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長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產(chǎn)

近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項目負責(zé)人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設(shè)現(xiàn)場三期擴產(chǎn)與未來目標(biāo)長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場...

長江存儲半導(dǎo)體 2026-02-05

長江存儲首個LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國產(chǎn)

存儲器缺貨嚴峻持續(xù)擴大，供應(yīng)鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務(wù)器市場，導(dǎo)致消費性、汽車市場等將首當(dāng)其沖，國內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導(dǎo)大廠長江存儲傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國特定產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用，確保內(nèi)需供應(yīng)鏈穩(wěn)...

長江存儲 LPDDR5 2026-02-03

NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據(jù)閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨特的技術(shù)特性，在工業(yè)、汽車等專業(yè)領(lǐng)域...

NOR Flash 2026-02-02

卷翻內(nèi)存市場中國存儲廠商加速擴張產(chǎn)能

全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)...

內(nèi)存存儲廠商 2026-02-02

240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

美光新加坡工廠預(yù)計將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。...

美光 NAND 2026-01-29

240億美元！美光擴建新加坡NAND晶圓廠

隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進半導(dǎo)體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產(chǎn)能...

美光科技 NAND 2026-01-29

上調(diào)100%！存儲市場又一重磅調(diào)價信號

三星今年第一季度對NAND閃存的供應(yīng)合約價格已上調(diào)超過100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產(chǎn)品采取了類...

存儲 NAND 2026-01-27

三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

援引市場研究機構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至4...

三星 SK海力士 2026-01-22

中微半導(dǎo)發(fā)布首款Flash芯片，進軍存儲領(lǐng)域

1月19日，中微半導(dǎo)發(fā)布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲器芯片，正式進入Flash領(lǐng)域。這一產(chǎn)品型號為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲陣列被...

中微半導(dǎo) Flash 2026-01-20

蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本...

蘋果iPhone 18 原價 2026-01-20

GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國記憶未來

中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應(yīng)商，于1月13日首次進入香港市場。據(jù)EE Times China報道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬股H股。此次發(fā)行價格為每股1...

NAND 香港 2026-01-19

內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫存，主流DDR4上漲10%

根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在N...

DDR4 DRAM 2026-01-19

傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成...

三星長江存儲 2026-01-19

SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實現(xiàn)20×更快的讀取速度

存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產(chǎn)品，同時加倍投入先進技術(shù)。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（...

NAND SK海力士 2026-01-19

NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價保持穩(wěn)定，基本不受存儲周期性波動影響。同時，市場需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無線耳機（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更...

NOR Flash MEMS 2026-01-16

兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）...

兆易創(chuàng)新 GD5F1GM9 2025-12-30

金斯頓警告稱，自2025年初以來，NAND價格已飆升246%，預(yù)示未來將有更多價格上漲

在供應(yīng)緊張引發(fā)全球記憶價格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調(diào)價格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數(shù)據(jù)中心SSD業(yè)務(wù)經(jīng)理Cameron Crandall的言論指...

NAND 存儲 2025-12-18

長江存儲對美國國防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤...

長江存儲 3D NAND 2025-12-11

三星大力推崇96%的NAND設(shè)計采用低功耗——研究人員研究基于鐵電晶體管的設(shè)計

研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個單元最多可達五位。三星研究人員發(fā)布了一份詳細的NAND實驗性架構(gòu)報告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵...

NAND 三星 2025-12-03

三星推崇基于鐵電晶體管設(shè)計的低功耗NAND

三星研究人員發(fā)布了一份詳細的NAND實驗性架構(gòu)報告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術(shù)研究院的研究人員完成，發(fā)表在《自然》期刊上。該書描...

三星鐵電晶體管 2025-12-02

三星據(jù)報道將在研發(fā)部門調(diào)整中發(fā)布NAND技術(shù)，將削減96%的功耗

在內(nèi)存供應(yīng)緊張和價格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報道，三星開發(fā)出了一種NAND閃存技術(shù)，能夠降低90%以上的功耗，預(yù)計將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及廣泛應(yīng)用的能效。據(jù)報道，11月27日，SAIT（...

NAND 閃存 2025-12-01

BiCS FLASH進階時，加速存儲新進化

AI算力需求爆炸，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動，致使存儲行業(yè)變得愈發(fā)重要。無論是當(dāng)下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側(cè)AI，高性能、高密度、高能效存儲解決方案都將作為可靠的硬件基礎(chǔ)，進而解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動設(shè)...

BiCS FLASH 3D閃存 2025-11-28

SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發(fā)高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據(jù)報道，該公司正在探索更廣泛的...

SK海力士高帶寬 2025-11-11

HDD交付延遲拉長至2年QLC NAND產(chǎn)能提前被搶購一空

AI服務(wù)器推動儲存需求爆發(fā)，傳統(tǒng)硬盤（HDD）持續(xù)大缺貨，據(jù)悉，交付期限已延長至2年以上，北美及中國云端服務(wù)（CSP）大廠「緊急加單」，采購大容量企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）。部分原廠2026年QLC NAND Flash...

HDD QLC NAND 2025-11-07

用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創(chuàng)造新可能

AI的計算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實現(xiàn)更高的收益，如何讓存儲方案給計算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持，加速數(shù)據(jù)交換，節(jié)省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技...

鎧俠 BiCS Flash 2025-10-10

長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責(zé)任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中...

長江存儲半導(dǎo)體 2025-10-09

SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)...

DRAM NAND 2025-09-23

Kioxia 股價因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益

根據(jù)韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應(yīng)短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia—...

鎧俠 NAND 2025-09-16

美光凍結(jié)價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應(yīng)短缺

隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動了對大容量內(nèi)存需求的持續(xù)增長，并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調(diào) 10%之后...

美光 AI 2025-09-15

長江存儲加速產(chǎn)能擴張：新公司注冊資本達207億，其認繳出資104億元

現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計、...

長江存儲 YMTC 2025-09-09

內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國...

內(nèi)存 NAND 2025-09-02

第二季度NAND收入環(huán)比增長22%

TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季...

NAND Flash 2025-09-02

美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響

三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風(fēng)險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士...

三星海力士 2025-09-01

內(nèi)存漲價輪到NOR Flash！第四季全面漲勢更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，...

內(nèi)存 NOR Flash 2025-08-26

三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃

據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對NAND...

三星 SK海力士 2025-08-26

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其...

美光內(nèi)存 2025-07-29

中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

(圖片來源：YMTC)長江存儲技術(shù)有限公司（YMTC），中國領(lǐng)先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大...

長江存儲 NAND 2025-07-22

中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)

中國存儲半導(dǎo)體公司長鑫存儲科技（CXMT）和長江存儲科技（YMTC）正在加強其在全球存儲半導(dǎo)體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM...

CXMT YMTC 2025-07-21

「STM32 Flash 操作全解析」擦除、寫入、讀取一網(wǎng)打盡！附完整源碼

在嵌入式開發(fā)中，MCU 內(nèi)部的 Flash 常用于存儲配置信息、日志數(shù)據(jù)或用于 OTA 升級。STM32F4 系列 MCU 提供了對 Flash 的靈活操作能力，包括按扇區(qū)擦除、字節(jié)或半字寫入等。本文將圍繞一段實際使用的...

STM32 Flash 2025-07-15

NAND Flash合約價 Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價格走勢，預(yù)估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)...

NAND Flash 2025-07-10

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