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長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產

近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業，主要為市場...

長江存儲半導體 2026-02-05

長江存儲首個LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國產

存儲器缺貨嚴峻持續擴大，供應鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的維穩大任，優先支持中國特定產業與應用，確保內需供應鏈穩...

長江存儲 LPDDR5 2026-02-03

NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨特的技術特性，在工業、汽車等專業領域...

NOR Flash 2026-02-02

卷翻內存市場中國存儲廠商加速擴張產能

全球存儲器市場爆發缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能，原定于2027年量產的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯等帶來競爭壓力，后續...

內存存儲廠商 2026-02-02

240億美元，美光加碼NAND產線

美光新加坡工廠預計將于 2028 年下半年投產晶圓。...

美光 NAND 2026-01-29

240億美元！美光擴建新加坡NAND晶圓廠

隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設一座全新的先進半導體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產能...

美光科技 NAND 2026-01-29

上調100%！存儲市場又一重磅調價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類...

存儲 NAND 2026-01-27

三星、SK海力士聯手減產，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

援引市場研究機構Omdia的最新調研成果披露，合計占全球NAND產能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產量從2025年的490萬片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

中微半導發布首款Flash芯片，進軍存儲領域

1月19日，中微半導發布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲器芯片，正式進入Flash領域。這一產品型號為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲陣列被...

中微半導 Flash 2026-01-20

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發售價與前代持平，但在高存儲容量版本...

蘋果iPhone 18 原價 2026-01-20

GigaDevice在香港上市：創始人押注中國記憶未來

中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應商，于1月13日首次進入香港市場。據EE Times China報道，該公司在IPO中發行了2892萬股H股。此次發行價格為每股1...

NAND 香港 2026-01-19

內存現貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

根據TrendForce最新的記憶現貨價格趨勢報告，關于DRAM的現貨價格持續日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度，也是現階段商業產品中最高的，使其成...

三星長江存儲 2026-01-19

SK海力士發布了5位NAND，可分割單元，實現20×更快的讀取速度

存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產品，同時加倍投入先進技術。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統PLC（...

NAND SK海力士 2026-01-19

NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領域洞察

進入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價保持穩定，基本不受存儲周期性波動影響。同時，市場需求正日益轉向適用于汽車、工業及真無線耳機（TWS）等領域的更高密度SPI NOR產品。更...

NOR Flash MEMS 2026-01-16

兆易創新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

一、產品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創新的壞塊管理（BBM）...

兆易創新 GD5F1GM9 2025-12-30

金斯頓警告稱，自2025年初以來，NAND價格已飆升246%，預示未來將有更多價格上漲

在供應緊張引發全球記憶價格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調價格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數據中心SSD業務經理Cameron Crandall的言論指...

NAND 存儲 2025-12-18

長江存儲對美國國防部、商務部發起訴訟

據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長江存儲 3D NAND 2025-12-11

三星大力推崇96%的NAND設計采用低功耗——研究人員研究基于鐵電晶體管的設計

研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個單元最多可達五位。三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵...

NAND 三星 2025-12-03

三星推崇基于鐵電晶體管設計的低功耗NAND

三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。該書描...

三星鐵電晶體管 2025-12-02

三星據報道將在研發部門調整中發布NAND技術，將削減96%的功耗

在內存供應緊張和價格飆升給行業壓力的情況下，據ETNews和News 1報道，三星開發出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數據中心、移動設備及廣泛應用的能效。據報道，11月27日，SAIT（...

NAND 閃存 2025-12-01

BiCS FLASH進階時，加速存儲新進化

AI算力需求爆炸，海量數據頻繁調動，致使存儲行業變得愈發重要。無論是當下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側AI，高性能、高密度、高能效存儲解決方案都將作為可靠的硬件基礎，進而解決數據中心、AI訓練推理以及移動設...

BiCS FLASH 3D閃存 2025-11-28

SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

HDD交付延遲拉長至2年QLC NAND產能提前被搶購一空

AI服務器推動儲存需求爆發，傳統硬盤（HDD）持續大缺貨，據悉，交付期限已延長至2年以上，北美及中國云端服務（CSP）大廠「緊急加單」，采購大容量企業級固態硬盤（SSD）。部分原廠2026年QLC NAND Flash...

HDD QLC NAND 2025-11-07

用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創造新可能

AI的計算、數據傳輸與存儲已經成為當下數據中心和服務器端最為關注的問題之一。在有限的空間和成本內如何實現更高的收益，如何讓存儲方案給計算單元提供充足的數據支持，加速數據交換，節省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技...

鎧俠 BiCS Flash 2025-10-10

長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中...

長江存儲半導體 2025-10-09

SK 海力士據報道與客戶協商價格調整，跟隨美光和三星

存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協...

DRAM NAND 2025-09-23

Kioxia 股價因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益

根據韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia—...

鎧俠 NAND 2025-09-16

美光凍結價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應短缺

隨著全球數據中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉向推理 AI，推動了對大容量內存需求的持續增長，并導致內存供應緊張從 DRAM 轉向 NAND。供應鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調 10%之后...

美光 AI 2025-09-15

長江存儲加速產能擴張：新公司注冊資本達207億，其認繳出資104億元

現在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、...

長江存儲 YMTC 2025-09-09

內存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴

根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國...

內存 NAND 2025-09-02

第二季度NAND收入環比增長22%

TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季...

NAND Flash 2025-09-02

美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響

三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據路透社和彭博社的數據，三星和 SK 海力士...

三星海力士 2025-09-01

內存漲價輪到NOR Flash！第四季全面漲勢更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業界預期，...

內存 NOR Flash 2025-08-26

三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃

據韓媒ZDNet Korea援引業界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND...

三星 SK海力士 2025-08-26

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證

美光??宣布推出業內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現已實現商業化。該產品專為航空航天及其...

美光內存 2025-07-29

中國長江存儲計劃通過使用國產工具建立生產線來擺脫美國制裁

(圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大...

長江存儲 NAND 2025-07-22

中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產

中國存儲半導體公司長鑫存儲科技（CXMT）和長江存儲科技（YMTC）正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM...

CXMT YMTC 2025-07-21

「STM32 Flash 操作全解析」擦除、寫入、讀取一網打盡！附完整源碼

在嵌入式開發中，MCU 內部的 Flash 常用于存儲配置信息、日志數據或用于 OTA 升級。STM32F4 系列 MCU 提供了對 Flash 的靈活操作能力，包括按扇區擦除、字節或半字寫入等。本文將圍繞一段實際使用的...

STM32 Flash 2025-07-15

NAND Flash合約價 Q3看漲10%

根據TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優...

NAND Flash 2025-07-10

FORESEE-SPI-NAND-Flash