǎn)能

全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)...

內(nèi)存存儲廠商 2026-02-02

傳音控股預警2025年凈利潤或暴跌超50%，主因內(nèi)存成本飆升

內(nèi)存價格持續(xù)暴漲，智能手機廠商正感受到前所未有的成本壓力。繼小米 reportedly 下調(diào)2026年出貨預期后，據(jù)IT之家援引公司公告報道，另一家中國手機品牌——傳音控股（Transsion）預計其2025年凈利潤將同...

智能手機內(nèi)存 2026-01-30

在當今經(jīng)濟環(huán)境下，自己焊接內(nèi)存值得嗎？

這場景仿佛回到了家用電腦發(fā)展的最初年代。2026 年的內(nèi)存價格一路飆升，32GB 或 64GB 的大容量 DDR5 內(nèi)存套裝，售價甚至超過一款中端顯卡。而 128GB 及以上規(guī)格的內(nèi)存套裝，價格更是高得離譜，這迫使部分裝...

內(nèi)存芯片 2026-01-26

固緯推出GDS-3102A / GDS-3104A 1 GHz數(shù)字存儲示波器

簡介固緯推出 GDS-3102A / GDS-3104A 1 GHz 數(shù)字存儲示波器，新機種以1 GHz帶寬、5 GSa/s實時取樣率、每通道200 Mpts內(nèi)存深度為核心，鎖定高速數(shù)字電路、電源設(shè)計與教育實驗室等應(yīng)用，...

固緯 GDS-3102A 2026-01-22

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本...

蘋果iPhone 18 原價 2026-01-20

意法半導體全新集成STM32WBA6無線微控制器將額外功能和性能與能效相結(jié)合

簡介意法半導體宣布推出下一代STM32節(jié)能短程無線微控制器（MCU），簡化了消費和工業(yè)設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)的連接。全新的STM32WBA6系列被應(yīng)用于連接的智能設(shè)備，如可穿戴醫(yī)療和健康監(jiān)測器、動物項圈、電子鎖、遠程天氣傳感器等。...

意法半導體 STM32WBA6 2026-01-06

今年智能手機售價預計將上漲約20%

手機存儲容量增長趨勢曾經(jīng)，擁有128GB閃存的手機被贊譽為“海量存儲”，但如今，手機存儲容量卻如脫韁野馬般迅猛增長，引發(fā)了手機存儲焦慮。在短短不到4年的時間里，手機存儲容量飆升至1TB，這種進化速度即便與摩爾定律相比也顯...

智能手機蘋果 2026-01-06

華碩報告15-20%漲價引發(fā)多米諾效應(yīng)，零售商于1月5日提高競爭對手價格

華碩在臺灣筆記本市場掀起了震蕩，宣布自今日（1月5日）起將進行新一輪漲價。據(jù)《鏡報》報道，公司已告知經(jīng)銷商，主流筆記本機型價格將上漲3,000至5,000新臺幣，而游戲筆記本價格可能上漲8,000至10,000元。華碩入...

華碩內(nèi)存 2026-01-05

中國維持2026年設(shè)備換新：最高補貼500元人民幣;智能手機，智能眼鏡聚焦

中國已敲定2026年消費品以舊換新政策，標志著該計劃連續(xù)第三年支持國內(nèi)消費。據(jù)路透社和央視報道，北京已撥款625億元人民幣（約89.4億美元）的超長期特款國債用于資助該倡議，旨在刺激消費，尤其是在零部件成本上升，尤其是內(nèi)...

國補華為 2026-01-04

據(jù)報道，頂級PC制造商，可能是惠普或聯(lián)想，在供應(yīng)商訪問后鎖定了內(nèi)存供應(yīng)

隨著內(nèi)存價格飆升，PC制造商正努力將成本轉(zhuǎn)嫁給消費者，同時爭先恐后地為市場可能出現(xiàn)更大價格波動爭取芯片供應(yīng)。易才全球報道，一家頂級PC公司最近對包括三星電子、SK海力士和美光在內(nèi)的主要內(nèi)存供應(yīng)商進行了密集訪問，并已達成初...

PC 內(nèi)存 2025-12-23

據(jù)報道小米17 Ultra將漲價：內(nèi)存壓縮推動顯著提升

隨著圣誕假期臨近，小米已確認小米17 Ultra將于12月25日發(fā)布，彩聯(lián)新聞報道。但據(jù)潔面新聞報道，飛漲的內(nèi)存價格意味著旗艦機將大幅漲價，公司總裁陸衛(wèi)冰強調(diào)這絕非小調(diào)。據(jù)介面稱，陸振譽稱內(nèi)存價格的飆升是一大頭疼。報告強...

內(nèi)存小米 2025-12-23

2026內(nèi)存危機：手機電腦漲價，竟因AI搶走了所有芯片？

2025年末，全球半導體生態(tài)系統(tǒng)正在經(jīng)歷前所未有的內(nèi)存芯片短缺，其連鎖效應(yīng)可能將持續(xù)到2027年，波及設(shè)備制造商和終端用戶。由于AI數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)超過供應(yīng)，造成供需失衡，DRAM價格已大幅飆升。IDC在制定11月的終...

內(nèi)存內(nèi)存市場 2025-12-22

內(nèi)存之亂案外案！傳三星總部罕見來臺內(nèi)部調(diào)查收回扣疑云

全球存儲器市場迎來最劇烈的缺貨、漲價風暴，缺貨的驅(qū)動力與結(jié)構(gòu)條件與過往不同，上下游產(chǎn)業(yè)直言此波嚴峻狀況，估計要持續(xù)至2027年。然正當市場陷入存儲器狂飆之亂，近日供應(yīng)鏈傳出三星電子（Samsung Electronics...

內(nèi)存三星 2025-12-18

內(nèi)存緊繃影響個人電腦：戴爾12月中旬漲價15-20%，聯(lián)想自2026年1月起

AI服務(wù)器內(nèi)存需求的飆升推動了DRAM價格的急劇上漲——現(xiàn)在PC和筆記本制造商正感受到壓力。業(yè)內(nèi)消息人士今日透露，聯(lián)想已開始通知客戶即將到來的價格上漲，隨著市場壓力加大，調(diào)整計劃于2026年初生效。據(jù)消息人士透露，另一家...

內(nèi)存戴爾 2025-12-09

生成式AI時代的邊緣AI處理器評估

TOPS很重要，但還不夠。隨著邊緣人工智能不斷革新行業(yè)，選擇合適的處理器成為開發(fā)者和企業(yè)的關(guān)鍵決策。雖然TOPS次數(shù)（每秒太作數(shù)）歷來是評估AI硬件的首選指標，但僅依賴它可能導致過于簡化和誤導性的結(jié)論。在這里，我們將探討...

AI 內(nèi)存 2025-12-04

今昔對比：磁芯

我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現(xiàn)邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術(shù)從未進入商業(yè)領(lǐng)域，但在技術(shù)層面是可行的。1...

磁芯內(nèi)存 2025-12-01

64GB DDR5內(nèi)存據(jù)報道因內(nèi)存價格飆升而比PlayStation 5還要貴

在爆炸式增長的人工智能需求推動下，內(nèi)存價格以多年來未見的速度攀升。據(jù)TechNews援引PCMag報道，PC內(nèi)存價格急劇上漲，64GB DDR5套件現(xiàn)已超過500美元，價格甚至超過索尼PlayStation 5。報告指出...

內(nèi)存人工智能 2025-12-01

在內(nèi)存緊張、壓縮小型主板合作伙伴的情況下，NVIDIA 可能會停止與 GPU 捆綁顯存

隨著內(nèi)存緊張加劇，這一浪潮不僅波及智能手機和個人電腦等消費品，甚至最大的科技巨頭也感受到了壓力。Tom's Hardware援引泄密者Golden Pig Upgrade的消息稱，NVIDIA已停止與其銷售給AIBs的G...

內(nèi)存主板 2025-12-01

臺積電展望定制版HBM4E內(nèi)存：N3P制程基礎(chǔ)裸片集成內(nèi)存控制器

11 月 28 日消息，參考德媒 Hardwareluxx 編輯 Andreas Schilling 在社交平臺分享的圖片，臺積電在本月 25 日于荷蘭阿姆斯特丹舉行的 2025 年 OIP（開放創(chuàng)新平臺）生態(tài)系統(tǒng)論壇歐...

臺積電 HBM4E 2025-11-28

DDR5內(nèi)存現(xiàn)在可能比PlayStation 5還貴

64GB DDR5內(nèi)存的平均價格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預計要花比買電腦更高的價格。價格還在上漲：PC內(nèi)存的價格已經(jīng)高到64GB?DDR5內(nèi)存包輕松超過500美元，甚至超過索尼PlayStatio...

DDR 內(nèi)存 2025-11-25

三星 LPDDR6 內(nèi)存規(guī)格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據(jù)報道，著眼于 14 Gbps

隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設(shè)備、配件和應(yīng)用程序類別創(chuàng)新獎獲獎?wù)摺Ｐ鹿嫉囊?guī)格特別指出，12 納米...

三星 LPDDR6 2025-11-13

內(nèi)存很重要：嵌入式 NVM（eNVM）

我們現(xiàn)在正處于人工智能時代，數(shù)據(jù)是創(chuàng)新的命脈，而嵌入式 NVM 是一項基石技術(shù)，無需使用電源即可保留信息，并支持從 MCU 和物聯(lián)網(wǎng) SoC 到汽車控制器和安全元件的一切。截至 2025 年 11 月，嵌入式 NVM 發(fā)...

內(nèi)存嵌入式 2025-11-07

在 AI 需求不斷增長期間如何應(yīng)對 DDR4 停產(chǎn)

過去一年，內(nèi)存市場從“供需平衡”驟然滑向“緊平衡”。DDR4 生命周期終止（EOL）通知與 AI 建設(shè)潮“搶產(chǎn)能”正面相撞——高帶寬、先進節(jié)點成為晶圓廠新寵，傳統(tǒng)產(chǎn)品線瞬間被抽走產(chǎn)能。晶圓廠重新調(diào)...

DDR4 人工智能 2025-11-06

三星半導體止住下滑頹勢，內(nèi)存飆升帶動新工藝投資

隨著內(nèi)存價格攀升，以及三星終于進入英偉達HBM供應(yīng)體系，三星半導體終于實現(xiàn)營收復蘇，結(jié)束了其芯片部門連續(xù)四個季度下降的局勢。人工智能應(yīng)用成為三星半導體復蘇最大的外部因素，內(nèi)存業(yè)務(wù)實現(xiàn)了三星所說的“創(chuàng)紀錄的季度收入”，這得...

三星半導體內(nèi)存 2025-10-31

內(nèi)存狂缺貨！大客戶滿足率僅剩7成、服務(wù)器DRAM漲價5成

記憶體缺貨風暴進入慘烈局面，近期上游國際原廠2025年第4季合約價陸續(xù)敲定。據(jù)悉，隨著各家搶貨激烈，導致美、中多家一線大客戶的訂單滿足率，僅約7成。而服務(wù)器內(nèi)存第4季合約價暴沖，漲幅高達40~50%，產(chǎn)能排擠效應(yīng)已連...

內(nèi)存服務(wù)器DRAM 2025-10-28

邊緣AI推理速度提高5倍，內(nèi)存只需要一半

我第一次聽說亞閾值數(shù)字設(shè)計技術(shù)是在許多個月前，但只是在相對簡單的產(chǎn)品實現(xiàn)（例如手表）的背景下。當我發(fā)現(xiàn) Ambiq 的人們正在利用這項技術(shù)來設(shè)計整個超低功耗處理器時，我感到震驚。簡而言之，在傳統(tǒng)的 CMOS 設(shè)計中，晶體...

邊緣AI 推理速度 2025-10-13

Raspberry Pi 500+將Pi、16GB RAM和真正SSD放在機械鍵盤中

Raspberry Pi 500（和 400）系統(tǒng)是 Raspberry Pi 的版本，專為將 Raspberry Pi 用作通用計算機而不是業(yè)余設(shè)備的用戶而構(gòu)建?，F(xiàn)在，該公司通過 Raspberry Pi 5...

Raspberry Pi RAM 2025-09-28

不只內(nèi)存喊漲臺積電末代3納米CPU漲2成

蘋果最新iPhone 17系列近日正式發(fā)售，A19芯片采用的是臺積電最新3納米N3P制程，下一代A20進入2納米時代，而Android陣營的聯(lián)發(fā)科、高通等CPU的3納米制程也進入尾聲，業(yè)界傳出，末代3納米制程CPU價格比...

內(nèi)存臺積電 2025-09-22

用鉬縮放內(nèi)存

鉬作為當今半導體制造中常用的各種金屬的替代品，尤其是在前沿節(jié)點上，看起來越來越有希望。芯片制造商正在一個接一個地將先進節(jié)點的金屬從清單上劃掉。雖然釕襯里幾乎可以生產(chǎn)，但這種金屬還沒有準備好在高度規(guī)模的互連中取代銅。釕非常...

鉬縮放 2025-09-19

HBM 之后是什么？堆疊式 NAND HBF 或?qū)⒊蔀?AI 未來的關(guān)鍵

根據(jù) The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結(jié)構(gòu)上與 ...

AI 內(nèi)存 2025-09-15

磁芯的過去、現(xiàn)在和未來內(nèi)存技術(shù)的巨變變化

《電子設(shè)計：時不時》的這一迭代是在我從我們的檔案中閱讀“在計算機中使用磁芯”時受到啟發(fā)的。本文最初發(fā)表于 Electronic Design 1955 年 4 月，第 3 卷第 4 期。這是不久前的事...

磁芯內(nèi)存 2025-09-08

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國...

內(nèi)存 NAND 2025-09-02

UltraRAM 接近商業(yè)化：DRAM 速度，NAND 耐用性，1000 年數(shù)據(jù)壽命

據(jù) TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術(shù)“UltraRAM”，結(jié)合了 D...

存儲內(nèi)存 2025-09-01

內(nèi)存巨頭在 HBM 基板上出現(xiàn)分歧：美光據(jù)報道推遲晶圓廠轉(zhuǎn)移，面臨失去優(yōu)勢的風險

據(jù)報道，英偉達正在為其 2027 年的生產(chǎn)開發(fā)自己的 HBM 基板，內(nèi)存巨頭的基板制造從 DRAM 轉(zhuǎn)移到晶圓廠工藝的焦點。據(jù)韓國的 Digital Daily 報道，美光可能采取了最謹慎的做法，由于...

英偉達 HBM3 2025-09-01

英偉達計劃于 2027 年開始設(shè)計 HBM 邏輯芯片，以在供應(yīng)鏈中獲得對臺積電、SK 海力的優(yōu)勢

根據(jù)韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達計劃從 2027 年下半年開始承擔 HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設(shè)計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認為英偉達的策略是為了重新平衡其與關(guān)鍵合...

HBM 內(nèi)存 2025-08-26