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三星率先交付全球首款商用HBM4，速率從11.7 Gbps提升至13 Gbps

就在美光（Micron）剛剛駁斥“HBM4被擱置”的傳聞后，另一家存儲(chǔ)巨頭三星（Samsung）隨即宣布已啟動(dòng)HBM4的量產(chǎn)，并開(kāi)始出貨首批商用產(chǎn)品，在這一關(guān)鍵市場(chǎng)中取得先發(fā)優(yōu)勢(shì)。根據(jù)其新聞稿，三星利用先進(jìn)的第六代10納...

三星 HBM 2026-02-13

三星HBM4將于農(nóng)歷新年后率先出貨，初期市占率預(yù)計(jì)約25%

隨著英偉達(dá)（NVIDIA）計(jì)劃于2026年3月中旬在GTC大會(huì)上推出下一代AI加速器“Vera Rubin”，三星與SK海力士在HBM4（第四代高帶寬內(nèi)存）領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)正引發(fā)市場(chǎng)高度關(guān)注。據(jù)韓聯(lián)社（Yonhap News）...

存儲(chǔ) HBM 2026-02-09

三星可能在下個(gè)月開(kāi)始為英偉達(dá)量產(chǎn)HBM4芯片

三星用于人工智能加速器的 HBM3 與 HBM3E 芯片此前均存在性能問(wèn)題。為獲得英偉達(dá)的認(rèn)證許可，三星去年不得不對(duì)其 HBM3E 芯片進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。即便如此，這些經(jīng)過(guò)改版的 HBM3E 芯片也僅用于英偉達(dá)在中國(guó)市場(chǎng)銷售...

?三星人工智能 2026-01-28

據(jù)稱三星正推進(jìn) 2 納米定制 HBM 邏輯芯片的開(kāi)發(fā)

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體正推進(jìn)一項(xiàng)針對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的全新 2 納米工藝項(xiàng)目，計(jì)劃為不同客戶需求開(kāi)發(fā)定制化 HBM 邏輯芯片。報(bào)道引述業(yè)內(nèi)人士稱，盡管具體客戶名單尚未披露，但三星 HBM 開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)著...

三星 2 納米 2026-01-22

據(jù)報(bào)道，三星首次將定制HBM邏輯芯片引入2nm代工工藝

三星正在加大對(duì)定制HBM邏輯芯片的開(kāi)發(fā)力度。據(jù)ZDNet報(bào)道，消息人士稱公司正在設(shè)計(jì)用于定制HBM的邏輯芯片，采用先進(jìn)的代工工藝節(jié)點(diǎn)如2nm。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō)，三星電子此前已將4nm工藝應(yīng)用于HBM4（第六代HBM）所用的邏輯...

三星 HBM 2026-01-22

終極3D集成，將顛覆未來(lái)的GPU

當(dāng)HBM疊上GPU，散熱難題如何成為算力突破的 “攔路虎”？...

HBM 2026-01-19

終極的3D集成將造就未來(lái)的顯卡

深入了解AMD或英偉達(dá)最先進(jìn)的AI產(chǎn)品包裝，你會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)熟悉的布局：GPU兩側(cè)被高帶寬內(nèi)存（HBM）覆蓋，這是市面上最先進(jìn)的內(nèi)存芯片。這些內(nèi)存芯片盡可能靠近它們所服務(wù)的計(jì)算芯片，以減少人工智能計(jì)算中最大的瓶頸——將數(shù)十億...

Imec GPU 2026-01-16

HBM刻蝕設(shè)備據(jù)稱將進(jìn)入超級(jí)周期

在存儲(chǔ)行業(yè)深陷人工智能（AI）驅(qū)動(dòng)的繁榮浪潮之際，各大存儲(chǔ)廠商正一致將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向具備高帶寬、大容量、低功耗特性的 AI 導(dǎo)向型存儲(chǔ)解決方案。隨著高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求持續(xù)激增，部分廠商 2026 年的 HBM 產(chǎn)能...

HBM 刻蝕設(shè)備 2026-01-16

HBF、HMC等四大存儲(chǔ)，誰(shuí)能力敵HBM

HBM（高帶寬內(nèi)存）作為當(dāng)前 AI 加速器 GPU 的核心配置，憑借垂直堆疊的薄 DRAM 芯片結(jié)構(gòu)，以超高數(shù)據(jù)帶寬為 AI 訓(xùn)練與推理提供了關(guān)鍵支撐，成為 AI 算力爆發(fā)的重要基石。然而，HBM 存在兩大顯著...

HBF HMC 2026-01-12

據(jù)報(bào)道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求

隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴(kuò)充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價(jià)格飆升。《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測(cè)云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達(dá)到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報(bào)告警告...

AI DRAM 2025-12-30

富士通加入軟銀-英特爾Saimemory項(xiàng)目，打造HBM替代方案

這項(xiàng)耗資5200萬(wàn)美元的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目目標(biāo)是在本世紀(jì)末前完成批量生產(chǎn)。軟銀將向Saimemory出資2000萬(wàn)美元。富士通和日本理研國(guó)立研究院將出資700萬(wàn)美元。日本政府預(yù)計(jì)還將補(bǔ)貼部分費(fèi)用。Saimemory旨在...

富士通軟銀 2025-12-30

華為發(fā)力存儲(chǔ)單元：自研HMC獨(dú)辟蹊徑，從統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)走向系統(tǒng)定制

近期，關(guān)于華為自研存儲(chǔ)單元HMC（Hybrid Memory Cube，混合內(nèi)存立方體）的討論也在升溫，但需要明確的是HMC并非傳統(tǒng)意義上的HBM替代方案。華為在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域已推出多款自研產(chǎn)品，覆蓋高帶寬內(nèi)存、固態(tài)存儲(chǔ)及...

華為存儲(chǔ) 2025-12-18

三星HBM4據(jù)報(bào)道在博通測(cè)試中超預(yù)期，預(yù)計(jì)領(lǐng)跑2026年谷歌TPU供應(yīng)

谷歌的TPU作為NVIDIA的有力替代方案正逐漸獲得關(guān)注，三星也成為ASIC趨勢(shì)的受益者。據(jù)《朝鮮商務(wù)》報(bào)道，三星電子正在向全球最大的ASIC設(shè)計(jì)公司博通供應(yīng)HBM，其第六代HBM（HBM4）據(jù)報(bào)道已在測(cè)試中超過(guò)博通的初...

HBM 谷歌 2025-12-04

面對(duì)中國(guó)AI對(duì)手，英偉達(dá)卡緊“產(chǎn)能”和“存儲(chǔ)”的脖子

最可怕的不是中國(guó)廠商在硬件上迫近英偉達(dá)最先進(jìn)的AI芯片，而是中國(guó)對(duì)手們借由自己的芯片發(fā)展自己的專有軟件和技術(shù)棧...

OpenAI 英偉達(dá) 2025-11-17

三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)

各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開(kāi)始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃...

存儲(chǔ)器 1c DRAM 2025-09-29

超越HBM！HBF未來(lái)崛起，NAND堆疊成為AI新的存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)力

據(jù)韓媒報(bào)道，被韓媒譽(yù)為“HBM之父”的韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時(shí)代的關(guān)鍵存儲(chǔ)技術(shù)，并將與HBM并行發(fā)展，共同推動(dòng)各大芯片廠商的性能增長(zhǎng)。HBF的設(shè)計(jì)理念...

HBM HBF 2025-09-19

HBM 之后是什么？堆疊式 NAND HBF 或?qū)⒊蔀?AI 未來(lái)的關(guān)鍵

根據(jù) The Elec 的報(bào)道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來(lái)的決定性因素。正如報(bào)道解釋的那樣，HBF 在結(jié)構(gòu)上與 ...

AI 內(nèi)存 2025-09-15

SK 海力士完成全球首款 HBM4，量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，待英偉達(dá)批準(zhǔn)

SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開(kāi)發(fā)，并最終準(zhǔn)備好大規(guī)模生產(chǎn)——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據(jù)其新聞稿，該公司現(xiàn)在已準(zhǔn)備好按照客戶的時(shí)間表交付頂級(jí) HBM4。在其新聞稿中，SK hyni...

海力士 HBM 2025-09-12

HBM 發(fā)展超越 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，據(jù)報(bào)道代次周期縮短至 2.5 年

隨著下一代 HBM 的競(jìng)爭(zhēng)加劇，內(nèi)存巨頭正在為 NVIDIA 的 Rubin 的需求激增做準(zhǔn)備。根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，NVIDIA 計(jì)劃在 2026 年第一季度完成 HBM4 最終資格測(cè)試。然而，...

英偉達(dá) HBM 2025-09-01

2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)分析

在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下，2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%至321.01億美元，同比增長(zhǎng)37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑...

DRAM SK海力士 2025-08-28

華為于 8 月 27 日進(jìn)軍全球 AI 內(nèi)存競(jìng)賽，即將推出 AI SSD

在發(fā)布用于減少中國(guó) HBM 依賴的 AI 推理加速工具 UCM（統(tǒng)一計(jì)算內(nèi)存）后不久，華為再次在內(nèi)存領(lǐng)域引起轟動(dòng)，據(jù)中國(guó)媒體guancha.cn 和國(guó)家商業(yè)日?qǐng)?bào) 稱，華為計(jì)劃于 8 月 2...

華為 HBM.人工智能 2025-08-26

英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年開(kāi)始設(shè)計(jì) HBM 邏輯芯片，以在供應(yīng)鏈中獲得對(duì)臺(tái)積電、SK 海力的優(yōu)勢(shì)

根據(jù)韓國(guó)媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達(dá)計(jì)劃從 2027 年下半年開(kāi)始承擔(dān) HBM 價(jià)值鏈中“邏輯芯片”的設(shè)計(jì)工作，這是一個(gè)核心組件，同時(shí)計(jì)劃多樣化其來(lái)源。報(bào)道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為英偉達(dá)的策略是為了重新平衡其與關(guān)鍵合...

HBM 內(nèi)存 2025-08-26

華為推出 UCM 算法以減少對(duì) HBM 的依賴，據(jù)報(bào)道將在 9 月開(kāi)源

雖然當(dāng)?shù)孛襟w關(guān)注華為減少中國(guó) HBM 對(duì)人工智能推理的依賴，但這家科技巨頭在 8 月 12 日發(fā)布了 UCM（統(tǒng)一計(jì)算內(nèi)存）——據(jù)我的駕駛和證券時(shí)報(bào)報(bào)道，這是一種人工智能推理突破，可大幅降低延遲和成本，同時(shí)提高效率。值得...

華為 HBM.人工智能 2025-08-13

泰瑞達(dá)推出適用于高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的新一代內(nèi)存測(cè)試平臺(tái)Magnum 7H

全球領(lǐng)先的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備和機(jī)器人供應(yīng)商泰瑞達(dá)近日宣布推出新一代內(nèi)存測(cè)試平臺(tái)Magnum 7H，旨在滿足高性能生成式AI服務(wù)器中GPU和加速器所集成的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片測(cè)試的嚴(yán)苛要求。Magnum 7H專為大規(guī)模HBM...

泰瑞達(dá) 高帶寬內(nèi)存 2025-08-11

手機(jī)裝上HBM，會(huì)怎樣？

在漫威電影宇宙中，鋼鐵俠的 AI 管家賈維斯，能理解復(fù)雜指令、實(shí)時(shí)提供各類信息、輔助戰(zhàn)甲高效運(yùn)行，為觀眾描繪出強(qiáng)大的 AI 應(yīng)用場(chǎng)景。如今，隨著移動(dòng) HBM 技術(shù)的發(fā)展，我們的手機(jī)也在邁向具備類似強(qiáng)大 AI 能...

HBM 2025-08-05

半導(dǎo)體行業(yè)前5%的公司包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤(rùn)

據(jù)全球咨詢公司麥肯錫7月20日發(fā)布的報(bào)告顯示，包括英偉達(dá)、臺(tái)積電、博通等在內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)前5%（按年銷售額計(jì)算）的公司，包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤(rùn)。前5%的半導(dǎo)體公司獲得的經(jīng)濟(jì)利潤(rùn)高達(dá)1590億美元，而中間90...

半導(dǎo)體英偉達(dá) 2025-07-31

HBM 混合鍵合需求據(jù)報(bào)道在 2025 年下半年上升，BESI 和 ASMPT 展望增長(zhǎng)

根據(jù) ZDNet 在 25 日的報(bào)道，引用行業(yè)消息人士稱，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體后端設(shè)備制造商預(yù)計(jì)將在 2025 年下半年擴(kuò)大其 HBM 混合鍵合業(yè)務(wù)。BESI 預(yù)計(jì) 2025 年下半年混合鍵合訂單將增長(zhǎng)7...

HBM 三星 2025-07-28

據(jù)報(bào)道，2026 年 HBM 價(jià)格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險(xiǎn)，對(duì) SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)

隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動(dòng) HBM 需求增長(zhǎng)，分析師警告明年可能面臨價(jià)格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，競(jìng)爭(zhēng)加劇和供過(guò)于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價(jià)格下跌——這對(duì)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者...

HBM 內(nèi)存 2025-07-18

主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時(shí)間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計(jì)劃

隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時(shí)間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時(shí)報(bào)的報(bào)道，三星、SK 海力士和美光計(jì)劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的...

存儲(chǔ) DDR4 2025-07-09

三星旨在通過(guò)新一代 DRAM 和 HBM4 實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體回歸

Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)不佳，該業(yè)務(wù)占整體利潤(rùn)的 50-60%。由于持續(xù)的技術(shù)問(wèn)題，高帶寬內(nèi)存（HBM）和其他高容量、高附加值內(nèi)存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能（...

三星電子 HBM.半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 2025-07-09

三星電子的半導(dǎo)體困境：HBM苦苦掙扎，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手表現(xiàn)出色

三星電子在今年第二季度錄得的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)明顯低于市場(chǎng)預(yù)期，引發(fā)了對(duì)其高帶寬內(nèi)存（HBM）業(yè)務(wù)失敗的擔(dān)憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務(wù)的潛在復(fù)蘇。盡管存儲(chǔ)半導(dǎo)體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和...

三星電子半導(dǎo)體 2025-07-08

HBM，爆炸式增長(zhǎng)

HBM，如何推動(dòng) AI 發(fā)展？...

HBM 2025-07-08

全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光 HBM 的激增？美國(guó)、日本和印度的最新時(shí)間表

美光在 2025 財(cái)年第三季度的創(chuàng)紀(jì)錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動(dòng)的——而且勢(shì)頭仍在繼續(xù)。這家美國(guó)內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標(biāo)是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場(chǎng)份額，正如 ZDNet 所報(bào)道的那...

美光 HBM 2025-06-27

Micron將HBM擴(kuò)展到四個(gè)主要的GPU/ASIC客戶端

在 2025 財(cái)年第三季度 HBM 銷售額增長(zhǎng)近 50% 的推動(dòng)下，美光公布了創(chuàng)紀(jì)錄的收入，現(xiàn)在正著眼于另一個(gè)里程碑。據(jù) ZDNet 稱，這家美國(guó)內(nèi)存巨頭的目標(biāo)是到 2025 年底將其 HBM 市場(chǎng)份...

Micron HBM 2025-06-27

全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光HBM的激增

美光在 2025 財(cái)年第三季度創(chuàng)紀(jì)錄的收入是由 HBM 銷售額增長(zhǎng)近 50% 推動(dòng)的，而且這種勢(shì)頭并沒(méi)有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國(guó)存儲(chǔ)器巨頭現(xiàn)在的目標(biāo)是到年底在 HBM 市場(chǎng)占據(jù)大...

晶圓廠美光 2025-06-27

據(jù)報(bào)道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

隨著將 HBM4 時(shí)代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報(bào)道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報(bào)道，該公司最近在其第六代 10nm 級(jí) DRAM（1c DRAM）晶圓測(cè)試中實(shí)...

三星 HBM 2025-06-20

DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場(chǎng)神秘買(mǎi)家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來(lái)報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過(guò)DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商...

DDR4 DRAM 2025-06-17

HBM 開(kāi)發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韓國(guó)頂尖國(guó)家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁(yè)的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，...

HBM.NAND 2025-06-17

據(jù)報(bào)道，三星再次在 NVIDIA 的 12-Hi HBM3E 驗(yàn)證中受挫，計(jì)劃于九月重新測(cè)試

作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競(jìng)爭(zhēng)中關(guān)鍵對(duì)手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報(bào)道三星在 6 月份第三次嘗試通過(guò) NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)遇到了挫折。根據(jù)&...

三星 HBM 2025-06-13

英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

美國(guó)芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京...

英特爾軟銀 2025-06-03